Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 359 questões
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523590
Engenharia Eletrônica
Os MOSFET são, possivelmente, os transistores mais empregados atualmente. Sejam como chaves em circuitos de potência, na confecção dos circuitos integrados da família CMOS, como amplificadores ou em alguma das suas outras aplicações, eles marcam importante presença na nossa vida cotidiana.
Sobre esse importante componente eletrônico, é correto afirmar que o MOSFET,
Sobre esse importante componente eletrônico, é correto afirmar que o MOSFET,
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523586
Engenharia Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.
Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.
Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523583
Engenharia Eletrônica
Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros.
Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.
Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Instrumentação Científica para Projetos Espaciais |
Q2523537
Engenharia Eletrônica
Sobre os amplificadores usados em aplicações de RF, sabe-se que são divididos nas classes A, B, AB e C, de acordo com a porção do sinal de entrada que coloca os transistores do amplificador em condução.
Considerando um amplificador da classe C, seu ângulo de condução
Considerando um amplificador da classe C, seu ângulo de condução
Q2456690
Engenharia Eletrônica
O transistor bipolar de junção do tipo npn possui duas junções pn
e, portanto, pode funcionar como um diodo.
Para que isso ocorra,
Para que isso ocorra,
Ano: 2024
Banca:
FAU
Órgão:
Câmara de São João do Triunfo - PR
Prova:
FAU - 2024 - Câmara de São João do Triunfo - PR - Operador de Áudio Visual |
Q2449953
Engenharia Eletrônica
Diversos são os tipos de filtros utilizados
no universo da produção visual. Um deles tem
essencialmente dois objetivos: reduzir ou
mesmo eliminar reflexos de superfícies (como
as plásticas ou metalizadas) e reforçar a
tonalidade das cores. De qual filtro estamos
tratando?
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381483
Engenharia Eletrônica
Na configuração porta-comum de um MOSFET, o terminal ligado ao terra, o terminal utilizado para receber o sinal de entrada e o terminal do qual se obtém o sinal de saída são, respectivamente,
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381482
Engenharia Eletrônica
No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381480
Engenharia Eletrônica
Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364410
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364409
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a
dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364408
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364407
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à
largura do canal do MOSFET.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364390
Engenharia Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre
os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os
portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma
semelhante aos de um transistor bipolar.
Ano: 2023
Banca:
COMPERVE - UFRN
Órgão:
UFRN
Prova:
COMPERVE - UFRN - 2023 - UFRN - Engenheiro - Área: Elétrica |
Q3219993
Engenharia Eletrônica
A figura abaixo representa um circuito polarizado na região ativa contendo um transistor
de silício com ganho β = 100. 
Nesse circuito, ao considerar que VCC = 12V, VCE = 2,5V, e IB = 20µA, o valor de RE será, aproximadamente,
Nesse circuito, ao considerar que VCC = 12V, VCE = 2,5V, e IB = 20µA, o valor de RE será, aproximadamente,
Q2361807
Engenharia Eletrônica
A imagem abaixo apresenta a tela de um osciloscópio digital.
Considere os seguintes ajustes para o canal 1:
• V/div = 4 V
• sec/div = 10 µs
Considere os seguintes ajustes para o canal 1:
• V/div = 4 V
• sec/div = 10 µs
Qual é a amplitude do pulso e a frequência do sinal, respectivamente?
Q2361803
Engenharia Eletrônica
Segundo Malvino (2011), existem dois modos básicos de ajustar o ponto de operação
de um transistor: polarizando a base e polarizando o emissor. Sendo assim, analise a sentença abaixo:
Polarizar a base produz um valor fixo na corrente da base, enquanto polarizar o emissor produz uma corrente fixa no emissor (1ª parte). A polarização da base é mais aplicada em circuitos amplificadores, enquanto a polarização do emissor é predominante em circuitos de chaveamento (2ª parte). Quando um transistor está saturado, um aumento na corrente da base produz uma corrente menor no coletor (3ª parte).
Quais partes estão corretas?
Polarizar a base produz um valor fixo na corrente da base, enquanto polarizar o emissor produz uma corrente fixa no emissor (1ª parte). A polarização da base é mais aplicada em circuitos amplificadores, enquanto a polarização do emissor é predominante em circuitos de chaveamento (2ª parte). Quando um transistor está saturado, um aumento na corrente da base produz uma corrente menor no coletor (3ª parte).
Quais partes estão corretas?
Q2295182
Engenharia Eletrônica
A tecnologia Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, conhecida como CMOS, é amplamente utilizada em circuitos digitais.
Basicamente, ela é composta pela utilização de dois tipos de transistores de efeito de campo, um MOSFET tipo N e outro tipo P. Na
tecnologia CMOS, esses transistores trabalham juntos para formar um circuito que pode realizar operações lógicas. O circuito
apresentado na figura abaixo é um circuito lógico com CMOS.
Esse circuito possui duas entradas, representadas por A e B, e uma saída, representada por Y. Ele implementa uma determinada porta lógica. Considerando 0 V como nível lógico baixo e 5 V como nível lógico alto, a porta lógica implementada pelo circuito é uma
Esse circuito possui duas entradas, representadas por A e B, e uma saída, representada por Y. Ele implementa uma determinada porta lógica. Considerando 0 V como nível lógico baixo e 5 V como nível lógico alto, a porta lógica implementada pelo circuito é uma
Ano: 2023
Banca:
COMVEST UFAM
Órgão:
UFAM
Prova:
COMVEST UFAM - 2023 - UFAM - Técnico de Laboratório: Física |
Q2284694
Engenharia Eletrônica
Considere o transistor NPN da figura a seguir:
Antes de ser colocado em um circuito, esse componente
pode ser verificado com um multímetro na configuração
para teste de diodos. No funcionamento normal do
transistor, há duas medições que resultarão em leituras de
tensão. Assinale a alternativa que apresenta o terminal do
multímetro (positivo e negativo) e o ponto (B, C e E) ao
qual ele estará conectado para essas duas medições:
Ano: 2023
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-SC
Prova:
FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Eletromecânica |
Q2227600
Engenharia Eletrônica
Transistores são componentes eletrônicos que permitem o controle de uma corrente
elétrica maior a partir de uma corrente menor. Sobre esse assunto, analise as seguintes assertivas e
assinale a alternativa correta.
I. O transistor TBJ é um dispositivo unipolar, e o transistor FET é bipolar. II. O transistor TBJ pode ser utilizado como chave ou como amplificador. III. Comparando os transistores FET e TBJ, o primeiro fornece uma maior impedância de entrada.
I. O transistor TBJ é um dispositivo unipolar, e o transistor FET é bipolar. II. O transistor TBJ pode ser utilizado como chave ou como amplificador. III. Comparando os transistores FET e TBJ, o primeiro fornece uma maior impedância de entrada.
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