Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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i = – 5 cos(ωt – 50°) v = 10 sen(ωt – 140°)
A relação de fase entre as formas de onda senoidais i e v é:
Coluna 1 1. Voltímetro. 2. Wattímetro. 3. Amperímetro. 4. Ohmímetro.
5. Osciloscópio.
Coluna 2 ( ) Medir corrente elétrica.
( ) Além de medir grandezas elétricas, ainda mostra a forma do sinal da grandeza.
( ) Medir tensão elétrica.
( ) Medir potência elétrica.
( ) Medir a resistência de um determinado elemento.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
Observe o circuito da Figura 14, que exibe um regulador de tensão corrente constante:
Com base no funcionamento do circuito, determine o valor aproximado da leitura do voltímetro.
Sabendo que a tensão de entrada no circuito da Figura 8 é Vin = 1V (Vp) ou 2V (Vpp), a saída Vout será:
Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.
Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.
O equipamento B deve ser construído com transistores de
efeito de campo do tipo MOSFET.
Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.
Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.
Pelas características de impedância de entrada mais elevada
e economia de potência para sinais digitais, o equipamento A
deve ser construído com transistores de efeito de campo,
em lógica complementar.
A figura a seguir ilustra um amplificador transistorizado com carga ativa.
Determine o ganho do amplificador.
A figura a seguir ilustra um amplificador emissor-comum discreto que emprega uma topologia de polarização clássica. Considere que os capacitores de acoplamento (CC1, CC2 e CC3) possuem valores de capacitâncias iguais a infinito, a transcondutância (gm) igual a 90 mA/V e hfe igual a 180.
A resistência de entrada do amplificador é
I. A sobretensão entre anodo e cátodo do SCR é um tipo de disparo muito utilizado em circuitos de chaveamento ONOFF. II. O sobreaquecimento pode causar um disparo indesejável no SCR, sendo necessário controlar a temperatura na operação. III. O SCR, para alguns tipos, pode ter a incidência de luz como elemento de disparo.
É correto somente o que se apresenta em
O valor de Rb é, aproximadamente:
Transistores de junção bipolar são formados por três terminais: base; coletor; e emissor.
Com o objetivo de controlar a luminosidade produzida por um conjunto de quatro LED’s, foi empregado o circuito mostrado na Figura abaixo, onde o MOSFET M1 atua como uma chave controlada pela fonte de tensão Vctrl.
Nesse circuito, considere que M1 apresenta uma tensão de limiar Vth = - 5,0 V e exibe uma resistência equivalente desprezível entre os terminais de fonte e dreno, quando em condução. Além disso, considere que a curva característica dos LED’s adotados nesse circuito possui uma tensão de joelho VD = 2,0 V.
Dessa forma, qual será a potência média consumida pelo
conjunto de quatro LED’s, expressa em miliwatts, quando
a tensão de controle Vctrl assume a forma de onda exibida
no gráfico acima?
No diagrama esquemático, mostrado na Figura a seguir, está representado um circuito amplificador, onde o transistor bipolar de junção Q1 apresenta uma tensão VBE = 0,7 V, quando em condução, e um ganho de corrente β elevado o suficiente para tornar a sua corrente de base desprezível.
Nesse circuito amplificador, qual é a corrente de polarização, expressa em miliamperes, observada no coletor do
transistor Q1
?
Os circuitos integrados construídos com base na tecnologia MOS geralmente são constituídos de MOSFETs, que são transistores de efeito de campo cuja estrutura básica contém um eletrodo de metal e um óxido isolante sobre um substrato de semicondutor.
O circuito digital representado faz o controle de acionamento de uma central telefônica que possui quatro ramais. As entradas R1, R2, R3 e R4 significam que o respectivo ramal solicitou uma ligação à central. As saídas S1, S2, S3 e S4 indicam se a ligação foi completada pela central ou não. Considerando esse circuito e as informações apresentadas, julgue o item a seguir.
Os circuitos integrados das famílias TTL (transistor transistor logic) e CMOS (metal oxide semicondutor) se diferenciam, essencialmente, em seus componentes básicos de construção: os circuitos da família TTL são construídos com base em transistores bipolares e os da família CMOS, com base em transistores MOSFET. Essa diferença de material de construção leva a pequenas diferenças de parâmetros operacionais.
O resistor RVar foi ajustado a um valor igual a R/16, fazendo com que a leitura do voltímetro V indicasse zero. O valor de r é igual a
Considerando que a corrente de base é de 1,0 mA, as quedas de tensão nos resistores Re e Rc são, respectivamente, iguais a
De acordo com a figura, para que o rádio opere com a fonte de 12V, é possível realizar cálculos, e se chega a um valor para a resistência do resistor R2. Um valor válido para esse resistor, imediatamente acima do valor calculado, é
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