Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 125 questões
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346522
Eletrônica
Considere as seguintes afirmações sobre amplificadores de sinais.
I - Amplificadores classe A têm excelente linearidade e alta eficiência energética com valores superiores a 70%.
II - Amplificadores classe B com transistores na topologia push-pull podem ter alta eficiência energética com valores superiores a 70%, porém sofrem o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
III - Amplificadores classe AB possuem alta eficiência energética, com valores superiores a 50%, e quase eliminam o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
Quais estão corretas?
I - Amplificadores classe A têm excelente linearidade e alta eficiência energética com valores superiores a 70%.
II - Amplificadores classe B com transistores na topologia push-pull podem ter alta eficiência energética com valores superiores a 70%, porém sofrem o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
III - Amplificadores classe AB possuem alta eficiência energética, com valores superiores a 50%, e quase eliminam o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
Quais estão corretas?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346520
Eletrônica
O circuito da figura abaixo representa um espelho de corrente com transistores NMOS (M1 e M2) idênticos com os
parâmetros de transcondutância (K’n) = 0,2 mA/V2
, razão de aspecto W/L =10 e tensão de limiar (threshold voltage)
igual a 2 V.
Qual é o valor do resistor R1 para que a corrente de dreno do transistor M1 seja de 4 mA?
Qual é o valor do resistor R1 para que a corrente de dreno do transistor M1 seja de 4 mA?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346519
Eletrônica
Observe o circuito representado na figura abaixo.
Considere o ganho de corrente (beta) dos transistores Q1 e Q2 igual a 100, a tensão emissor-base (VEB) igual a 0,7V e a tensão emissor-coletor de saturação (VECSAT) igual a 0,2V.
Qual é o valor da tensão de coletor do transistor Q1?
Considere o ganho de corrente (beta) dos transistores Q1 e Q2 igual a 100, a tensão emissor-base (VEB) igual a 0,7V e a tensão emissor-coletor de saturação (VECSAT) igual a 0,2V.
Qual é o valor da tensão de coletor do transistor Q1?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346518
Eletrônica
Observe o circuito representado na figura abaixo.
Considere VCC = 12V, o ganho de corrente (beta) do transistor Q1 igual a 100 e a tensão base-emissor (VBE) igual a 0,7V.
Qual é o valor da corrente de polarização no coletor do transistor Q1?
Considere VCC = 12V, o ganho de corrente (beta) do transistor Q1 igual a 100 e a tensão base-emissor (VBE) igual a 0,7V.
Qual é o valor da corrente de polarização no coletor do transistor Q1?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346506
Eletrônica
Observe a fonte de alimentação linear, representada no diagrama de blocos mostrado na figura abaixo.
Considere: R = 500Ω; RL=1kΩ, Vz = 10V, V1 = 15V e VBE = 0,7V, β = 100.
Assinale a alternativa que, apresenta, correta e respectivamente, os valores da corrente no resistor R (IR), da corrente na carga (IL), da corrente na base do transistor (IB) e da corrente no diodo Zener (IZ).
Considere: R = 500Ω; RL=1kΩ, Vz = 10V, V1 = 15V e VBE = 0,7V, β = 100.
Assinale a alternativa que, apresenta, correta e respectivamente, os valores da corrente no resistor R (IR), da corrente na carga (IL), da corrente na base do transistor (IB) e da corrente no diodo Zener (IZ).
Ano: 2026
Banca:
Avança SP
Órgão:
Prefeitura de Amparo - SP
Prova:
Avança SP - 2026 - Prefeitura de Amparo - SP - Engenharia Elétrica |
Q4333855
Eletrônica
Transistores são componentes eletrônicos amplamente utilizados em engenharia para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos aplicados nas mais diferentes áreas. A figura abaixo apresenta uma típica aplicação do transistor NPN bipolar:
HOROWITZ, Paul; HILL, Winfield. Driving na LED from a 'logic-level' input signal, using na npm saturated switch and series current-limiting resistor. 2015.
Qual é o tipo de circuito apresentado na figura? Assinale a alternativa CORRETA.
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ARSAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ARSAL - Analista de Regulação - Especialidade: Engenharia Elétrica |
Q4250473
Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, que se refere a um amplificador com
um transistor TBJ embasado na configuração coletor comum.
Esse amplificador apresenta ganho de tensão consideravelmente maior que 1, sendo, por esse motivo, o mais indicado, entre as três configurações básicas de amplificador com um transistor TBJ, para aplicações que exigem amplificação de tensão.
Esse amplificador apresenta ganho de tensão consideravelmente maior que 1, sendo, por esse motivo, o mais indicado, entre as três configurações básicas de amplificador com um transistor TBJ, para aplicações que exigem amplificação de tensão.
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245957
Eletrônica
Considere o arranjo amplificador apresentado na figura a seguir ajustado através dos seguintes parâmetros.
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245956
Eletrônica
Considere o seguinte circuito de polarização pela base composto por um transistor NPN com VBB = VCC = 15V, um resistor de
base RB
= 500kΩ, resistor de coletor RC
= 3kΩ e adotando o modelo ideal do transistor (queda de tensão nula entre base e emissor).
Sabendo que o arranjo exibe a reta de carga da imagem, é correto afirmar que os valores de ganho βCC associados respectivamente aos pontos de operação A, B e C valem, respectivamente:
Sabendo que o arranjo exibe a reta de carga da imagem, é correto afirmar que os valores de ganho βCC associados respectivamente aos pontos de operação A, B e C valem, respectivamente:
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245955
Eletrônica
Considere o seguinte circuito de polarização por divisor de tensão baseado no transistor bipolar de junção do tipo PNP e
alimentado por uma fonte de tensão VCC = −10 V. Os demais parâmetros do circuito são: R₁ = 10 kΩ, R₂ = 2,2 kΩ, RC = 5 kΩ e
RE
= 1,1 kΩ.
Adotando VBE = 0,7 V e desprezando a corrente de base (βCC >> 1), o valor da tensão emissor-coletor VEC do transistor é definida aproximadamente por:
Adotando VBE = 0,7 V e desprezando a corrente de base (βCC >> 1), o valor da tensão emissor-coletor VEC do transistor é definida aproximadamente por:
Ano: 2026
Banca:
UEPB
Órgão:
UEPB
Prova:
UEPB - 2026 - UEPB - Técnico em Laboratório (Eletrotécnica) |
Q4209564
Eletrônica
Em uma placa de interface digital, a saída de um estágio em coletor aberto deveria assumir nível alto quando o transistor estivesse
desligado. No entanto, o técnico observa que a tensão permanece próxima de zero, impedindo o reconhecimento lógico correto pelo
circuito seguinte. Para descobrir a causa, ele analisa a rede de pull-up e a existência de uma carga indevida conectada ao terra.
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Q4186562
Eletrônica
O circuito abaixo representa um modelo para transistores bipolares na configuração base-comum.
Assumindo condições ideais, o fator de amplificação do circuito é:
Q4185506
Eletrônica
Uma equipe da Engenharia Elétrica está desenvolvendo
um conversor CC-CC e discute qual dispositivo
semicondutor utilizar entre BJT, MOSFET e IGBT. Um
dos engenheiros explica que esses dispositivos possuem
características distintas. Nesse contexto, é CORRETO
afirmar que:
Ano: 2026
Banca:
Marinha
Órgão:
MARINHA
Prova:
Marinha - 2026 - MARINHA - Professor EBTT - Engenharia de Telecomunicações |
Q4154064
Eletrônica
Examine a figura abaixo.
O circuito amplificador acima tem, como entrada, a tensão vi e, como saída, a tensão vo. Assim, assinale a opção que apresenta o valor aproximado da componente DC de vi de modo a obter máxima excursão do sinal de saída.
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090266
Eletrônica
Em aplicações de eletrônica de potência, o
MOSFET é amplamente utilizado como chave
estática de alta eficiência. Considerando seu
comportamento estático, o MOSFET de potência
opera como uma chave de baixa resistência
quando está na região
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090257
Eletrônica
O IGBT é amplamente utilizado em aplicações de
média e alta potência devido à sua baixa perda em
condução e facilidade de acionamento. Entretanto,
comparado ao MOSFET, o IGBT apresenta
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090255
Eletrônica
Considere um transistor NPN operando na região
ativa direta. Sabe-se que o modelo simplificado em
regime DC estabelece:
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090251
Eletrônica
O modelo quadrático do MOSFET de canal n no
regime de saturação, desprezando-se efeito de
modulação do comprimento de canal, é:
Considere um MOSFET com kn =0,4A/V2, VT =2V, operando com VGS = 6V.
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será
Considere um MOSFET com kn =0,4A/V2, VT =2V, operando com VGS = 6V.
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANSA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ANSA - Ênfase 24: Projetos, Construção e Montagem – Elétrica |
Q4084227
Eletrônica
Julgue o item a seguir, relativo a conceitos e características de dispositivos em eletrônica analógica.
A resistência de saída de um transistor bipolar de junção real é finita devido ao efeito Early.
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANSA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ANSA - Ênfase 19: Manutenção – Instrumentação |
Q4083442
Eletrônica
Texto associado
No circuito eletrônico a seguir, construído com transistor
TBJ do tipo npn, a tensão no emissor (VE) é −0,7 V e o ganho de
corrente (β) é 50.
A partir dessas informações, julgue o item a seguir.
iE = 1 mA.
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