Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a
Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a
dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à
largura do canal do MOSFET.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre
os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os
portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma
semelhante aos de um transistor bipolar.
Nesse circuito, ao considerar que VCC = 12V, VCE = 2,5V, e IB = 20µA, o valor de RE será, aproximadamente,
Considere os seguintes ajustes para o canal 1:
• V/div = 4 V
• sec/div = 10 µs
Qual é a amplitude do pulso e a frequência do sinal, respectivamente?
Polarizar a base produz um valor fixo na corrente da base, enquanto polarizar o emissor produz uma corrente fixa no emissor (1ª parte). A polarização da base é mais aplicada em circuitos amplificadores, enquanto a polarização do emissor é predominante em circuitos de chaveamento (2ª parte). Quando um transistor está saturado, um aumento na corrente da base produz uma corrente menor no coletor (3ª parte).
Quais partes estão corretas?
Esse circuito possui duas entradas, representadas por A e B, e uma saída, representada por Y. Ele implementa uma determinada porta lógica. Considerando 0 V como nível lógico baixo e 5 V como nível lógico alto, a porta lógica implementada pelo circuito é uma
Considere o transistor NPN da figura a seguir:
Antes de ser colocado em um circuito, esse componente
pode ser verificado com um multímetro na configuração
para teste de diodos. No funcionamento normal do
transistor, há duas medições que resultarão em leituras de
tensão. Assinale a alternativa que apresenta o terminal do
multímetro (positivo e negativo) e o ponto (B, C e E) ao
qual ele estará conectado para essas duas medições:
I. O transistor TBJ é um dispositivo unipolar, e o transistor FET é bipolar. II. O transistor TBJ pode ser utilizado como chave ou como amplificador. III. Comparando os transistores FET e TBJ, o primeiro fornece uma maior impedância de entrada.
i = – 5 cos(ωt – 50°) v = 10 sen(ωt – 140°)
A relação de fase entre as formas de onda senoidais i e v é:
Coluna 1 1. Voltímetro. 2. Wattímetro. 3. Amperímetro. 4. Ohmímetro.
5. Osciloscópio.
Coluna 2 ( ) Medir corrente elétrica.
( ) Além de medir grandezas elétricas, ainda mostra a forma do sinal da grandeza.
( ) Medir tensão elétrica.
( ) Medir potência elétrica.
( ) Medir a resistência de um determinado elemento.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
Observe o circuito da Figura 14, que exibe um regulador de tensão corrente constante:
Com base no funcionamento do circuito, determine o valor aproximado da leitura do voltímetro.
Sabendo que a tensão de entrada no circuito da Figura 8 é Vin = 1V (Vp) ou 2V (Vpp), a saída Vout será:
Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.
Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.
O equipamento B deve ser construído com transistores de
efeito de campo do tipo MOSFET.
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