Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria d...
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Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364410
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.
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