Questões de Engenharia Eletrônica - Transistor para Concurso

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Q2381483
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381483 Engenharia Eletrônica
Na configuração porta-comum de um MOSFET, o terminal ligado ao terra, o terminal utilizado para receber o sinal de entrada e o terminal do qual se obtém o sinal de saída são, respectivamente, 
Alternativas
Q2381482
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381482 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão


No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a 
Alternativas
Q2381480
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381480 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão


Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente. 
Alternativas
Q2364410
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364410 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 



A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal semicondutor quando polarizado.

Alternativas
Q2364409
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364409 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 



Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p. 

Alternativas
Respostas
1: D
2: C
3: C
4: E
5: C
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