Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

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Q606969 Engenharia Eletrônica
                              
Com referência aos circuitos com transistores ilustrados nas figuras I e II, julgue o próximo item.

No circuito mostrado na figura II, o ganho de corrente é unitário, entretanto o ganho de tensão é superior a 1.
Alternativas
Q596459 Engenharia Eletrônica





A figura acima ilustra um conversor CA-CA monofásico, em que vS é a tensão no secundário do transformador de alimentação e R representa uma resistência de carga. O diodo e o tiristor são ideais e o ângulo de disparo do tiristor está estritamente no intervalo de 0º a 180º.
Acerca desse e de outros tipos de conversores, julgue o item

A figura abaixo ilustra um conversor CC-CC em que a tensão de alimentação Vs é superior à tensão na carga.

Imagem associada para resolução da questão
Alternativas
Q593060 Engenharia Eletrônica

O circuito abaixo, onde R2 = R3, constitui um tipo de saída de potência de fonte de alimentação.

Imagem associada para resolução da questão

Em condições normais de operação do circuito, a tensão na carga RL é, aproximadamente, em volt,

Alternativas
Q593059 Engenharia Eletrônica

O circuito abaixo mostra uma ponte H simplificada, usada para inverter a rotação de motor CC. 

                                             Imagem associada para resolução da questão

O elemento indicado pela seta é um componente semicondutor designado como

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Ano: 2015 Banca: FGV Órgão: TJ-RO Prova: FGV - 2015 - TJ-RO - Engenheiro Eletrônico |
Q571682 Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra a polarização de um transistor bipolar de junção e a reta de carga que representa essa polarização no ponto P. 

                                 Imagem associada para resolução da questão

A tensão base-emissor do transistor é igual a 1,0 V. Os valores dos resistores RB e RC são iguais a: 
Alternativas
Q548423 Engenharia Eletrônica

                                 

Julgue o item seguinte, referente aos amplificadores mostrados nas figuras I, II e III.


O circuito da figura I é um amplificador na configuração emissor comum com resistência de emissor. O valor do resistor rE influencia a impedância de entrada do circuito.

Alternativas
Q548422 Engenharia Eletrônica

                                 

Julgue o item seguinte, referente aos amplificadores mostrados nas figuras I, II e III.


O circuito da figura III está na configuração dreno comum e a impedância de entrada desse amplificador é igual a RG.

Alternativas
Q548421 Engenharia Eletrônica

                                 

Julgue o item seguinte, referente aos amplificadores mostrados nas figuras I, II e III.


O circuito da figura II é um amplificador na configuração base comum, e o seu ganho de corrente é menor que 2.

Alternativas
Q467964 Engenharia Eletrônica
O conversor CC-CC apresentado na figura abaixo possui característica de transferência do tipo abaixadora-elevadora de tensão.

imagem-027.jpg

Esse conversor é do tipo:
Alternativas
Q2898942 Engenharia Eletrônica
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Alternativas
Q2746806 Engenharia Eletrônica
Um transistor possui uma corrente de emissor de 12,096 mA e corrente de coletor 12 mA. O parâmetro β desse transistor vale:
Alternativas
Q2746802 Engenharia Eletrônica
Sobre os transistores, analise as seguintes afirmativas:

1. BJT é um dispositivo que se encontra normalmente ligado, sendo desativado por uma corrente de base.

2. JFET é um dispositivo que se encontra normalmente desligado, sendo ativado por uma tensão de gatilho.

3. MOSFET emprega uma estrutura de gatilho isolado.

4. FET’s de potência não possuem algumas das limitações dos transistores bipolares.

Estão corretas:
Alternativas
Q2746796 Engenharia Eletrônica
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O valor de VEC é:
Alternativas
Q2746795 Engenharia Eletrônica
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O valor de IC é:
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Ano: 2014 Banca: FCC Órgão: SABESP Prova: FCC - 2014 - SABESP - Engenheiro Elétrico |
Q923985 Engenharia Eletrônica

Analise a estrutura do circuito integrado MOC 3011 abaixo.


Imagem associada para resolução da questão


Trata-se de um

Alternativas
Ano: 2014 Banca: FCC Órgão: SABESP Prova: FCC - 2014 - SABESP - Engenheiro Elétrico |
Q923977 Engenharia Eletrônica
Cristal de silício dopado com átomos pentavalentes corresponde a
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822218 Engenharia Eletrônica

No circuito da figura, o transistor TBJ (transistor bipolar de junção) apresenta, na região linear, um ganho β = 140. Ao aplicar-se 5 V em VB, o valor de VD, em V, será

Imagem associada para resolução da questão

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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822217 Engenharia Eletrônica
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN é polarizado por divisor de tensão, sendo R1 = 20 kΩ o resistor que conecta a base à tensão VCC e R2 = 1 kΩ o resistor que conecta a base ao GND (terra do circuito). Sendo Re = 100 Ω o resistor que conecta o emissor ao GND, o mínimo valor do ganho do transistor, β, que permite aplicar análise aproximada de polarização é
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822215 Engenharia Eletrônica
Uma fonte CC está ligada, adequadamente, ao conjunto bobina de relé em série com um transistor bipolar de junção (TBJ) do tipo NPN. Com a corrente de base (IB) positiva, o TBJ é ligado (conduz), a bobina é energizada e o relé é acionado. Com a IB caindo a zero, a bobina desenvolverá uma grande tensão sobre o transistor, o que poderá destruí-lo. Para evitar isso, coloca-se um
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Q462965 Engenharia Eletrônica
No circuito abaixo, considere que o transistor Q1 apresenta uma tensão VEB = 0,7 V quando a junção base-emissor está diretamente polarizada, e que o seu parâmetro β é muito grande. Considere também o Gráfico da evolução no tempo da tensão VB aplicada à base do transistor Q1 .

imagem-038.jpg

O Gráfico da corrente I R2 que circula pelo resistor R2 será
Alternativas
Respostas
201: E
202: E
203: A
204: E
205: A
206: C
207: E
208: C
209: E
210: D
211: C
212: B
213: C
214: A
215: A
216: D
217: B
218: D
219: A
220: A