Analise o circuito abaixo.

Dados:

V_ce = 0,5 V_cc

V_be = 0,7 V

β=100

Considerando que a potência máxima dissipada entre o coletor e o emissor vale 480 mW, os valores de Rb e Rc, em Ω, valem respectivamente:

Sobre o TRIAC, analise as afirmativas abaixo.

I Pode ser utilizado para controle de fase de tensão alternada.

II Conduz corrente em ambos os sentidos.

III Em cada semiciclo deve ser aplicada tensão no gatilho no instante em que o disparo for desejado.

Das afirmativas acima:

Considere o esquemático apresentado abaixo:

Esse esquemático representa:

Considerando que a tensão Base-Emissor no circuito apresentado abaixo é de 0,7 V, assinale a alternativa que indica a corrente no resistor Re.

A respeito de transistores, considere as seguintes afirmativas:

1. O transistor bipolar de junção (TBJ) possui grande confiabilidade sob condições ambientais severas.

2. Quando um transistor TBJ opera no modo de saturação, o aumento da tensão entre coletor e base na direção negativa reduz a corrente de coletor.

3. O transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) não pode ser fabricado em dimensões pequenas.

4. Devido a suas características físicas construtivas, o transistor MOSFET não pode ser utilizado como chave.

Assinale a alternativa correta.

Sobre componentes de circuitos eletrônicos, analise as afirmativas a seguir:

I. O led é um tipo especial de transistor que emite luz.

II. Um transistor pode funcionar como uma chave controlada, quando está operando nas regiões saturada ou aberta.

III. O diodo permite a passagem de corrente elétrica apenas em um sentido e é formado pela junção de três materiais semicondutores.

É INCORRETO o que se afirma em

Um circuito de polarização por divisor de tensão é mostrado na figura a seguir.

O transistor está operando na região

O tipo de controlador de tensão CA que dispara um TRIAC com ângulo de disparo igual a zero, de modo que a potência entregue à carga seja a relação entre o número de ciclos de tensão entregue à carga e o número total de ciclos de tensão é conhecido como

Considere o circuito de polarização estável do emissor, conforme a figura abaixo.

Qual é a tensão do transistor bipolar, entre coletor-emissor (VCE), para uma corrente de base igual a IB = 27,2 µA?

Semicondutores são materiais de condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes, sendo amplamente utilizados na fabricação de transistores e diodos. Em relação aos transistores, assinale a alternativa CORRETA.

Analise o circuito amplificador de tensão a seguir.

Com relação a esse amplificador, é correto afirmar:

Em 1965, o Dr. Gordon Moore sugeriu que as empresas de semicondutores dobrariam o número de transistores em um circuito integrado a cada dois anos. A observação dessa taxa de crescimento é conhecida como a famosa “Lei de Moore”. Essa lei está geralmente associada a temas como o crescimento acelerado do número de componentes num chip, da potência computacional, da capacidade de memória, entre outros.
Um sistema de coleta de dados de sensores, baseado em microprocessadores, consegue executar 100.000 medições por segundo, esse número sendo limitado pela capacidade de processamento dos microprocessadores.
Assumindo-se que a capacidade de executar medições segue a taxa da “Lei de Moore”, em quanto tempo espera- -se que este sistema consiga executar 800.000 de medições por segundo?

Um regulador de tensão de um hidrogerador síncrono opera ajustando a tensão de excitação de seu enrolamento de campo. A respeito da tensão aplicada no enrolamento de campo e do seu efeito na tensão terminal do gerador, é correto afirmar que

Pedro, engenheiro eletricista, foi incumbido de escolher um tipo de transistor de potência para ser utilizado no controle de um motor de indução de uma bomba hidráulica. Considerando que os requisitos para a escolha são: comando simples e por tensão, potência de 2 kW e baixa perda na comutação, o tipo de transistor de potência a ser escolhido é o

Para o layout em desenvolvimento de uma placa de circuito impresso (PCI), que será um driver para acendimento de 3 leds de alta luminosidade, conforme esquema elétrico da Figura I, necessita-se selecionar um transistor tipo Surface Mount Device − SMD, dentre os modelos disponibilizados (encapsulamentos e tipos NPN ou PNP) e ilustrados na Figura II (com dimensões físicas fora de escala).

Sabendo que Vcom é um sinal binário (0V ou 5V) proveniente de um Arduino, que os resistores RB e RC serão devidamente dimensionados, de modo que o transistor selecionado opere como chave (dentro de suas características elétricas) com os pontos elétricos definidos pelo esquema elétrico (B = base, C = coletor e E = emissor), para o funcionamento da placa

Deseja-se tabelar os procedimentos de calibração (a grosso modo), de um modelo de placas de PCI após a etapa de produção da soldagem, para uma tensão interna promovida pelo ajuste de um trimpot multivoltas especial (16 voltas, linear e resistência total R = RAB =10 kΩ). A figura abaixo ilustra o trimpot e o circuito de geração da tensão a ser calibrada Vcal. Admitindo como condição inicial de calibração que o trimpot esteja inicialmente zerado (RAC = 0 Ω e RCB = 10 kΩ), que aumente RAC girando o parafuso do cursor de ajuste no sentido horário, então é um dado correto que pode ser inserido na tabela operacional que está sendo elaborada:

Na figura abaixo estão representados dois circuitos eletrônicos (1 e 2), para duas entradas de um CLP, as quais recebem os sinais K1 (para o circuito 1) e K2 (para o circuito 2), estas que por sua vez são provenientes de dois sensores, cujos circuitos transistorizados de saída são S1 (para o circuito 1) e S2 (para o circuito 2).

Admitindo que os transistores das saídas dos sensores (S1 e S2) operam como chaves (corte ou saturação), ou seja: sensor ativo corresponde a transistor saturado e sensor desativo corresponde a transistor cortado, é correto afirmar:

O transistor do circuito abaixo deve ser modelado como tendo h_FE = β = 99 e V_BE = 700mV. O valor do resistor RB que faz com que o valor quiescente da tensão V_CE seja igual a 4V é:

A curva característica de um transistor de efeito de campo (FET) é mostrada abaixo. Essa curva corresponde a um dispositivo do tipo:

O circuito da Figura 13 abaixo corresponde a uma topologia de inversor de frequência denominada Inversor Ponte H Monofásico. Neste diagrama, o circuito de controle das chaves Q₁, Q2, Q₃ e Q₄ foi propositalmente omitido.

Na Figura 14 encontram-se 4 diferentes formas de onda de tensão que podem ser produzidas sobre cargas conectadas às saídas de inversores de frequência variados.

Dentre as formas de onda, apresentadas acima, aquela(s) que pode(m) ser produzida(s) pelo Inversor Ponte H Monofásico mostrado na Figura 13 é / são