Pedro, engenheiro eletricista, foi incumbido de escolher um tipo de transistor de potência para ser utilizado no controle de um motor de indução de uma bomba hidráulica. Considerando que os requisitos para a escolha são: comando simples e por tensão, potência de 2 kW e baixa perda na comutação, o tipo de transistor de potência a ser escolhido é o

Para o layout em desenvolvimento de uma placa de circuito impresso (PCI), que será um driver para acendimento de 3 leds de alta luminosidade, conforme esquema elétrico da Figura I, necessita-se selecionar um transistor tipo Surface Mount Device − SMD, dentre os modelos disponibilizados (encapsulamentos e tipos NPN ou PNP) e ilustrados na Figura II (com dimensões físicas fora de escala).

Sabendo que Vcom é um sinal binário (0V ou 5V) proveniente de um Arduino, que os resistores RB e RC serão devidamente dimensionados, de modo que o transistor selecionado opere como chave (dentro de suas características elétricas) com os pontos elétricos definidos pelo esquema elétrico (B = base, C = coletor e E = emissor), para o funcionamento da placa

Deseja-se tabelar os procedimentos de calibração (a grosso modo), de um modelo de placas de PCI após a etapa de produção da soldagem, para uma tensão interna promovida pelo ajuste de um trimpot multivoltas especial (16 voltas, linear e resistência total R = RAB =10 kΩ). A figura abaixo ilustra o trimpot e o circuito de geração da tensão a ser calibrada Vcal. Admitindo como condição inicial de calibração que o trimpot esteja inicialmente zerado (RAC = 0 Ω e RCB = 10 kΩ), que aumente RAC girando o parafuso do cursor de ajuste no sentido horário, então é um dado correto que pode ser inserido na tabela operacional que está sendo elaborada:

Na figura abaixo estão representados dois circuitos eletrônicos (1 e 2), para duas entradas de um CLP, as quais recebem os sinais K1 (para o circuito 1) e K2 (para o circuito 2), estas que por sua vez são provenientes de dois sensores, cujos circuitos transistorizados de saída são S1 (para o circuito 1) e S2 (para o circuito 2).

Admitindo que os transistores das saídas dos sensores (S1 e S2) operam como chaves (corte ou saturação), ou seja: sensor ativo corresponde a transistor saturado e sensor desativo corresponde a transistor cortado, é correto afirmar:

O transistor do circuito abaixo deve ser modelado como tendo h_FE = β = 99 e V_BE = 700mV. O valor do resistor RB que faz com que o valor quiescente da tensão V_CE seja igual a 4V é:

A curva característica de um transistor de efeito de campo (FET) é mostrada abaixo. Essa curva corresponde a um dispositivo do tipo:

O circuito da Figura 13 abaixo corresponde a uma topologia de inversor de frequência denominada Inversor Ponte H Monofásico. Neste diagrama, o circuito de controle das chaves Q₁, Q2, Q₃ e Q₄ foi propositalmente omitido.

Na Figura 14 encontram-se 4 diferentes formas de onda de tensão que podem ser produzidas sobre cargas conectadas às saídas de inversores de frequência variados.

Dentre as formas de onda, apresentadas acima, aquela(s) que pode(m) ser produzida(s) pelo Inversor Ponte H Monofásico mostrado na Figura 13 é / são

Dado o circuito ao lado, considerando que os transistores têm um valor de β muito alto e V_BE=0,7 V, o valor da corrente em amperes no resistor de 2 Ω é

Assinale a alternativa correta em relação à topologia de regulador de tensão CC série.

Assinale a afirmação correta com relação aos transistores bipolares de junção.

A respeito dos conversores CA-CC, CA-CA e CC-CC, considere as afirmativas a seguir.
I. A tensão média de saída do conversor CC-CC é controlada pela variação do tempo de condução do transistor. II. O conversor CA-CC converte uma tensão CA em CC, onde o controle da tensão CC é feito por meio da variação da tensão CA de entrada. III. O conversor CA-CA permite a obtenção de uma tensão CA variável a partir de uma tensão CA fixa de entrada.
Está correto o que se afirma em

A figura a seguir apresenta a polarização de um transistor NPN.

A respeito desse circuito é correto dizer que a corrente

O engenheiro de uma equipe de desenvolvimento de protótipos analisa a folha de dados de um transistor hipotético que possui potência nominal de 800 mW a uma temperatura de 25 ^oC. Sabendo-se que o fator de degradação do transistor é 10 mW/ ^oC, a potência máxima, em mW, que poderá ser fornecida pelo transistor quando opera sob uma temperatura de 40 ^oC, é

Os dispositivos semicondutores são produzidos a partir de materiais que possuem uma condutividade menor que a dos metais em geral e maior que a dos isolantes. Após a invenção do transistor em 1947 nos Laboratórios da Bell, os semicondutores que mais foram utilizados na indústria da eletrônica desde então são feitos a partir de cristais de

Para o circuito da figura abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no dreno do transistor V_D.

Dado o circuito apresentado abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no coletor V_C.

Acerca do funcionamento dos transistores bipolares, analise as proposições a seguir.

1) Os dois modos básicos para operar um transistor são a polarização de base (circuitos de chaveamento) e a polarização de emissor (circuitos amplificadores).

2) O ganho de corrente de um transistor é definido como a razão da corrente do emissor pela corrente de base (IE/IB).

3) Se num circuito com um transistor o resistor de base for curto-circuitado, o transistor será danificado.

Está(ão) correta(s):