Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.
Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.
Pelas características de impedância de entrada mais elevada
e economia de potência para sinais digitais, o equipamento A
deve ser construído com transistores de efeito de campo,
em lógica complementar.
I. A sobretensão entre anodo e cátodo do SCR é um tipo de disparo muito utilizado em circuitos de chaveamento ONOFF. II. O sobreaquecimento pode causar um disparo indesejável no SCR, sendo necessário controlar a temperatura na operação. III. O SCR, para alguns tipos, pode ter a incidência de luz como elemento de disparo.
É correto somente o que se apresenta em
O valor de Rb é, aproximadamente:
Transistores de junção bipolar são formados por três terminais: base; coletor; e emissor.
Com o objetivo de controlar a luminosidade produzida por um conjunto de quatro LED’s, foi empregado o circuito mostrado na Figura abaixo, onde o MOSFET M1 atua como uma chave controlada pela fonte de tensão Vctrl.
Nesse circuito, considere que M1 apresenta uma tensão de limiar Vth = - 5,0 V e exibe uma resistência equivalente desprezível entre os terminais de fonte e dreno, quando em condução. Além disso, considere que a curva característica dos LED’s adotados nesse circuito possui uma tensão de joelho VD = 2,0 V.
Dessa forma, qual será a potência média consumida pelo
conjunto de quatro LED’s, expressa em miliwatts, quando
a tensão de controle Vctrl assume a forma de onda exibida
no gráfico acima?
No diagrama esquemático, mostrado na Figura a seguir, está representado um circuito amplificador, onde o transistor bipolar de junção Q1 apresenta uma tensão VBE = 0,7 V, quando em condução, e um ganho de corrente β elevado o suficiente para tornar a sua corrente de base desprezível.
Nesse circuito amplificador, qual é a corrente de polarização, expressa em miliamperes, observada no coletor do
transistor Q1
?
Os circuitos integrados construídos com base na tecnologia MOS geralmente são constituídos de MOSFETs, que são transistores de efeito de campo cuja estrutura básica contém um eletrodo de metal e um óxido isolante sobre um substrato de semicondutor.
O circuito digital representado faz o controle de acionamento de uma central telefônica que possui quatro ramais. As entradas R1, R2, R3 e R4 significam que o respectivo ramal solicitou uma ligação à central. As saídas S1, S2, S3 e S4 indicam se a ligação foi completada pela central ou não. Considerando esse circuito e as informações apresentadas, julgue o item a seguir.
Os circuitos integrados das famílias TTL (transistor transistor logic) e CMOS (metal oxide semicondutor) se diferenciam, essencialmente, em seus componentes básicos de construção: os circuitos da família TTL são construídos com base em transistores bipolares e os da família CMOS, com base em transistores MOSFET. Essa diferença de material de construção leva a pequenas diferenças de parâmetros operacionais.
O resistor RVar foi ajustado a um valor igual a R/16, fazendo com que a leitura do voltímetro V indicasse zero. O valor de r é igual a
Considerando que a corrente de base é de 1,0 mA, as quedas de tensão nos resistores Re e Rc são, respectivamente, iguais a
De acordo com a figura, para que o rádio opere com a fonte de 12V, é possível realizar cálculos, e se chega a um valor para a resistência do resistor R2. Um valor válido para esse resistor, imediatamente acima do valor calculado, é
Observe o circuito da figura, sendo que I2 indica o valor 0 no display.
Nessas condições, I1, I3 e R são, respectivamente,
O circuito representa um oscilador
Os valores das correntes de emissor e base são, em mA,
respectivamente, iguais a A respeito do SCR, dispositivo de potência de estado sólido muito utilizado na eletrônica industrial, analise as afirmativas a seguir.
I. O SCR possui sua construção realizada em 4 camadas tipo p e n, resultando em PNPN.
II. Para que o SCR entre em condução, além de estar diretamente polarizado, um pulso de tensão positiva deve ser aplicado no gatilho.
III. O gatilho deve permanecer com corrente para manter o SCR conduzindo.
Está correto o que se apresenta em
A figura a seguir apresenta um circuito transistorizado alimentado por uma bateria – VCC de 12 V. As correntes no emissor e na base são iguais, respectivamente, a 4,0 mA e a 0,8 mA e as diferenças de potencial nos resistores Re e Rc são iguais a, respectivamente, 10% e 40 % de VCC.
Os valores dos resistores Re e Rc, em ohms, são, respectivamente, iguais a
A respeito das características dos transistores MOSFET, analise as afirmativas a seguir.
I. São dispositivos controlados por tensão.
II. Podem ser do tipo depleção e intensificação, tanto com canal tipo n quanto com tipo p.
III. Obedecem a equação de Shockley, sendo do tipo intensificação.
Está correto o que se apresenta em
Analisando o circuito de amplificadores transistorizados apresentados na figura abaixo, assinale a alternativa incorreta.
A descoberta de materiais semicondutores permitiu a construção de diversos dispositivos eletrônicos, entre os quais podem ser destacados os diodos e transistores.
Sobre esses materiais e dispositivos, assinale a alternativa correta.
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