Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

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Q1923879 Engenharia Eletrônica

No diagrama esquemático, mostrado na Figura a seguir, está representado um circuito amplificador, onde o transistor bipolar de junção Q1 apresenta uma tensão VBE = 0,7 V, quando em condução, e um ganho de corrente β elevado o suficiente para tornar a sua corrente de base desprezível.


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Nesse circuito amplificador, qual é a corrente de polarização, expressa em miliamperes, observada no coletor do transistor Q1 ?

Alternativas
Q1900177 Engenharia Eletrônica
Julgue o próximo item, relativo à eletrônica analógica e digital.

Os circuitos integrados construídos com base na tecnologia MOS geralmente são constituídos de MOSFETs, que são transistores de efeito de campo cuja estrutura básica contém um eletrodo de metal e um óxido isolante sobre um substrato de semicondutor. 
Alternativas
Q1881234 Engenharia Eletrônica
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O circuito digital representado faz o controle de acionamento de uma central telefônica que possui quatro ramais. As entradas R1, R2, R3 e R4 significam que o respectivo ramal solicitou uma ligação à central. As saídas S1, S2, S3 e S4 indicam se a ligação foi completada pela central ou não. Considerando esse circuito e as informações apresentadas, julgue o item a seguir.

Os circuitos integrados das famílias TTL (transistor transistor logic) e CMOS (metal oxide semicondutor) se diferenciam, essencialmente, em seus componentes básicos de construção: os circuitos da família TTL são construídos com base em transistores bipolares e os da família CMOS, com base em transistores MOSFET. Essa diferença de material de construção leva a pequenas diferenças de parâmetros operacionais. 
Alternativas
Q1843103 Engenharia Eletrônica
A respeito do transistor tipo MOSFET, assinale a afirmativa correta.
Alternativas
Q1843102 Engenharia Eletrônica
A fim de determinar a resistência do resistor r foi montado um circuito, conforme a figura abaixo.   Imagem associada para resolução da questão
O resistor RVar foi ajustado a um valor igual a R/16, fazendo com que a leitura do voltímetro V indicasse zero. O valor de r é igual a
Alternativas
Q1841269 Engenharia Eletrônica
A figura a seguir apresenta uma polarização típica de um circuito amplificador transistorizado alimentado por uma bateria - VCC de 20 V. A corrente no emissor é igual a 5mA e os resistores Re e RC são, respectivamente, iguais a 0,4 kΩ e 2 kΩ.
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Considerando que a corrente de base é de 1,0 mA, as quedas de tensão nos resistores Re e Rc são, respectivamente, iguais a  
Alternativas
Q1828182 Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo ilustra o esquema de funcionamento de um rádio FM portátil que funciona, em condições normais de operação, com as especificações 3V / 450 mW. Verifica-se que um divisor de tensão é formado por  Imagem associada para resolução da questão

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De acordo com a figura, para que o rádio opere com a fonte de 12V, é possível realizar cálculos, e se chega a um valor para a resistência do resistor R2. Um valor válido para esse resistor, imediatamente acima do valor calculado, é  
Alternativas
Q1828181 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito da figura, sendo que I2 indica o valor 0 no display. 


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Nessas condições, I1, I3 e R são, respectivamente, 

Alternativas
Q1757166 Engenharia Eletrônica
O emprego de realimentação positiva em um amplificador com malha fechada poderá resultar em um circuito oscilador. Considerando a impedância de entrada do FET como infinita, o circuito abaixo ilustra um determinado oscilador. Imagem associada para resolução da questão
O circuito representa um oscilador 
Alternativas
Ano: 2021 Banca: FGV Órgão: IMBEL Prova: FGV - 2021 - IMBEL - Engenheiro Mecatrônico |
Q1755625 Engenharia Eletrônica
A figura a seguir apresenta um circuito transistorizado alimentado por uma bateria – VCC de 12 V. Os valores de RC e RE são respectivamente iguais a 1000 Ω e 300 Ω e as diferenças de potencial nos resistores Re e Rc são iguais a, respectivamente, a 10% e 40 % de VCC.
Imagem associada para resolução da questão Os valores das correntes de emissor e base são, em mA, respectivamente, iguais a
Alternativas
Ano: 2021 Banca: FGV Órgão: IMBEL Prova: FGV - 2021 - IMBEL - Engenheiro Eletrônico |
Q1755036 Engenharia Eletrônica

A respeito do SCR, dispositivo de potência de estado sólido muito utilizado na eletrônica industrial, analise as afirmativas a seguir.


I. O SCR possui sua construção realizada em 4 camadas tipo p e n, resultando em PNPN.

II. Para que o SCR entre em condução, além de estar diretamente polarizado, um pulso de tensão positiva deve ser aplicado no gatilho.

III. O gatilho deve permanecer com corrente para manter o SCR conduzindo.


Está correto o que se apresenta em

Alternativas
Ano: 2021 Banca: FGV Órgão: IMBEL Prova: FGV - 2021 - IMBEL - Engenheiro Eletrônico |
Q1755030 Engenharia Eletrônica

A figura a seguir apresenta um circuito transistorizado alimentado por uma bateria – VCC de 12 V. As correntes no emissor e na base são iguais, respectivamente, a 4,0 mA e a 0,8 mA e as diferenças de potencial nos resistores Re e Rc são iguais a, respectivamente, 10% e 40 % de VCC.


15.png (165×239)

Os valores dos resistores Re e Rc, em ohms, são, respectivamente, iguais a

Alternativas
Ano: 2021 Banca: FGV Órgão: IMBEL Prova: FGV - 2021 - IMBEL - Engenheiro Eletrônico |
Q1755027 Engenharia Eletrônica

A respeito das características dos transistores MOSFET, analise as afirmativas a seguir.


I. São dispositivos controlados por tensão.

II. Podem ser do tipo depleção e intensificação, tanto com canal tipo n quanto com tipo p.

III. Obedecem a equação de Shockley, sendo do tipo intensificação.


Está correto o que se apresenta em

Alternativas
Ano: 2020 Banca: IBFC Órgão: EBSERH Prova: IBFC - 2020 - EBSERH - Engenheiro Eletricista |
Q1286460 Engenharia Eletrônica

Analisando o circuito de amplificadores transistorizados apresentados na figura abaixo, assinale a alternativa incorreta.

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Alternativas
Q1146803 Engenharia Eletrônica

A descoberta de materiais semicondutores permitiu a construção de diversos dispositivos eletrônicos, entre os quais podem ser destacados os diodos e transistores.


Sobre esses materiais e dispositivos, assinale a alternativa correta.

Alternativas
Q1249531 Engenharia Eletrônica

Qual o ganho de tensão CQ(V0/Vi ) do circuito da figura abaixo? Considere VCC = 11,5 V; RB = 270kΩ; RE = 2,7kΩ; β=99 e, para a temperatura ambiente, Imagem associada para resolução da questão


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Alternativas
Q1215280 Engenharia Eletrônica

Considere o circuito e curva corrente de base versus tensão base-coletor apresentados na sequência para responder à questão .


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Considerando o ganho do transistor BDC = 200, a corrente no coletor (Ic) é igual a:

Alternativas
Q1107547 Engenharia Eletrônica

Transistores são dispositivos semicondutores de três camadas e três terminais que foram responsáveis por impulsionar a indústria eletrônica após seu surgimento.

Em relação a esses dispositivos, assinale a alternativa correta.

Alternativas
Q1060611 Engenharia Eletrônica
Determine o valor máximo de Rb, no circuito abaixo, de modo que o transistor opere como chave para acionar a bobina do relé. Considere os seguintes parâmetros para o projeto e que o transistor será acionado por um sinal TTL.
Transistor 2N2222 Vbe = 0,7 V Hfe = 50 Icmáx = 500 mA
Relé VCC = 12V I = 50 mA 
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Alternativas
Q1033725 Engenharia Eletrônica

No que se refere aos conceitos de eletrônica analógica, julgue o item.


Fontes de tensão chaveadas regulam a tensão e a corrente de saída, chaveando elementos de armazenamento de energia (capacitores e indutores). Apresentam a vantagem de serem mais eficientes e fisicamente mais compactas que as fontes de tensão lineares.

Alternativas
Respostas
61: A
62: C
63: C
64: A
65: D
66: A
67: D
68: C
69: A
70: E
71: D
72: B
73: D
74: A
75: D
76: D
77: A
78: B
79: D
80: C