Questões de Concurso Público IF-RN 2017 para Professor - Equipamentos Biomédicos
Foram encontradas 40 questões
Para responder às questões, quando necessário, considere:
A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP= - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP= 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC= - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC= 1,31 x 10-9 A.
A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Analise a figura abaixo que representa um circuito de polarização DC do amplificador fonte comum (FC), com tensão entre a porta e a fonte (VGS) igual a 2,39 V e transistor de efeito de campo (FET) com as seguintes características: tensão de limiar de condução Vth= 1,2 V, parâmetros de processo K𝑛` =0,7 𝑚𝐴 /𝑉2 e = 0,004 V-1.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para a condição de polarização estabelecida, os respectivos valores da transcondutância (gm) e do resistor de saída para pequenos sinais do FET são
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.
Fonte: FUNCERN, 2017.
O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter (hFE) na faixa de 15 a 75.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3= 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,
Com a publicação da Lei n. 11.892/2008, a Rede Federal de Educação Profissional, Científica e Tecnológica adquiriu uma nova institucionalidade, passando a articular educação básica, superior e profissional, de forma pluricurricular e multicampi. Como Instituição integrante dessa Rede, o Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte-IFRN vem ampliando as suas ofertas pelos diversos campi, contemplando modalidades e ofertas distintas.
Considerando essa abrangência e as normatizações estabelecidas no Projeto Político-Pedagógico da Instituição, todas as ofertas do IFRN devem organizar-se por meio de
Em sua dimensão pedagógica, o Projeto Político-Pedagógico ̶ PPP do IFRN prevê princípios e diretrizes norteadores de ações pedagógicas a serem desenvolvidas em sintonia com a pedagogia crítica.
Ancorando-se nesse documento institucional, são princípios orientadores da prática pedagógica do IFRN
A organização curricular dos cursos técnicos de nível médio no IFRN tanto se ancora em bases filosóficas, epistemológicas, metodológicas, socioculturais e legais como se orienta em concepções de sociedade, trabalho, cultura, educação, ciência e tecnologia e ser humano. Essa orientação expressa-se nos fundamentos e nos princípios do currículo integrado assumido pelo Projeto Político-Pedagógico Institucional.
Guiando-se por esse referencial, uma organização curricular situada sob tais bases deve reger-se, dentre outros, pelos seguintes princípios:
No Brasil, a Educação Profissional e a Educação de Jovens e Adultos ̶ EJA, duas das modalidades de ensino previstas na Lei de Diretrizes e Bases da Educação Nacional ̶ LDB (Lei n. 9.394/1996), passaram a ocupar maior espaço nas agendas da política educacional a partir dos anos de 1990.
Nesse contexto, há um Programa considerado pioneiro, instituído por decreto do Governo Federal em 2005 e redimensionado em 2006. Apresenta como uma das finalidades a elevação da escolaridade dos brasileiros e concebe a escola como locus integrante e atuante nas dinâmicas sociais. Trata-se do Programa
De acordo com a Lei 11.741/2008, a educação profissional técnica de nível médio deve ser desenvolvida em duas formas: articulada com o ensino médio e subsequente.
Essa última forma objetiva ofertar cursos destinados aos estudantes que tenham concluído
Essa teoria postula que a aprendizagem ocorre quando novas ideias ou informações se relacionam com conceitos relevantes e disponíveis na estrutura cognitiva do estudante predisposto a aprender. Orienta que o conteúdo a ser trabalhado em sala de aula deve ser flexível em relação à experiência de vida do estudante. Trata-se, ainda, de uma teoria que defende a valorização dos conhecimentos prévios necessários à construção das estruturas mentais, permitindo ao estudante (re)construir conhecimentos de natureza diversa.
Trata-se da teoria da aprendizagem
De acordo com o Projeto Político-Pedagógico ̶ PPP do IFRN, uma proposta educativa que vise articular educação profissional e tecnológica, educação básica e educação de jovens e adultos na perspectiva do currículo integrado deve fundamentar-se, teórico-metodologicamente, nos princípios da politecnia, da formação omnilateral, da interdisciplinaridade e da contextualização.
Uma ação educativa pautada por princípios dessa natureza pressupõe um perfil esperado de discentes que abarque, dentre outros, o seguinte aspecto:
Os procedimentos pedagógicos para a Educação de Jovens e Adultos ̶ EJA singularizam-se em função da natureza específica do público a que se destinam. Em respeito às especificidades dessa modalidade de ensino, faz-se necessário traçar diretrizes e indicadores metodológicos a fim de auxiliar os estudantes jovens e adultos em suas construções cognitivas.
Nessa direção, o processo ensino-aprendizagem para os estudantes de cursos vinculados à modalidade EJA no IFRN pressupõe, dentre outras, a seguinte orientação:
Conheça nossos planos