Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 365 questões
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184708
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Em condições estáticas, isto é, sem chaveamento dos níveis de entrada, a máxima dissipação de potência ocorre quando ambas as entradas estiverem fixadas em 5 V.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184707
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito desempenha a função de porta NAND (complemento da porta lógica E) de duas entradas.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184706
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Enquanto ambas as entradas 
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112741
Engenharia Eletrônica
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112719
Engenharia Eletrônica
No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112713
Engenharia Eletrônica
No circuito eletrônico acima, que mostra um amplificador a transistor, os potenciais quiescentes de polarizações VB e VC são iguais, respectivamente, a 8 V e 12 V, e Vcc é 16 V. O ganho AC do amplificador é igual a 100 e uma fonte de sinal com impedância de entrada muito mais baixa que a impedância de entrada do amplificador injeta, em vi , uma tensão senoidal com frequência na faixa adequada do amplificador e tensão de pico a pico igual a 20 mV.
Considerando que, nesse circuito, o transistor esteja corretamente polarizado na região ativa, que as distorções do sinal amplificado sejam desprezíveis e que os capacitores têm valores de capacitância tal que, para as frequências dos sinais amplificados, eles funcionem como curto-circuito, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82765
Engenharia Eletrônica
São circuitos integrados lineares comerciais usados na função de regulador de tensão:
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82739
Engenharia Eletrônica
Tensão mínima de saída em nível alto de uma porta lógica TTL. Nos manuais de fabricantes de circuitos integrados, essa especificação é simbolizada por
Q74995
Engenharia Eletrônica
O dispositivo semicondutor baseado no transistor bipolar, mas que não é acionado por corrente de base e sim por tensão, como no transistor de efeito de campo, e que pode operar em alta frequência com altas correntes é o
Q74992
Engenharia Eletrônica
O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na configuração emissor comum é
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2010 - DPE-SP - Engenheiro Elétrico - Agente de Defensoria |
Q73173
Engenharia Eletrônica
Uma saída TTL deve acionar um motor DC em nível alto por meio do circuito abaixo:
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
Q64208
Engenharia Eletrônica
"Tensão máxima de entrada que uma porta lógica entende como nível lógico baixo."
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Q64195
Engenharia Eletrônica
É um dispositivo optoeletrônico:
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 4ª REGIÃO (RS)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 4ª REGIÃO (RS) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q73625
Engenharia Eletrônica
O esquema abaixo representa um circuito digital de controle, família TTL, que deve acionar uma carga CA por meio de uma interface de potência.
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
Q70248
Engenharia Eletrônica
Qual é a tensão de saída 
do circuito mostrado?
do circuito mostrado?
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 3ª Região (MG)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23739
Engenharia Eletrônica
Os limites de tensão de uma saída digital TTL para os níveis baixo e alto são especificações simbolizadas, respectivamente, por
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 3ª Região (MG)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23731
Engenharia Eletrônica
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
Ano: 2009
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19547
Engenharia Eletrônica
Texto associado
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.
Ano: 2009
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19546
Engenharia Eletrônica
Texto associado
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364667
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Na configuração de regulador chaveado esquematicamente apresentado na figura abaixo, se o sinal S é tal que o transistor fica saturado durante 80% do ciclo de chaveamento, então a tensão média sobre a carga R vale aproximadamente 5 Vi , desprezando-se elementos parasitas.
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