Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 365 questões
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364665
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364646
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161885
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161884
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161883
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Um transistor JFET é inadequado para ser usado em estágios de amplificador, pois o mesmo, quando polarizado, funciona como resistor controlado por tensão
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161882
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
O transistor usado no circuito é do tipo bipolar.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161881
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
A corrente Ie que circula no circuito é igual a 
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161880
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
O circuito pode ser polarizado de modo a funcionar como fonte de corrente.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161846
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
O transistor utilizado nos dois circuitos são do tipo transistor de efeito de campo de junção JFET (junction field effect transistor).
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161845
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
No circuito II, o transistor encontra-se desligado, porque a tensão VB somada com VS resulta em tensão nula.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161844
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Comparando as duas configurações, a dissipação de potência no transistor é maior no circuito I.
Ano: 2007
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q2251370
Engenharia Eletrônica
Considere um dispositivo com as seguintes características:
Trata-se de um
Ano: 2007
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TSE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2007 - TSE - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q2219726
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Texto para a questão
A. Ahmed. Eletrônica de potência. Pearson Prentice Hall, 2006, p. 189 (com adaptações).
Considere que o circuito mostrado na figura I acima seja
alimentado pela forma de onda senoidal vs(t), mostrada na
figura II, e que o elemento SCR desse circuito tenha ângulo de
disparo igual a α.
A respeito do funcionamento do circuito apresentado no texto e
de seus elementos, assinale a opção correta.
Q57303
Engenharia Eletrônica
A interface de potência abaixo deve ser utilizada para acionar um motor DC de 12 V/200 mA por meio de uma tensão de entrada 
= 5 V.
São dadas as especificações do transistor e do diodo:
Transistor:
= 1 A
= 45 V
= 50
= 0,7 V
= 0,2 V
Diodo:
= 1 A
= 400 V
O valor nominal do resistor
que atende às especificações do projeto é
= 5 V.São dadas as especificações do transistor e do diodo:
Transistor:
= 1 A= 45 V= 50= 0,7 V= 0,2 VDiodo:
= 1 A = 400 VO valor nominal do resistor
que atende às especificações do projeto é
Q57298
Engenharia Eletrônica
Um manual fornece os seguintes parâmetros de um circuito integrado digital TTL:
Considere as afirmações abaixo.
I. O circuito integrado entende como nível lógico "1" em sua entrada uma tensão entre 2,0 e 5,0 V.
II. O circuito integrado entende como nível lógico "0" em sua entrada uma tensão entre 0,8 e 2,0 V.
III. O circuito integrado fornece como nível lógico "1" em sua saída uma tensão entre 0,4 V e 2,4 V.
IV. O circuito integrado fornece como nível lógico "0" em sua saída uma tensão entre zero e 0,4 V
Esta correto o que se afirma SOMENTE em
Considere as afirmações abaixo.
I. O circuito integrado entende como nível lógico "1" em sua entrada uma tensão entre 2,0 e 5,0 V.
II. O circuito integrado entende como nível lógico "0" em sua entrada uma tensão entre 0,8 e 2,0 V.
III. O circuito integrado fornece como nível lógico "1" em sua saída uma tensão entre 0,4 V e 2,4 V.
IV. O circuito integrado fornece como nível lógico "0" em sua saída uma tensão entre zero e 0,4 V
Esta correto o que se afirma SOMENTE em
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