Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

Question

A

Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.

B

Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.

C

Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.

D

Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.

E

Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.

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Giuliani Garbi · Accepted Answer

Alternativa [D] Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N. Esta questão apresenta uma grande fragilidade, pois:

Se o transistor for do tipo depleção, a corrente de dreno ID é fornecida pela equação não linear de Shockley.

Se o transistor for do tipo intensificação (enriquecimento), a corrente de dreno ID é fornecida pela equação linear da constante K da construção do dispositivo.

Analisando as respostas, a única alternativa que atendem os dois tipos de MOSFET canal N é o item (d)

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