Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
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Durante a operação desse amplificador, a máxima potência eficaz RMS, em watts, que pode ser transferida para a carga é
O circuito mostrado na Figura, entretanto, pode não satisfazer às especificações do projeto, dependendo do ganho de corrente β do transistor. Dessa forma, ao selecionar um transistor Q1 para a construção do circuito, deve-se garantir que o seu ganho β seja, no mínimo, igual a
Sabendo-se que os resistores valem RE = 1,5kΩ e RC = 5kΩ, e que a fonte VCC de alimentação vale 18V, o valor da tensão de operação [ VCE ] do transistor, em volts, é de
Os símbolos apresentados são, respectivamente,
É um dispositivo controlado por corrente e requer corrente de base para que flua corrente no coletor. Como a corrente de coletor é dependente da de entrada (base), o ganho de corrente é altamente dependente da temperatura da junção. A descrição está associada
As principais características dos amplificadores operacionais são
Considerando que o transistor Q1 apresenta VEB = 0,7 V e ß = 150 para as condições de operação desse circuito, o gráfico com a forma de onda da tensão VO é
A Figura 1 mostra um circuito que utiliza um fototransistor de área sensível igual a 20 mm2 . A Figura 2 mostra a curva da corrente de base em função da densidade de fluxo irradiado desse fototransistor, aproximada por uma reta. Se o fototransistor for irradiado com 2 mW de potência, sua tensão
, em Volts, será igual a
Dado que o transistor tem ganho de corrente β=100, os valores aproximados das impedâncias de entrada e saída e do ganho de tensão do circuito acima são, respectivamente,
O transistor do circuito acima tem tensão de condução base-emissor Vbe=0,7V e ganho de corrente β = 100. Nessas condições, as correntes de base e de coletor e a tensão de coletor valem, respectivamente,
Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:
I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.
II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.
III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.
IV. Aumentando-se VCB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.
A seqüência correta é:
Considere a figura abaixo.
Dados: β=100; RC=3kΩ; RL=2kΩ; RB=10kΩ; ri =1kΩ
A figura mostra o circuito correspondente ao modelo para sinais de um estágio transistorizado. De acordo com os valores fornecidos para os componentes, o ganho de tensão
Av = Vo/Vi desse circuito é
Com relação a transistores de efeito de campo é correto afirmar que
I. O seguidor de fonte proporciona um ganho de tensão menor do que a unidade, mas sua característica de resistência de saída é baixa.
II. O ganho de tensão do amplificador CMOS básico é aproximadamente de (gmro/2).
III. A porta de transmissão CMOS é amplamente usada no chaveamento de sinais analógicos.
Qual(is) está (ão) correta(s)?
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