Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de cam...

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Q275753

Ano: 2012 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TJ-RO Prova: CESPE - 2012 - TJ-RO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |

Q275753 Engenharia Eletrônica

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.

Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.

Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.

Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.

Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.

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