Preencha corretamente as lacunas do texto a seguir quanto às características do dispositivo semicondutor descrito.

Transistor ____________ é um dispositivo semicondutor controlado por ____________ que apresenta ____________ impedância de entrada. Além disso, esse dispositivo apresenta alta capacidade de corrente e baixa corrente de saturação.

A sequência que preenche corretamente as lacunas é

A figura a seguir ilustra um amplificador transistorizado com carga ativa.  

Determine o ganho do amplificador.  

O transistor bipolar de junção é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado na construção de dispositivos eletrônicos. Avalie as afirmações sobre o funcionamento de um Transistor Bipolar de Junção (TBJ).

I - Na região ativa de um amplificador emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.

II - O parâmetro β de um transistor TBJ aumenta com a diminuição da temperatura.

III - O teorema da superposição é aplicável à análise e ao projeto das componentes CC e CA de um circuito TBJ, permitindo a separação da análise das respostas CC e CA do sistema.

IV - O ganho de tensão com carga de um amplificador emissor-comum é menor do que o ganho de tensão sem carga.

Está correto apenas o que se afirmar em  

O dispositivo a seguir foi utilizado para amplificar um sinal elétrico em um processo de condicionamento de sinais. O dispositivo MOS tem uma admitância de transferência de 4,5 mA/V.





Se a resistência de carga é igual a 5k Ohms, o ganho de estágio será de, aproximadamente:

A figura abaixo (extraída de https://www.electronica-pt.com/fontes-alimentacao) apresenta o diagrama eletrônico de uma fonte AC/DC. Em relação a este diagrama, assinale a alternativa INCORRETA com relação à descrição do componente. 

                

Considere as afirmativas:

I. Após ser desconectado de uma fonte de tensão, o capacitor continua carregado.

II. Uma das operações para o transistor bipolar é operar como uma chave controlada.

III. Um transistor pode operar como uma fonte de corrente e como amplificador.

Assinale a alternativa correta:

A figura a seguir mostra um circuito amplificador com transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração coletor comum.

Na configuração mostrada, a tensão de saída tem

A figura a seguir mostra a curva característica de um transistor bipolar de junção do tipo NPN, destacando quatro regiões: 1, 2, 3 e 4.

Na figura mostrada, o transistor comporta-se como chave fechada na região

Observe o circuito ilustrado a seguir:

O circuito acima apresenta um transistor de ganho elevado, polarizado em emissor comum. Considerando que esse transistor está conduzindo corrente e que a queda de tensão entre a base e o emissor é de 0,7 V, é CORRETO afirmar:

Analise o circuito a seguir, utilizando o teorema de Thevenin.

No ponto J1, a tensão e a resistência de Thevenin são, respectivamente, iguais a:

Um transistor de junção bipolar (TJB) pode ser polarizado para operar em três regiões. Em aplicações de chaveamento, um estado da chave corresponde à operação do TJB em uma região e no outro estado o TJB opera em outra região. As regiões em que deve operar o TJB para ser usado nesse tipo de aplicação são

No circuito abaixo, determine a tensão nos terminais do resistor RC. Considere a tensão coletor-emissor igual a 0,7 V.

Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas: ( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são usados em aplicações envolvendo altas frequências. ( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio. ( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor. ( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas frequências quando comparados com os transistores bipolares. ( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução. Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.

Sobre o transistor bipolar da figura ao lado, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas: ( ) A configuração apresentada é conhecida como base comum. ( ) O transistor encontra-se na zona ativa. ( ) O transistor encontra-se na zona de saturação. ( ) A configuração apresentada é conhecida como emissor comum. ( ) A corrente de coletor é igual a 10 mA.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.

Considere os seguintes semicondutores: 1. JFET Canal N. 2. Transistor NPN. 3. FET Canal N. 4. MOSFET Canal N. 5. Transistor PNP. 6. MOSFET Canal P. Com relação às simbologias adotadas em desenhos eletrônicos analógicos, numere os parênteses, relacionando as figuras com os respectivos semicondutores.
Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta dos parênteses, da esquerda para a direita.