Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 120 questões
Ano: 2025
Banca:
Instituto Consulplan
Órgão:
HEMOBRÁS
Prova:
Instituto Consulplan - 2025 - HEMOBRÁS - Técnico Industrial e de Gestão Corporativa – Elétrica |
Q3262026
Eletrônica
Na eletrônica existe um dispositivo semicondutor muito comum utilizado em diversas aplicações, tanto para amplificação de
sinais quanto para comutação. Determinado profissional, durante a manutenção de um equipamento eletrônico, observou
a existência de um desses dispositivos ligados em série com a bobina de um relé de acionamento de uma pequena carga.
Diante do exposto, assinale, a seguir, o nome desse dispositivo, assim como sua função, respectivamente.
Ano: 2025
Banca:
CEFET-MG
Órgão:
CEFET-MG
Prova:
CEFET-MG - 2025 - CEFET-MG - Técnico de Laboratório/Área: Eletrônica - Edital nº 6 |
Q3255808
Eletrônica
Observe o circuito a seguir.
Considerando um hFE elevado para o transistor, de modo que ele opere somente nas regiões de corte ou saturação, o menor valor de R que permite que o LED D1 acenda é:
Considerando um hFE elevado para o transistor, de modo que ele opere somente nas regiões de corte ou saturação, o menor valor de R que permite que o LED D1 acenda é:
Ano: 2025
Banca:
CEFET-MG
Órgão:
CEFET-MG
Prova:
CEFET-MG - 2025 - CEFET-MG - Técnico de Laboratório/Área: Eletrônica - Edital nº 6 |
Q3255805
Eletrônica
Um técnico precisou avaliar o funcionamento de um transistor bipolar como o da figura abaixo.
Para isso, ele utilizou um multímetro digital na escala de medição de resistência.
Para realizar o teste, o técnico utilizou as pontas de prova positiva (+) e negativa (-) do multímetro, ligando-as alternadamente aos terminais do transistor para a obtenção das medidas. Foi verificado que os valores de resistência medidos eram baixos ou muito altos. O técnico então anotou os estados das medidas na tabela a seguir.
Em relação ao teste, é correto afirmar que o transistor
Para realizar o teste, o técnico utilizou as pontas de prova positiva (+) e negativa (-) do multímetro, ligando-as alternadamente aos terminais do transistor para a obtenção das medidas. Foi verificado que os valores de resistência medidos eram baixos ou muito altos. O técnico então anotou os estados das medidas na tabela a seguir.
Em relação ao teste, é correto afirmar que o transistor
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043613
Eletrônica
Considere, na figura a seguir, os sinais A e B como entradas e S como o sinal de saída, sabendo que os resistores R e R2
foram dimensionados para que os transistores T1 e T2 operem como chave. Marque a alternativa que corresponde à
operação lógica executada por esse circuito.
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043612
Eletrônica
Para polarização do transistor foi aplicado o circuito com o divisor de tensão com pode ser visto na figura a seguir. Para
esse circuito, a corrente I1, IB e Ic são, respectivamente:
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043611
Eletrônica
Sabendo que os transistores no circuito a seguir operam na região ativa, a corrente que passa em RB e R1 são,
respectivamente:
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043608
Eletrônica
Para o circuito regulador de tensão linear a seguir, desconsiderando a queda de tensão (Vbe) no transistor, marque a
alternativa que mostra, respectivamente, a sua tensão de saída (V0) e a corrente do diodo Zener (IZ):
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012496
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a alternativa incorreta.
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012491
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a afirmativa correta entre as alternativas a seguir.
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
Prefeitura de Passo Fundo - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - Prefeitura de Passo Fundo - RS - Eletrotécnico |
Q2538201
Eletrônica
É correto afirmar que, na região ativa, o transistor:
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514384
Eletrônica
Considere o circuito abaixo, que utiliza um transistor NMOS do tipo
enriquecimento.
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VT = 1 V;
•k′n (W/L)= 1 mA/V2; e
• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).
A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VT = 1 V;
•k′n (W/L)= 1 mA/V2; e
• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).
A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514383
Eletrônica
Considere o circuito abaixo:
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VBE = 0,7 V;
• β = 100; e
• VCEsat = 0,3 V.
A corrente que flui pelo emissor do TBJ em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VBE = 0,7 V;
• β = 100; e
• VCEsat = 0,3 V.
A corrente que flui pelo emissor do TBJ em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514381
Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis
que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações. Sobre
as configurações de amplificadores de estágio simples utilizando TBJ,
analise as afirmativas a seguir.
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364387
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a
tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento
das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção
no substrato, consequentemente, nessa região haverá um
fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons
negativos da fonte para o dreno do dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364386
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é
necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor
da tensão de limiar do dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364385
Eletrônica
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A mobilidade de portadores em materiais semicondutores
depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do
dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo
elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364384
Eletrônica
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Os semicondutores do tipo silício puro são classificados
como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes
condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da
indústria de circuitos microeletrônicos.
Q4230354
Eletrônica
Texto associado
Acervo pessoal.
Essa figura mostra um circuito eletrônico. A tensão de
alimentação Vcc é de 5V, o diodo D1 é um diodo Zener com
tensão de ruptura de 3,3 V, e o transistor bipolar Q1
apresenta β = 50.
Considerando essas informações, julgue (C ou E) o item a
seguir.
O transistor bipolar Q1 multiplica a corrente de saída do
amplificador operacional para a carga R1 em
aproximadamente 51 vezes.
Q4230351
Eletrônica
Texto associado
Acervo pessoal.
Essa figura mostra um circuito eletrônico. A tensão de
alimentação Vcc é de 5V, o diodo D1 é um diodo Zener com
tensão de ruptura de 3,3 V, e o transistor bipolar Q1
apresenta β = 50.
Considerando essas informações, julgue (C ou E) o item a
seguir.
O resistor R1 e o diodo D1 estão conectados em
paralelo.
Q4230350
Eletrônica
Texto associado
Acervo pessoal.
Essa figura mostra um circuito eletrônico. A tensão de
alimentação Vcc é de 5V, o diodo D1 é um diodo Zener com
tensão de ruptura de 3,3 V, e o transistor bipolar Q1
apresenta β = 50.
Considerando essas informações, julgue (C ou E) o item a
seguir.
A tensão de saída Vout será de aproximadamente 3,3 V.
Conheça nossos planos