Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 105 questões
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012496
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a alternativa incorreta.
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012491
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a afirmativa correta entre as alternativas a seguir.
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
Prefeitura de Passo Fundo - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - Prefeitura de Passo Fundo - RS - Eletrotécnico |
Q2538201
Eletrônica
É correto afirmar que, na região ativa, o transistor:
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514384
Eletrônica
Considere o circuito abaixo, que utiliza um transistor NMOS do tipo
enriquecimento.
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VT = 1 V;
•k′n (W/L)= 1 mA/V2; e
• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).
A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VT = 1 V;
•k′n (W/L)= 1 mA/V2; e
• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).
A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514383
Eletrônica
Considere o circuito abaixo:
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VBE = 0,7 V;
• β = 100; e
• VCEsat = 0,3 V.
A corrente que flui pelo emissor do TBJ em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VBE = 0,7 V;
• β = 100; e
• VCEsat = 0,3 V.
A corrente que flui pelo emissor do TBJ em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514381
Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis
que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações. Sobre
as configurações de amplificadores de estágio simples utilizando TBJ,
analise as afirmativas a seguir.
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364387
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a
tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento
das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção
no substrato, consequentemente, nessa região haverá um
fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons
negativos da fonte para o dreno do dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364386
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é
necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor
da tensão de limiar do dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364385
Eletrônica
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A mobilidade de portadores em materiais semicondutores
depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do
dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo
elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364384
Eletrônica
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Os semicondutores do tipo silício puro são classificados
como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes
condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da
indústria de circuitos microeletrônicos.
Ano: 2023
Banca:
IDCAP
Órgão:
CREA-ES
Prova:
IDCAP - 2023 - CREA-ES - Consultor Engenheiro Eletricista |
Q3475259
Eletrônica
Em relação ao transistor bipolar de junção, analise as
afirmativas abaixo:
I. A característica de saída, ou de coletor, pode ser dividida em três regiões distintas, classificadas e elencadas em consonância do comportamento específico do transistor em cada uma delas. Na região de corte, as duas junções estão polarizadas reversamente, fazendo com que a corrente do coletor seja praticamente nula, portanto o transistor está cortado, como se ele estivesse desconectado do circuito. Na região de saturação, as duas junções estão polarizadas diretamente, fazendo com que uma pequena variação da tenção resulte em uma enorme variação da corrente do coletor, nesse caso o transistor está saturado.
II. O transistor, na maior parte das aplicações, é usado operando na região ativa, principalmente como chave eletrônica, mas por outro lado, trabalhando nas regiões de corte e saturação, o transistor comporta-se como amplificador de sinais.
III. A configuração emissor comum é a mais utilizada nos circuitos transistorizados. Nessa configuração, a base é terminal de entrada de corrente e o coletor é o terminal de saída de corrente do circuito, sendo o emissor o terminal comum às tensões de entrada e saída.
É CORRETO afirmar que:
I. A característica de saída, ou de coletor, pode ser dividida em três regiões distintas, classificadas e elencadas em consonância do comportamento específico do transistor em cada uma delas. Na região de corte, as duas junções estão polarizadas reversamente, fazendo com que a corrente do coletor seja praticamente nula, portanto o transistor está cortado, como se ele estivesse desconectado do circuito. Na região de saturação, as duas junções estão polarizadas diretamente, fazendo com que uma pequena variação da tenção resulte em uma enorme variação da corrente do coletor, nesse caso o transistor está saturado.
II. O transistor, na maior parte das aplicações, é usado operando na região ativa, principalmente como chave eletrônica, mas por outro lado, trabalhando nas regiões de corte e saturação, o transistor comporta-se como amplificador de sinais.
III. A configuração emissor comum é a mais utilizada nos circuitos transistorizados. Nessa configuração, a base é terminal de entrada de corrente e o coletor é o terminal de saída de corrente do circuito, sendo o emissor o terminal comum às tensões de entrada e saída.
É CORRETO afirmar que:
Ano: 2023
Banca:
Instituto Access
Órgão:
UFJ
Prova:
Instituto Access - 2023 - UFJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q2325610
Eletrônica
A figura a seguir indica três solenoides ligadas em série com núcleos
de ferro (Fe), aço e cobre (Cu). Ao fechar a chave Ch, as três bobinas
são percorridas por uma corrente I. Verifica-se que, nessa condição,
apenas as bobinas de ferro e aço atraem os pregos por meio do
campo magnético gerado.
Considerando as propriedades magnéticas dos materiais e a experiência apresentada na figura acima, é possível dizer que o cobre (Cu) é um material
Considerando as propriedades magnéticas dos materiais e a experiência apresentada na figura acima, é possível dizer que o cobre (Cu) é um material
Ano: 2023
Banca:
Instituto Access
Órgão:
UFJ
Prova:
Instituto Access - 2023 - UFJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q2325609
Eletrônica
A figura a seguir mostra a distribuição das correntes em parte de um circuito elétrico.
O valor da corrente i no ramo do circuito localizado na extremidade
inferior direta indicado na figura acima é
Ano: 2023
Banca:
Instituto Access
Órgão:
UFJ
Prova:
Instituto Access - 2023 - UFJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q2325608
Eletrônica
Um fio metálico é percorrido por uma corrente elétrica constante.
Sabe-se que uma carga elétrica de 32 C atravessa uma seção
transversal do fio a cada 4 S. Sendo e = -1,6 x 10-19C a carga
elementar de um elétron, a intensidade da corrente elétrica
percorrendo o fio é
Ano: 2023
Banca:
Instituto Access
Órgão:
UFJ
Prova:
Instituto Access - 2023 - UFJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q2325607
Eletrônica
A capacitância entre duas placas paralelas de área S separadas por
uma distância d com material dielétrico com permissividade Є, pode
ser calculada usando a seguinte equação: C = ЄS / d . Se a tensão
aplicada a esse capacitor de placas paralelas dobrar de valor, o que
acontece com a carga armazenada nessa capacitância?
Ano: 2023
Banca:
Instituto Access
Órgão:
UFJ
Prova:
Instituto Access - 2023 - UFJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q2325606
Eletrônica
Duas cargas pontuais positivas Q1 e Q2 estão afastadas uma da outra
a uma distância d. Aplicando a lei de Coulomb nessas circunstâncias,
as cargas Q1 e Q2 estão sujeitas a uma força de repulsão F = 40 N.
Se a distância entre as cargas for reduzida à metade de d, o que
acontece com a força de repulsão entre as cargas Q1 e Q2?
Ano: 2023
Banca:
Instituto Access
Órgão:
UFJ
Prova:
Instituto Access - 2023 - UFJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q2325605
Eletrônica
Um corpo inicialmente neutro é eletrizado com carga 
= 64 µ
.
Dado que a carga de um elétron é −1,6 × 10−19 , qual o número
de elétrons que teve que ser retirado do corpo?
= 64 µ.
Dado que a carga de um elétron é −1,6 × 10−19 , qual o número
de elétrons que teve que ser retirado do corpo?
Ano: 2023
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
Prefeitura de Sapucaia do Sul - RS
Prova:
FUNDATEC - 2023 - Prefeitura de Sapucaia do Sul - RS - Técnico em Eletrônica |
Q2323266
Eletrônica
Um transistor tem quatro regiões de operações distintas. Assinale a alternativa que
NÃO corresponde a uma dessas regiões.
Ano: 2023
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
Prefeitura de Uberlândia - MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2023 - Prefeitura de Uberlândia - MG - Iluminador |
Q2279014
Eletrônica
Os diodos e transistores são dispositivos semicondutores com propriedades elétricas distintas.
Assinale a alternativa que descreve corretamente as aplicações de diodos e transistores.
Ano: 2023
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-SC
Prova:
FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |
Q2226736
Eletrônica
A respeito de sistemas de transmissão, redes de comunicação e modelo OSI, assinale
a alternativa correta.
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