Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 10¹⁶ cm-³ e concentração de dopantes doadores ND= 10¹⁵ cm-³.

Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco n_i= 10¹⁰ cm-³ e constante dielétrica do semicondutor _s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,