Questões de Engenharia Eletrônica - Transistor para Concurso

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 

A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal semicondutor quando polarizado.

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 

Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p. 

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 

A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do tipo depleção. 

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 

Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à largura do canal do MOSFET.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma semelhante aos de um transistor bipolar.