O transistor do circuito acima tem tensão de condução base-emissor V_be=0,7V e ganho de corrente β = 100. Nessas condições, as correntes de base e de coletor e a tensão de coletor valem, respectivamente,

Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:

I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.

II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.

III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.

IV. Aumentando-se V_CB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.

A seqüência correta é:

É utilizado em eletrônica de potência um elemento que apresenta três terminais e é útil para o controle de potência CA. Tal componente é capaz de conduzir corrente em ambas as direções, direta e inversa, podendo ser controlado por um sinal na porta, de polaridade positiva ou negativa. Essa descrição refere-se ao 

Considere a figura abaixo.

Dados: β=100; R_C=3kΩ; R_L=2kΩ; R_B=10kΩ; r_i =1kΩ

A figura mostra o circuito correspondente ao modelo para sinais de um estágio transistorizado. De acordo com os valores fornecidos para os componentes, o ganho de tensão 

A_v = V_o/V_i desse circuito é

Com relação a transistores de efeito de campo é correto afirmar que

I. O seguidor de fonte proporciona um ganho de tensão menor do que a unidade, mas sua característica de resistência de saída é baixa.

II. O ganho de tensão do amplificador CMOS básico é aproximadamente de (gmro/2).

III. A porta de transmissão CMOS é amplamente usada no chaveamento de sinais analógicos.

Qual(is) está (ão) correta(s)?