Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 363 questões
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184706
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Enquanto ambas as entradas 
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112741
Engenharia Eletrônica
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112719
Engenharia Eletrônica
No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112713
Engenharia Eletrônica
No circuito eletrônico acima, que mostra um amplificador a transistor, os potenciais quiescentes de polarizações VB e VC são iguais, respectivamente, a 8 V e 12 V, e Vcc é 16 V. O ganho AC do amplificador é igual a 100 e uma fonte de sinal com impedância de entrada muito mais baixa que a impedância de entrada do amplificador injeta, em vi , uma tensão senoidal com frequência na faixa adequada do amplificador e tensão de pico a pico igual a 20 mV.
Considerando que, nesse circuito, o transistor esteja corretamente polarizado na região ativa, que as distorções do sinal amplificado sejam desprezíveis e que os capacitores têm valores de capacitância tal que, para as frequências dos sinais amplificados, eles funcionem como curto-circuito, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82765
Engenharia Eletrônica
São circuitos integrados lineares comerciais usados na função de regulador de tensão:
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82739
Engenharia Eletrônica
Tensão mínima de saída em nível alto de uma porta lógica TTL. Nos manuais de fabricantes de circuitos integrados, essa especificação é simbolizada por
Q74995
Engenharia Eletrônica
O dispositivo semicondutor baseado no transistor bipolar, mas que não é acionado por corrente de base e sim por tensão, como no transistor de efeito de campo, e que pode operar em alta frequência com altas correntes é o
Q74992
Engenharia Eletrônica
O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na configuração emissor comum é
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2010 - DPE-SP - Engenheiro Elétrico - Agente de Defensoria |
Q73173
Engenharia Eletrônica
Uma saída TTL deve acionar um motor DC em nível alto por meio do circuito abaixo:
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
Q64208
Engenharia Eletrônica
"Tensão máxima de entrada que uma porta lógica entende como nível lógico baixo."
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Q64195
Engenharia Eletrônica
É um dispositivo optoeletrônico:
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 4ª REGIÃO (RS)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 4ª REGIÃO (RS) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q73625
Engenharia Eletrônica
O esquema abaixo representa um circuito digital de controle, família TTL, que deve acionar uma carga CA por meio de uma interface de potência.
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
Q70248
Engenharia Eletrônica
Qual é a tensão de saída 
do circuito mostrado?
do circuito mostrado?
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 3ª Região (MG)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23739
Engenharia Eletrônica
Os limites de tensão de uma saída digital TTL para os níveis baixo e alto são especificações simbolizadas, respectivamente, por
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 3ª Região (MG)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23731
Engenharia Eletrônica
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
Ano: 2009
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19547
Engenharia Eletrônica
Texto associado
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.
Ano: 2009
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19546
Engenharia Eletrônica
Texto associado
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364667
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Na configuração de regulador chaveado esquematicamente apresentado na figura abaixo, se o sinal S é tal que o transistor fica saturado durante 80% do ciclo de chaveamento, então a tensão média sobre a carga R vale aproximadamente 5 Vi , desprezando-se elementos parasitas.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364665
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
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