Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 350 questões
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569018
Engenharia Eletrônica
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569017
Engenharia Eletrônica
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569014
Engenharia Eletrônica
No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.
O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Q538784
Engenharia Eletrônica
O IGBT é um
Ano: 2010
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
PETROQUÍMICA SUAPE
Prova:
CESGRANRIO - 2010 - PETROQUÍMICA SUAPE - Engenheiro de Equipamento Pleno - Eletricidade |
Q185124
Engenharia Eletrônica
O circuito eletrônico da figura acima mostra um transistor NPN polarizado e operando na região ativa. O transistor tem, nessas condições, um ß = 100 e VBE = 0,6 V. O valor aproximado da corrente de coletor IC, em mA, é
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184708
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Em condições estáticas, isto é, sem chaveamento dos níveis de entrada, a máxima dissipação de potência ocorre quando ambas as entradas estiverem fixadas em 5 V.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184707
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito desempenha a função de porta NAND (complemento da porta lógica E) de duas entradas.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184706
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Enquanto ambas as entradas 
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112741
Engenharia Eletrônica
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112719
Engenharia Eletrônica
No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112713
Engenharia Eletrônica
No circuito eletrônico acima, que mostra um amplificador a transistor, os potenciais quiescentes de polarizações VB e VC são iguais, respectivamente, a 8 V e 12 V, e Vcc é 16 V. O ganho AC do amplificador é igual a 100 e uma fonte de sinal com impedância de entrada muito mais baixa que a impedância de entrada do amplificador injeta, em vi , uma tensão senoidal com frequência na faixa adequada do amplificador e tensão de pico a pico igual a 20 mV.
Considerando que, nesse circuito, o transistor esteja corretamente polarizado na região ativa, que as distorções do sinal amplificado sejam desprezíveis e que os capacitores têm valores de capacitância tal que, para as frequências dos sinais amplificados, eles funcionem como curto-circuito, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82765
Engenharia Eletrônica
São circuitos integrados lineares comerciais usados na função de regulador de tensão:
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82739
Engenharia Eletrônica
Tensão mínima de saída em nível alto de uma porta lógica TTL. Nos manuais de fabricantes de circuitos integrados, essa especificação é simbolizada por
Q74995
Engenharia Eletrônica
O dispositivo semicondutor baseado no transistor bipolar, mas que não é acionado por corrente de base e sim por tensão, como no transistor de efeito de campo, e que pode operar em alta frequência com altas correntes é o
Q74992
Engenharia Eletrônica
O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na configuração emissor comum é
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2010 - DPE-SP - Engenheiro Elétrico - Agente de Defensoria |
Q73173
Engenharia Eletrônica
Uma saída TTL deve acionar um motor DC em nível alto por meio do circuito abaixo:
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
O valor comercial do resistor R que melhor satisfaz as condições do circuito é de
Q64208
Engenharia Eletrônica
"Tensão máxima de entrada que uma porta lógica entende como nível lógico baixo."
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Nos manuais de circuitos integrados TTL essa especificação é representada por
Q64195
Engenharia Eletrônica
É um dispositivo optoeletrônico:
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 4ª REGIÃO (RS)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 4ª REGIÃO (RS) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q73625
Engenharia Eletrônica
O esquema abaixo representa um circuito digital de controle, família TTL, que deve acionar uma carga CA por meio de uma interface de potência.
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
O resistor RB mais adequado para a operação da interface de potência é
Q70248
Engenharia Eletrônica
Qual é a tensão de saída 
do circuito mostrado?
do circuito mostrado?
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