Questões de Concurso
Para mpu
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Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475246
Noções de Informática
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
Em alguns casos, é possível substituir a memória ROM, que não permite apagamento e de conteúdo, por uma PROM, na qual o conteúdo pode ser apagado por meio de exposição do circuito integrado à luz ultravioleta.
Em alguns casos, é possível substituir a memória ROM, que não permite apagamento e de conteúdo, por uma PROM, na qual o conteúdo pode ser apagado por meio de exposição do circuito integrado à luz ultravioleta.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475245
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
Para endereçar todos os endereços de memória RAM, será necessário utilizar pelo menos 10 linhas de endereço, além das linhas de controle de leitura e escrita.
Para endereçar todos os endereços de memória RAM, será necessário utilizar pelo menos 10 linhas de endereço, além das linhas de controle de leitura e escrita.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475244
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
Caso a memória RAM seja dinâmica, não será necessário incluir, na implementação do computador, circuitos que propiciem sinais de refresh.
Caso a memória RAM seja dinâmica, não será necessário incluir, na implementação do computador, circuitos que propiciem sinais de refresh.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475243
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
A parte volátil da memória possui tamanho maior do que a parte não volátil.
A parte volátil da memória possui tamanho maior do que a parte não volátil.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475242
Arquitetura de Computadores
Suponha que um microcomputador tenha sido construído com um microprocessador com 16 linhas de endereço e 8 linhas de dados. Considerando que a memória ROM ocupa os endereços entre 0000 e 01FF, representados em base hexadecimal, que a memória RAM ocupa os endereços entre 0200 e 7FFF, também representados em base hexadecimal, e que cada endereço possui 8 bits, julgue o item que se segue.
O tamanho total da memória, incluindo ROM e RAM, é superior a 30.000 bytes.
O tamanho total da memória, incluindo ROM e RAM, é superior a 30.000 bytes.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475240
Engenharia Elétrica
Em relação às características dos campos eletrostáticos e magnetostáticos, julgue o próximo item.
Se o circuito ilustrado a seguir estiver operando em regime permanente, a energia potencial armazenada no campo elétrico do capacitor e a quantidade de carga acumulada em sua placa positiva corresponderão, respectivamente, a 72 μJ e 12 μC.
Se o circuito ilustrado a seguir estiver operando em regime permanente, a energia potencial armazenada no campo elétrico do capacitor e a quantidade de carga acumulada em sua placa positiva corresponderão, respectivamente, a 72 μJ e 12 μC.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475239
Engenharia Elétrica
Em relação às características dos campos eletrostáticos e magnetostáticos, julgue o próximo item.
Considere um fio condutor retilíneo e de comprimento infinito percorrido por uma corrente contínua de valor I que gera um campo magnetostático de intensidade H em um ponto do espaço situado a uma distância r perpendicular ao fio. Para que a intensidade do campo magnetostático permaneça igual a H a uma distância 2r perpendicular ao fio, o fio deverá ser alimentado com uma corrente de valor 4I.
Considere um fio condutor retilíneo e de comprimento infinito percorrido por uma corrente contínua de valor I que gera um campo magnetostático de intensidade H em um ponto do espaço situado a uma distância r perpendicular ao fio. Para que a intensidade do campo magnetostático permaneça igual a H a uma distância 2r perpendicular ao fio, o fio deverá ser alimentado com uma corrente de valor 4I.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475238
Engenharia Elétrica
Campos magnéticos e campos elétricos são campos de força, mas, diferentemente da força elétrica, a força magnética somente atua sobre cargas em movimento. A respeito das propriedades da força magnética, julgue o item subsecutivo.
Considere uma corrente de 3 A fluindo através de uma barra condutora reta de resistência 5 mΩ, resistividade 2×10-8 Ωm e área de seção transversal de 2 mm2 . Se a barra for submetida a um campo magnético de 3 T perpendicular ao seu comprimento, a intensidade da força magnética resultante desse campo e exercida sobre a barra será maior que 4 N.
Considere uma corrente de 3 A fluindo através de uma barra condutora reta de resistência 5 mΩ, resistividade 2×10-8 Ωm e área de seção transversal de 2 mm2 . Se a barra for submetida a um campo magnético de 3 T perpendicular ao seu comprimento, a intensidade da força magnética resultante desse campo e exercida sobre a barra será maior que 4 N.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475237
Engenharia Elétrica
Campos magnéticos e campos elétricos são campos de força, mas, diferentemente da força elétrica, a força magnética somente atua sobre cargas em movimento. A respeito das propriedades da força magnética, julgue o item subsecutivo.
Considere uma partícula pontual de carga elétrica negativa q sobre o plano do papel, conforme mostrado na figura abaixo. Caso essa partícula seja deslocada com uma velocidade retilínea e uniforme do ponto A ao ponto B ao longo do segmento linear que os une — também contido no plano do papel — e interaja com um campo magnético constante que penetra perpendicularmente o plano do papel de cima para baixo, a direção da força magnética exercida sobre a carga será perpendicular ao segmento linear e possuirá a orientação indicada pelo vetor F mostrado na figura.
Considere uma partícula pontual de carga elétrica negativa q sobre o plano do papel, conforme mostrado na figura abaixo. Caso essa partícula seja deslocada com uma velocidade retilínea e uniforme do ponto A ao ponto B ao longo do segmento linear que os une — também contido no plano do papel — e interaja com um campo magnético constante que penetra perpendicularmente o plano do papel de cima para baixo, a direção da força magnética exercida sobre a carga será perpendicular ao segmento linear e possuirá a orientação indicada pelo vetor F mostrado na figura.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475236
Engenharia Elétrica
Acerca das propriedades de campos elétricos em meios materiais, julgue o item .
Considere que dois meios dielétricos distintos compartilhem uma interface plana com densidade superficial de carga igual a ρs. Se os campos elétricos no interior desses dielétricos estiverem contidos em um plano normal à interface de separação e se as orientações dos campos e as respectivas permissividades elétricas ε1 e ε2 dos meios forem as indicadas na figura abaixo, a intensidade do campo elétrico no meio 2 — em função da densidade superficial de carga e da permissividade elétrica ε — será dada pela relação
Considere que dois meios dielétricos distintos compartilhem uma interface plana com densidade superficial de carga igual a ρs. Se os campos elétricos no interior desses dielétricos estiverem contidos em um plano normal à interface de separação e se as orientações dos campos e as respectivas permissividades elétricas ε1 e ε2 dos meios forem as indicadas na figura abaixo, a intensidade do campo elétrico no meio 2 — em função da densidade superficial de carga e da permissividade elétrica ε — será dada pela relação
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475235
Engenharia Elétrica
Acerca das propriedades de campos elétricos em meios materiais, julgue o item.
Considere dois fios condutores e retilíneos de mesmo comprimento, designados como fio 1 e fio 2. Considere, ainda, que o diâmetro do fio 1 seja o dobro do diâmetro do fio 2 e que a condutividade elétrica do fio 1 seja 30% inferior à do fio 2. Se ambos os fios forem submetidos ao mesmo campo elétrico de intensidade constante ao longo de seus comprimentos, a corrente elétrica que flui através do fio 1 será maior do que o dobro e menor do que o triplo da corrente que flui pelo fio 2.
Considere dois fios condutores e retilíneos de mesmo comprimento, designados como fio 1 e fio 2. Considere, ainda, que o diâmetro do fio 1 seja o dobro do diâmetro do fio 2 e que a condutividade elétrica do fio 1 seja 30% inferior à do fio 2. Se ambos os fios forem submetidos ao mesmo campo elétrico de intensidade constante ao longo de seus comprimentos, a corrente elétrica que flui através do fio 1 será maior do que o dobro e menor do que o triplo da corrente que flui pelo fio 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475234
Engenharia Elétrica
Ondas eletromagnéticas transversais (TEM) caracterizam-se por terem as componentes axiais do vetor campo elétrico e do vetor campo magnético nulas. Com relação às propriedades de guiagem de ondas TEM, julgue o próximo item.
Linhas de transmissão e guias metálicos ocos, como o guia retangular e o circular, são comumente utilizados na guiagem de ondas TEM.
Linhas de transmissão e guias metálicos ocos, como o guia retangular e o circular, são comumente utilizados na guiagem de ondas TEM.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475233
Engenharia Elétrica
A figura acima ilustra uma onda eletromagnética plana que se propaga do meio 1 para o meio 2. Considerando que o plano de propagação seja a folha de papel; que ambos os meios sejam homogêneos; que a interface de separação entre os meios seja perfeitamente plana; e que os ângulos de incidência (α) e de refração (β), contidos no plano de propagação, sejam medidos com relação a um plano normal que corta a interface de separação entre os meios, julgue o item que se segue.
Considere que o meio 1 seja um dielétrico perfeito semi-infinito; que o meio 2 seja um condutor perfeito semi-infinito; e que uma onda com polarização vertical incida com ângulo α igual a zero. Nessa situação, a intensidade do campo elétrico refletido e a do campo elétrico transmitido serão iguais e corresponderão a 50% da intensidade do campo elétrico incidente.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475232
Engenharia Elétrica
A figura acima ilustra uma onda eletromagnética plana que se propaga do meio 1 para o meio 2. Considerando que o plano de propagação seja a folha de papel; que ambos os meios sejam homogêneos; que a interface de separação entre os meios seja perfeitamente plana; e que os ângulos de incidência (α) e de refração (β), contidos no plano de propagação, sejam medidos com relação a um plano normal que corta a interface de separação entre os meios, julgue o item que se segue.
Se a impedância intrínseca do meio 1 for maior que a do meio 2, a onda refletida ou a onda refratada não serão necessariamente planas.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475231
Engenharia Elétrica
A figura acima ilustra uma onda eletromagnética plana que se propaga do meio 1 para o meio 2. Considerando que o plano de propagação seja a folha de papel; que ambos os meios sejam homogêneos; que a interface de separação entre os meios seja perfeitamente plana; e que os ângulos de incidência (α) e de refração (β), contidos no plano de propagação, sejam medidos com relação a um plano normal que corta a interface de separação entre os meios, julgue o item que se segue.
Considere que os meios 1 e 2 sejam dielétricos com a mesma permeabilidade magnética, que a permissividade elétrica do meio 1 seja 44% maior que a do meio 2 e que o ângulo de incidência seja de 30º. Nessa situação, o ângulo de refração β será inferior a 45º.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475230
Engenharia Elétrica
Considerando as tecnologias e os processos envolvidos na construção e na utilização de dispositivos e circuitos eletrônicos, julgue o item a seguir.
Um conversor CC-CC boost, cujo diagrama está mostrado na figura abaixo, é um elevador de tensão, caracterizado por entrada em corrente e saída em tensão.
Um conversor CC-CC boost, cujo diagrama está mostrado na figura abaixo, é um elevador de tensão, caracterizado por entrada em corrente e saída em tensão.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475229
Engenharia Eletrônica
Considerando as tecnologias e os processos envolvidos na construção e na utilização de dispositivos e circuitos eletrônicos, julgue o item a seguir.
As entradas PRESET e CLEAR de um flip-flop JK não podem assumir o valor zero simultaneamente. Já o flip-flop T é um JK que possui as entradas J e K curto-circuitadas.
As entradas PRESET e CLEAR de um flip-flop JK não podem assumir o valor zero simultaneamente. Já o flip-flop T é um JK que possui as entradas J e K curto-circuitadas.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475228
Engenharia Eletrônica
Considerando as tecnologias e os processos envolvidos na construção e na utilização de dispositivos e circuitos eletrônicos, julgue o item a seguir.
A resolução de um conversor D/A é a maior alteração que pode ocorrer na saída analógica como resultado de uma mudança na entrada digital, ou seja, a alteração corresponde à saída de fundo de escala.
A resolução de um conversor D/A é a maior alteração que pode ocorrer na saída analógica como resultado de uma mudança na entrada digital, ou seja, a alteração corresponde à saída de fundo de escala.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475227
Engenharia Eletrônica
Considerando as tecnologias e os processos envolvidos na construção e na utilização de dispositivos e circuitos eletrônicos, julgue o item a seguir.
O produto velocidade-potência de uma porta lógica, obtido pela multiplicação do atraso de propagação pela potência dissipada, é utilizado para comparar o desempenho entre famílias de circuitos integrados.
O produto velocidade-potência de uma porta lógica, obtido pela multiplicação do atraso de propagação pela potência dissipada, é utilizado para comparar o desempenho entre famílias de circuitos integrados.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MPU
Prova:
CESPE - 2013 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q475226
Engenharia Elétrica
Considere que um engenheiro eletricista devidamente credenciado tenha projetado as instalações elétricas de um edifício novo. O engenheiro foi o responsável técnico pelos projetos de alimentação das bombas de água, grupo gerador, subestação, iluminação, proteção contra descargas atmosféricas e tomadas. Contudo, verificou-se que os disjuntores de alguns aparelhos de ar condicionado, localizados distantes dos quadros de distribuição, desarmaram durante os testes de funcionamento. A solução adotada pelo engenheiro foi trocar os disjuntores por equipamentos de maior capacidade. Com base nessa situação e nas normas de instalações elétricas em baixa tensão, acionamentos elétricos e segurança em instalações elétricas, julgue o próximo item.
Se a linha elétrica de energia que chega à edificação inclui o condutor neutro e não há aterramento do neutro no barramento de equipotencialização principal, há, segundo a norma, dois esquemas de conexão possíveis para os dispositivos de proteção contra surtos instalados no ponto de entrada ou no quadro de distribuição principal. Contudo, em certas situações, somente um deles pode ser utilizado.
Se a linha elétrica de energia que chega à edificação inclui o condutor neutro e não há aterramento do neutro no barramento de equipotencialização principal, há, segundo a norma, dois esquemas de conexão possíveis para os dispositivos de proteção contra surtos instalados no ponto de entrada ou no quadro de distribuição principal. Contudo, em certas situações, somente um deles pode ser utilizado.
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