Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 119 questões
Ano: 2026
Banca:
UEPB
Órgão:
UEPB
Prova:
UEPB - 2026 - UEPB - Técnico em Laboratório (Eletrotécnica) |
Q4209564
Eletrônica
Em uma placa de interface digital, a saída de um estágio em coletor aberto deveria assumir nível alto quando o transistor estivesse
desligado. No entanto, o técnico observa que a tensão permanece próxima de zero, impedindo o reconhecimento lógico correto pelo
circuito seguinte. Para descobrir a causa, ele analisa a rede de pull-up e a existência de uma carga indevida conectada ao terra.
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Q4186562
Eletrônica
O circuito abaixo representa um modelo para transistores bipolares na configuração base-comum.
Assumindo condições ideais, o fator de amplificação do circuito é:
Q4185506
Eletrônica
Uma equipe da Engenharia Elétrica está desenvolvendo
um conversor CC-CC e discute qual dispositivo
semicondutor utilizar entre BJT, MOSFET e IGBT. Um
dos engenheiros explica que esses dispositivos possuem
características distintas. Nesse contexto, é CORRETO
afirmar que:
Ano: 2026
Banca:
Marinha
Órgão:
MARINHA
Prova:
Marinha - 2026 - MARINHA - Professor EBTT - Sistemas Elétricos |
Q4163126
Eletrônica
Examine a figura abaixo.
Considere a configuração de transistor polarizado por divisor de tensão, conforme mostrado na figura acima. Assim, assinale a opção que apresenta a tensão aproximada entre coletor e emissor.
Dado: tensão entre base e emissor do transistor = 0,7 V.
Ano: 2026
Banca:
Marinha
Órgão:
MARINHA
Prova:
Marinha - 2026 - MARINHA - Professor EBTT - Engenharia de Telecomunicações |
Q4154033
Eletrônica
Examine a figura abaixo.
O amplificador acima tem entrada v1 e é polarizado de maneira a garantir máxima excursão do sinal de saída vO. Se o transistor tem tensão de Early de -50 V, o ganho de tensão teórico para pequenos sinais do amplificador na região linear é de aproximadamente:
Dado: Tensão térmica = 25mV
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090266
Eletrônica
Em aplicações de eletrônica de potência, o
MOSFET é amplamente utilizado como chave
estática de alta eficiência. Considerando seu
comportamento estático, o MOSFET de potência
opera como uma chave de baixa resistência
quando está na região
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090256
Eletrônica
Um MOSFET canal-n apresenta VT = 3V. Para VGS = 5V, determine a condição para operação em
saturação e assinale a alternativa correta.
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090255
Eletrônica
Considere um transistor NPN operando na região
ativa direta. Sabe-se que o modelo simplificado em
regime DC estabelece:
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090251
Eletrônica
O modelo quadrático do MOSFET de canal n no
regime de saturação, desprezando-se efeito de
modulação do comprimento de canal, é:
Considere um MOSFET com kn =0,4A/V2, VT =2V, operando com VGS = 6V.
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será
Considere um MOSFET com kn =0,4A/V2, VT =2V, operando com VGS = 6V.
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANSA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ANSA - Ênfase 24: Projetos, Construção e Montagem – Elétrica |
Q4084227
Eletrônica
Julgue o item a seguir, relativo a conceitos e características de dispositivos em eletrônica analógica.
A resistência de saída de um transistor bipolar de junção real é finita devido ao efeito Early.
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANSA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ANSA - Ênfase 19: Manutenção – Instrumentação |
Q4083443
Eletrônica
Texto associado
No circuito eletrônico a seguir, construído com transistor
TBJ do tipo npn, a tensão no emissor (VE) é −0,7 V e o ganho de
corrente (β) é 50.
A partir dessas informações, julgue o item a seguir.
iC = 0,5 mA.
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANSA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ANSA - Ênfase 19: Manutenção – Instrumentação |
Q4083442
Eletrônica
Texto associado
No circuito eletrônico a seguir, construído com transistor
TBJ do tipo npn, a tensão no emissor (VE) é −0,7 V e o ganho de
corrente (β) é 50.
A partir dessas informações, julgue o item a seguir.
iE = 1 mA.
Q3981911
Eletrônica
Um transistor de junção bipolar consegue amplificar um sinal
sem distorção, caso ele opere:
Q3981896
Eletrônica
Em uma configuração Darlington com 2 transistores, na qual
o segundo transistor tem um ganho de corrente 3 vezes maior que
o ganho “X” do primeiro transistor, o ganho total sobre a corrente
de entrada “I” será de:
Ano: 2025
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
UFABC
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2025 - UFABC - Técnico de Laboratório - Área: Mecatrônica |
Q4093954
Eletrônica
Em um circuito com transistores bipolares de
junção (BJT), o funcionamento na chamada região
ativa ocorre quando o dispositivo atua como
amplificador, controlando a corrente de coletor a
partir da corrente de base. Assim, para que um
transistor NPN opere corretamente nessa região,
as junções base-emissor e coletor-base devem
estar
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272497
Eletrônica
Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum,
para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas:
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272494
Eletrônica
Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são,
respectivamente, de
Ano: 2025
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-RS
Prova:
FUNDATEC - 2025 - IF-RS - Professor EBTT - Eletrônica Analógica |
Q3265889
Eletrônica
Analise o circuito apresentado na Figura 2 abaixo:
Sobre o funcionamento do circuito apresentado na Figura 2, assinale a alternativa correta.
Ano: 2025
Banca:
Instituto Consulplan
Órgão:
HEMOBRÁS
Prova:
Instituto Consulplan - 2025 - HEMOBRÁS - Técnico Industrial e de Gestão Corporativa – Elétrica |
Q3262026
Eletrônica
Na eletrônica existe um dispositivo semicondutor muito comum utilizado em diversas aplicações, tanto para amplificação de
sinais quanto para comutação. Determinado profissional, durante a manutenção de um equipamento eletrônico, observou
a existência de um desses dispositivos ligados em série com a bobina de um relé de acionamento de uma pequena carga.
Diante do exposto, assinale, a seguir, o nome desse dispositivo, assim como sua função, respectivamente.
Ano: 2025
Banca:
CEFET-MG
Órgão:
CEFET-MG
Prova:
CEFET-MG - 2025 - CEFET-MG - Técnico de Laboratório/Área: Eletrônica - Edital nº 6 |
Q3255808
Eletrônica
Observe o circuito a seguir.
Considerando um hFE elevado para o transistor, de modo que ele opere somente nas regiões de corte ou saturação, o menor valor de R que permite que o LED D1 acenda é:
Considerando um hFE elevado para o transistor, de modo que ele opere somente nas regiões de corte ou saturação, o menor valor de R que permite que o LED D1 acenda é:
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