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O MOSFET opera como amplificador na região de saturação. Nessa região, a corrente de dreno (Id) é controlada pela tensão de gate (Vgs), funcionando como uma fonte de corrente controlada, ideal para amplificar sinais. Para ser usado como chave, ele opera nas regiões de corte (desligada) e tríodo (ligada, com baixa resistência).

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Vou colocar o que uma IA disse:

A) Correto.

O MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), quando usado como amplificador, deve operar na região de saturação (ou ativa).

Nessa região, a corrente de dreno ID​ depende fortemente da tensão de gate e varia pouco com a tensão de dreno, permitindo ganho de tensão — exatamente o comportamento desejado para amplificação.

B) Na região de tríodo (ou ôhmica), o MOSFET se comporta como um resistor controlado por tensão, não como capacitor.

O capacitor controlado por tensão está mais relacionado à estrutura de gate (Cgs, Cgd), mas não à região de tríodo.

C) Cuidado! Essa afirmação é verdadeira para o transistor bipolar (BJT), mas não para o MOSFET.

O MOSFET como chave opera entre:

• Corte (OFF): VGS​<Vth​
• Região ôhmica/tríodo (ON): VGS​>Vth​ e VDS​ pequeno
• Ou seja, ele não opera em saturação quando está totalmente ligado.

D) O MOSFET é controlado por tensão, não por corrente.

A corrente de gate é praticamente nula (exceto por pequenas correntes de fuga), então essa afirmação é incorreta.

E) Quando o gate não está polarizado (VGS​=0), o MOSFET está em corte, não conduz, e portanto apresenta alta resistência entre dreno e fonte.