Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 105 questões
Ano: 2014
Banca:
COSEAC
Órgão:
UFF
Prova:
COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q507401
Eletrônica
Os transistores de germânio são ativados quando a tensão VBE se iguala ao valor , em mV, de:
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Projetos, Construção e Montagem Júnior - Eletrônica |
Q460541
Eletrônica
Os dispositivos eletrônicos possuem símbolos que são representados nos esquemas de aparelhos que usam esses componentes em seu projeto. A Figura abaixo mostra 3 símbolos (I, II e III) desses dispositivos eletrônicos.
Tais dispositivos são identificados, respectivamente, como:
Tais dispositivos são identificados, respectivamente, como:
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Projetos, Construção e Montagem Júnior - Eletrônica |
Q460538
Eletrônica
O circuito mostrado abaixo representa um circuito lógico usando CMOS. Nele, Q1 é um MOSFET Enhancement canal N,e Q2 é um MOSFET Enhancement canal P, também conhecido como par complementar de transistores MOSFET.
Qual é a função do circuito que está sendo investigado?
Qual é a função do circuito que está sendo investigado?
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Manutenção Júnior - Eletrônica |
Q453994
Eletrônica
O circuito abaixo representa uma porta lógica com duas entradas A e B e uma saída Z. São usados quatro transistores de efeito de campo tipo MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), sendo dois de canal n (Q1 e Q2) e dois de canal p (Q3 e Q4), encapsulados em um mesmo circuito integrado da família CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Para cada transistor, S representa o terminal fonte, D o dreno, G a porta e SB o substrato.
Após análise do circuito, verifica-se que ele representa a porta lógica
Após análise do circuito, verifica-se que ele representa a porta lógica
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Manutenção Júnior - Eletrônica |
Q453983
Eletrônica
A configuração mostrada a seguir, muito usada em projetos nos quais se deseja elevado ganho de corrente, é formada por dois transistores, T1 e T2, ambos NPN.
Considerando-se, para fins de cálculo, que, para ganhos de corrente CC (corrente contínua) Ic/Ib > 100 a corrente de coletor Ic é igual à corrente de emissor Ie, e sabendo-se ainda que Β1 = 150 e Β2 = 200, o ganho total Ic2/ Ib1 da configuração apresentada será
Considerando-se, para fins de cálculo, que, para ganhos de corrente CC (corrente contínua) Ic/Ib > 100 a corrente de coletor Ic é igual à corrente de emissor Ie, e sabendo-se ainda que Β1 = 150 e Β2 = 200, o ganho total Ic2/ Ib1 da configuração apresentada será
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
CEFET-RJ
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - CEFET-RJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q422382
Eletrônica
No estágio de amplificação de potência apresentado abaixo, os transistores Q1 e Q2 apresentam |VBE| = 0,7 V e ganho β = 50.
Durante a operação desse amplificador, a máxima potência eficaz RMS, em watts, que pode ser transferida para a carga é
Durante a operação desse amplificador, a máxima potência eficaz RMS, em watts, que pode ser transferida para a carga é
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
CEFET-RJ
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - CEFET-RJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q422369
Eletrônica
O objetivo do circuito abaixo é acender o LED D1 quando a entrada de controle digital VCTRL = 5,0 V. De acordo com as especificações do projeto, quando VCTRL = 5,0 V, o transistor Q1 deve entrar no modo de saturação e o LED D1 deve conduzir uma corrente de 10 mA. Sob essa condição de operação, o transistor Q1 apresentará VBE = 0,7 V e VCE = 0,2 V, e o LED exibirá uma queda de tensão VD = 1,2 V.
O circuito mostrado na Figura, entretanto, pode não satisfazer às especificações do projeto, dependendo do ganho de corrente β do transistor. Dessa forma, ao selecionar um transistor Q1 para a construção do circuito, deve-se garantir que o seu ganho β seja, no mínimo, igual a
O circuito mostrado na Figura, entretanto, pode não satisfazer às especificações do projeto, dependendo do ganho de corrente β do transistor. Dessa forma, ao selecionar um transistor Q1 para a construção do circuito, deve-se garantir que o seu ganho β seja, no mínimo, igual a
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
CEFET-RJ
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - CEFET-RJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q422366
Eletrônica
Considere o transistor NPN polarizado e operando na região ativa, conforme mostra a Figura abaixo. Os valores das correntes mostradas são IC = 2mA e IB = 10μA.
Sabendo-se que os resistores valem RE = 1,5kΩ e RC = 5kΩ, e que a fonte VCC de alimentação vale 18V, o valor da tensão de operação [ VCE ] do transistor, em volts, é de
Sabendo-se que os resistores valem RE = 1,5kΩ e RC = 5kΩ, e que a fonte VCC de alimentação vale 18V, o valor da tensão de operação [ VCE ] do transistor, em volts, é de
Q404455
Eletrônica
Existem três eletrodos em um transistor FET, que são
Q404454
Eletrônica
Os símbolos apresentados são, respectivamente,
Q404449
Eletrônica
Texto associado
Circuito 3
O transistor apresentado no circuito 3 é do tipo
Q404448
Eletrônica
Texto associado
Circuito 3
Considerando o transistor do circuito 3 como ideal, a corrente de coletor é igual a
Q404437
Eletrônica
Um amplificador a transistor polarizado em classe-B apresenta seu ponto Q de operação, com respeito à reta de carga de polarização,
Q404436
Eletrônica
Com relação ao tiristor Triac, assinale a alternativa correta.
Q404432
Eletrônica
Com relação aos semicondutores e aos metais, assinale a alternativa correta.
Q2888971
Eletrônica
É um dispositivo controlado por corrente e requer corrente de base para que flua corrente no coletor. Como a corrente de coletor é dependente da de entrada (base), o ganho de corrente é altamente dependente da temperatura da junção. A descrição está associada
Ano: 2013
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
LIQUIGÁS
Prova:
CESGRANRIO - 2013 - LIQUIGAS - Oficial de Manutenção - Eletrônica |
Q424987
Eletrônica
Atualmente, o circuito integrado mais empregado em eletrônica analógica é o amplificador operacional. Normalmente, esses amplificadores são compostos de vários estágios, usando-se basicamente transistores bipolares BJT (bipolar junction transistor), FET (field-effect transistor) e MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor), configurados adequadamente em um mesmo circuito integrado (chip).
As principais características dos amplificadores operacionais são
As principais características dos amplificadores operacionais são
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Técnico de Projetos, Construção e Montagem Júnior - Eletrônica-2012 |
Q430263
Eletrônica
Na figura, é apresentado o esquema de um circuito alimentado por uma fonte de tensão constante VDC= 5 V. O acionamento do transistor é controlado por uma fonte VS cuja tensão varia no tempo, conforme mostrado no gráfico.
Considerando que o transistor Q1 apresenta VEB = 0,7 V e ß = 150 para as condições de operação desse circuito, o gráfico com a forma de onda da tensão VO é
Considerando que o transistor Q1 apresenta VEB = 0,7 V e ß = 150 para as condições de operação desse circuito, o gráfico com a forma de onda da tensão VO é
Ano: 2011
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica |
Q182400
Eletrônica
Observe as figuras abaixo.
A Figura 1 mostra um circuito que utiliza um fototransistor de área sensível igual a 20 mm2 . A Figura 2 mostra a curva da corrente de base em função da densidade de fluxo irradiado desse fototransistor, aproximada por uma reta. Se o fototransistor for irradiado com 2 mW de potência, sua tensão
, em Volts, será igual a
A Figura 1 mostra um circuito que utiliza um fototransistor de área sensível igual a 20 mm2 . A Figura 2 mostra a curva da corrente de base em função da densidade de fluxo irradiado desse fototransistor, aproximada por uma reta. Se o fototransistor for irradiado com 2 mW de potência, sua tensão
, em Volts, será igual a
Ano: 2010
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2010 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica |
Q189226
Eletrônica
Dado que o transistor tem ganho de corrente β=100, os valores aproximados das impedâncias de entrada e saída e do ganho de tensão do circuito acima são, respectivamente,
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