Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 359 questões
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397788
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura I, o ganho de tensão da entrada para a saída é igual a 10.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397787
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura III, como o transistor está operando na região ativa, ambas as junções base-emissor e coletor-base estão polarizadas diretamente.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397786
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
O amplificador ilustrado na figura III está na configuração coletor comum e possui ganho unitário.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397785
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura II, se um capacitor com capacitância de 100 nF for adicionado em paralelo com o resistor de resistência 10 kΩ, então o circuito terá uma resposta em frequência do tipo passa-baixa, cuja frequência de corte é superior a 10 Hz.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397784
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura II, a razão entre a tensão de saída e a de entrada é igual a -10.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397783
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
A impedância de saída do amplificador realimentado mostrado na figura I é igual a 10 kΩ.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STF
Prova:
CESPE - 2013 - STF - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q397782
Engenharia Eletrônica
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura I, a impedância de entrada vista pela fonte de tensão vi(t) é igual a 5 kΩ.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331309
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A partir das informações apresentadas, é correto afirmar que V5 < 5 V para a = 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331308
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura abaixo apresenta corretamente a forma de onda das tensões V1 e V2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331307
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
As informações apresentadas permitem afirmar que V5 é aproximadamente nulo para a = 0,002.
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319773
Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra um amplificador diferencial com resistores de base com valores de 30k?, e os transistores são idênticos com ßcc = 100 e queda de 0,7V em relação base ao emissor. Incluindo o efeito das resistências de base, a tensão de saída é, aproximadamente,
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314066
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314065
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314064
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314058
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314057
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
PEFOCE
Prova:
CESPE - 2012 - PEFOCE - Perito Criminal - Engenharia Elétrica |
Q805084
Engenharia Eletrônica
Famílias de circuitos lógicos têm características próprias quanto a complexidade de implementação, consumo de potência, frequência de operação, margem de ruído. Alguns desses tipos de famílias já se tornaram obsoletos ou passaram por evoluções e aperfeiçoamento. Com relação a esse assunto, julgue o próximo item.
Os transistores de efeito de campo do tipo depleção possuem um canal formado, mesmo com tensão porta-fonte, Vpf, nula. Contudo, se o valor dessa tensão for variado, é possível variar a resistência desse canal e, consequentemente, a corrente elétrica dreno-fonte, Idf.
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Innova
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Innova - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica |
Q500672
Engenharia Eletrônica
O circuito eletrônico mostrado na Figura acima está polarizado com todos os componentes calculados para funcionar de acordo com a reta de carga traçada sobre a curva característica do transistor bipolar NPN.
Considerando I c = 6 mA e com base no circuito e no Gráfico da reta de carga, o valor, em Ω, do resistor RE é
Ano: 2012
Banca:
FMP Concursos
Órgão:
PROCEMPA
Prova:
FMP Concursos - 2012 - PROCEMPA - Engenheiro |
Q443615
Engenharia Eletrônica
Com relação aos materiais eletrônicos abaixo listados, analise as afirmativas abaixo.
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica-2012 |
Q431703
Engenharia Eletrônica
Quando um transistor de junção bipolar está polarizado na região de saturação, tem-se que o(a)
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