Há diversos sistemas de medição e controle elétricos e eletrônicos. A respeito desses sistemas e dos conceitos teóricos a eles relacionados, julgue o item subsequente.

Considerando-se um valor padrão de resistência de 1,000 Ω, se um instrumento A obtém como medida 1,010 Ω e um instrumento B, 1,100 Ω, então A é mais exato que B.

Há diversos sistemas de medição e controle elétricos e eletrônicos. A respeito desses sistemas e dos conceitos teóricos a eles relacionados, julgue o item subsequente.
Aferição é um procedimento de caráter ativo, pois determina o erro do valor lido por um instrumento em relação ao valor padrão, corrigindo-o.

Em relação aos sistemas digitais, julgue o próximo item.

Os flip-flop síncronos somente respondem às mudanças de entrada quando são simultâneas ao pulso de controle.

Em relação aos sistemas digitais, julgue o próximo item.

Nos contadores assíncronos, apesar da designação que recebem, as transições dos flip-flops são simultâneas.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.

O circuito corresponde a um amplificador na configuração emissor comum.

Caso o capacitor C₃ seja retirado do circuito, ocorrerá uma mudança nas correntes de polarização do transistor, acompanhada de um aumento no ganho de tensão do circuito.

Caso ocorra um aumento de 5% no valor de R_C, sem que haja grande mudança na polarização do circuito ou no parâmetro h¬_fe, ocorrerá, em consequência, uma diminuição no ganho de tensão do amplificar.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga R_L é menor do que 12 volts.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

Caso a resistência de carga seja reduzida de 100 ohms para 50 ohms, a tensão de ondulação na tensão de saída irá se reduzir à metade.

O circuito mostrado pode funcionar como um filtro passa baixa, com frequência de corte, em Hz, dada por .

A função de transferência H(s)=V_o(s)/V_i(s), no domínio da transformada de Laplace, é representada pela expressão a seguir, em que R é um resistor e C um capacitor.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

Nesse circuito, a lei de Kirchoff aplicada na malha mais à esquerda, na qual passa a corrente I₁, e que contêm a fonte E₁ e os resistores R₁ e R₂, é a seguinte: E₁ + R₁I₁ + R₂(I₁+I₂) = 0.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

A corrente I₂ é igual a 0,5 mA.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

O modelo de Norton equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R₄ e da fonte E₂, é formado por uma fonte de corrente equivalente de Norton com corrente de 1,2 mA em paralelo com uma resistência equivalente de Norton de 4 kΩ.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

O modelo de Thévenin equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R₄ e da fonte E₂, é formado por uma fonte equivalente de Thévenin com tensão de 5 V em série com uma resistência equivalente de Thévenin de 4 kΩ.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.