Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

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Q23739
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23739 Engenharia Eletrônica
Os limites de tensão de uma saída digital TTL para os níveis baixo e alto são especificações simbolizadas, respectivamente, por
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Q23731
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23731 Engenharia Eletrônica
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
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Q19547
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19547 Engenharia Eletrônica
Imagem 038.jpg
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.
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Q19546
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q19546 Engenharia Eletrônica
Imagem 038.jpg
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.
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Q364667
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364667 Engenharia Eletrônica
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.

Na configuração de regulador chaveado esquematicamente apresentado na figura abaixo, se o sinal S é tal que o transistor fica saturado durante 80% do ciclo de chaveamento, então a tensão média sobre a carga R vale aproximadamente 5 Vi , desprezando-se elementos parasitas.

imagem-005.jpg

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Q364665
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364665 Engenharia Eletrônica
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.

Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
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Q364648
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
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Q364647
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
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Q364646
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364646 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.
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Q364645
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
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Q364644
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
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Q364643
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
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Q161885
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161885 Engenharia Eletrônica
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.
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Q161884
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161884 Engenharia Eletrônica
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.
Alternativas
Q161883
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161883 Engenharia Eletrônica
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Um transistor JFET é inadequado para ser usado em estágios de amplificador, pois o mesmo, quando polarizado, funciona como resistor controlado por tensão
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Q161882
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161882 Engenharia Eletrônica
Imagem 014.jpg

Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
O transistor usado no circuito é do tipo bipolar.
Alternativas
Q161881
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161881 Engenharia Eletrônica
Imagem 014.jpg

Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
A corrente Ie que circula no circuito é igual a Imagem 015.jpg
Alternativas
Q161880
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161880 Engenharia Eletrônica
Imagem 014.jpg

Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
O circuito pode ser polarizado de modo a funcionar como fonte de corrente.
Alternativas
Q161846
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161846 Engenharia Eletrônica
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.

Imagem 006.jpg

Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
O transistor utilizado nos dois circuitos são do tipo transistor de efeito de campo de junção JFET (junction field effect transistor).
Alternativas
Q161845
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161845 Engenharia Eletrônica
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.

Imagem 006.jpg

Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
No circuito II, o transistor encontra-se desligado, porque a tensão VB somada com VS resulta em tensão nula.
Alternativas
Respostas
321: C
322: D
323: E
324: E
325: C
326: E
327: E
328: E
329: C
330: E
331: E
332: E
333: C
334: C
335: E
336: C
337: E
338: C
339: E
340: E
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