Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

Foram encontradas 359 questões

Q220285 Engenharia Eletrônica
Observe o circuito abaixo.

Imagem 008.jpg

Os componentes Q1 e Q2 são, respectivamente,
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Q237899 Engenharia Eletrônica
                                       Imagem associada para resolução da questão


O circuito da figura acima é uma fonte de tensão regulada que usa como referência um diodo zener com 6 V de tensão nominal. A tensão não regulada de entrada (Vnr ) tem valor nominal de 15 V e admite uma variação de ± 20% em torno do seu valor nominal. A resistência de carga pode assumir valores que variam de 100 Ω até a resistência infinita (ckt aberto).

Nessas condições, qual será a corrente máxima, em mA, suportada pelo diodo?

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Q237897 Engenharia Eletrônica
                                    Imagem associada para resolução da questão



O circuito da figura usa um transistor NPN (ß = 100 e VBE = 0,6 V).

Analisando as condições e os dados do circuito, conclui-se que o transistor está saturado e o valor aproximado da potência dissipada no resistor RC, em mW, é

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Q237896 Engenharia Eletrônica
                                        Imagem associada para resolução da questão

O tipo de configuração montada com o transistor mostrada na figura acima corresponde ao tipo de polarização conhecido por
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Q187370 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão

O circuito mostrado na figura acima, em especial a parte limitada pelo quadro pontilhado, é um conversor CC-CC do tipo
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Q187363 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão

No circuito eletrônico da figura acima, todos os componentes são considerados ideais. O transistor opera com ganho β = 20 e V BE= 0,6 V. Sabe-se que o diodo Zener opera com tensão nominal de 6 V, que o circuito deve funcionar com a tensão VC podendo assumir valores entre 15 e 30 V e que a resistência de carga RL é incerta, podendo variar de 5 Ω até infinito (circuito sem carga). O projeto prevê que a tensão V L , com alguma tolerância, permaneça constante. Nesse contexto, o diodo Zener deverá ser especificado no projeto para suportar uma potência máxima, em W, de
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Q183129 Engenharia Eletrônica
                       Imagem 071.jpg

O circuito da figura acima mostra os dados de polarização de um transistor NPN. Para que a corrente CC de coletor seja de 2 mA e seja garantida uma excursão, no sinal de coletor, de 2 V (pico a pico), alcançando-se o limiar de transição para a região de saturação do transistor, os valores de RB e Rsão, em kΩ  respectivamente,
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Q183039 Engenharia Eletrônica
O transistor NPN da figura acima está polarizado e operando na região ativa. Nessas condições, o transistor opera com ß = 50 e VBE = 0,6 V. Com base nos dados do circuito, o valor aproximado da corrente IB, em µA, é

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Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: INFRAERO Prova: FCC - 2011 - INFRAERO - Engenheiro Eletrônico |
Q181892 Engenharia Eletrônica
Na fonte chaveada, o transistor que atua como chave é controlado por um sinal Vy modulado por um sinal Vx, conforme a representação abaixo:
Imagem 021.jpg
O sinal Vy é do tipo

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Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: INFRAERO Prova: FCC - 2011 - INFRAERO - Engenheiro Eletrônico |
Q181890 Engenharia Eletrônica
Considere o circuito:
Imagem 020.jpg
Para polarizar o FET com ID = 2 mA e VDS = 6 V, os resistores comerciais mais adequados são:

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Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: INFRAERO Prova: FCC - 2011 - INFRAERO - Engenheiro Eletrônico |
Q181874 Engenharia Eletrônica
Na curva de transcondutância do JFET representada abaixo, os parâmetros X e Y correspondem, respectivamente, a:
Imagem 004.jpg

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Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: INFRAERO Prova: FCC - 2011 - INFRAERO - Engenheiro Eletrônico |
Q181870 Engenharia Eletrônica
No manual de circuitos integrados TTL, a especificação VIL refere-se à Tensão

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Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: INFRAERO Prova: FCC - 2011 - INFRAERO - Engenheiro Eletrônico |
Q181868 Engenharia Eletrônica
O parâmetro híbrido do transistor bipolar que caracteriza a sua impedância de entrada na configuração coletor comum é:

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Q180893 Engenharia Eletrônica
A denominação dos dispositivos Q1 e Q2 é:

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Q180890 Engenharia Eletrônica
Um transistor bipolar de silício tipo NPN, operando como chave, é polarizado na configuração emissor comum com tensão de alimentação de 5 V. Quando ele se encontra saturado, as tensões VBEsat e VCEsat valem, aproximada e respectivamente,

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Q132674 Engenharia Eletrônica
No que se refere às tecnologias utilizadas na fabricação de circuitos
integrados digitais, julgue itens subsecutivos.

Os elementos básicos dos circuitos integrados TTL são os transistores de efeito de campo MOS tipo N.
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Q132673 Engenharia Eletrônica
No que se refere às tecnologias utilizadas na fabricação de circuitos
integrados digitais, julgue itens subsecutivos.

Os circuitos integrados CMOS têm em sua constituição transistores NMOS e PMOS.
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Q132666 Engenharia Eletrônica
Imagem 026.jpg

Considere o diagrama acima, que representa um amplificador, com
transistor bipolar de junção que está polarizado corretamente na
região ativa, e cujo ganho Imagem 027.jpg é igual a 20. Considere,
ainda, que Imagem 028.jpg seja igual a 12 V e que o potencial CC de
polarização seja igual a 4 V no emissor e igual a 8 V no coletor.
Considere, por fim, que todos os capacitores tenham capacitância
alta o suficiente para que funcionem como curtos-circuitos para o
sinal Imagem 029.jpg em razão da frequência desse sinal. Com base nessas
informações, julgue os itens seguintes.

Se Imagem 033.jpg for um sinal senoidal com amplitude de pico de 1 mV, então, a tensão no coletor do transistor será igual a soma de uma tensão contínua de 4 V e de uma tensão senoidal, que terá amplitude de pico igual a 20 mV e a mesma frequência e a mesma fase do sinal Imagem 032.jpg
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Q132665 Engenharia Eletrônica
Imagem 026.jpg

Considere o diagrama acima, que representa um amplificador, com
transistor bipolar de junção que está polarizado corretamente na
região ativa, e cujo ganho Imagem 027.jpg é igual a 20. Considere,
ainda, que Imagem 028.jpg seja igual a 12 V e que o potencial CC de
polarização seja igual a 4 V no emissor e igual a 8 V no coletor.
Considere, por fim, que todos os capacitores tenham capacitância
alta o suficiente para que funcionem como curtos-circuitos para o
sinal Imagem 029.jpg em razão da frequência desse sinal. Com base nessas
informações, julgue os itens seguintes.

A configuração do amplificador acima representado é do tipo emissor comum.
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Q132664 Engenharia Eletrônica
Imagem 026.jpg

Considere o diagrama acima, que representa um amplificador, com
transistor bipolar de junção que está polarizado corretamente na
região ativa, e cujo ganho Imagem 027.jpg é igual a 20. Considere,
ainda, que Imagem 028.jpg seja igual a 12 V e que o potencial CC de
polarização seja igual a 4 V no emissor e igual a 8 V no coletor.
Considere, por fim, que todos os capacitores tenham capacitância
alta o suficiente para que funcionem como curtos-circuitos para o
sinal Imagem 029.jpg em razão da frequência desse sinal. Com base nessas
informações, julgue os itens seguintes.

Caso o capacitor Imagem 031.jpg seja retirado do circuito, ocorrerá um aumento no ganho A do amplificador.
Alternativas
Respostas
281: A
282: D
283: E
284: A
285: A
286: C
287: C
288: B
289: E
290: A
291: B
292: A
293: B
294: A
295: D
296: E
297: C
298: E
299: C
300: E