Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.

Os transistores utilizados no circuito são do tipo depleção, não sendo necessária a aplicação de uma tensão na porta para que o canal seja formado.

Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.

O circuito apresentado é uma porta lógica da família TTL.

Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.

No circuito em questão, quando V_I = 0, a saída V₀ = 0.

Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.

O circuito apresentado utiliza a tecnologia CMOS.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.

Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.

Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.