Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 87 questões
Q3981911
Eletrônica
Um transistor de junção bipolar consegue amplificar um sinal
sem distorção, caso ele opere:
Q3981896
Eletrônica
Em uma configuração Darlington com 2 transistores, na qual
o segundo transistor tem um ganho de corrente 3 vezes maior que
o ganho “X” do primeiro transistor, o ganho total sobre a corrente
de entrada “I” será de:
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272497
Eletrônica
Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum,
para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas:
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272494
Eletrônica
Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são,
respectivamente, de
Ano: 2025
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-RS
Prova:
FUNDATEC - 2025 - IF-RS - Professor EBTT - Eletrônica Analógica |
Q3265889
Eletrônica
Analise o circuito apresentado na Figura 2 abaixo:
Sobre o funcionamento do circuito apresentado na Figura 2, assinale a alternativa correta.
Ano: 2025
Banca:
Instituto Consulplan
Órgão:
HEMOBRÁS
Prova:
Instituto Consulplan - 2025 - HEMOBRÁS - Técnico Industrial e de Gestão Corporativa – Elétrica |
Q3262026
Eletrônica
Na eletrônica existe um dispositivo semicondutor muito comum utilizado em diversas aplicações, tanto para amplificação de
sinais quanto para comutação. Determinado profissional, durante a manutenção de um equipamento eletrônico, observou
a existência de um desses dispositivos ligados em série com a bobina de um relé de acionamento de uma pequena carga.
Diante do exposto, assinale, a seguir, o nome desse dispositivo, assim como sua função, respectivamente.
Ano: 2025
Banca:
CEFET-MG
Órgão:
CEFET-MG
Prova:
CEFET-MG - 2025 - CEFET-MG - Técnico de Laboratório/Área: Eletrônica - Edital nº 6 |
Q3255808
Eletrônica
Observe o circuito a seguir.
Considerando um hFE elevado para o transistor, de modo que ele opere somente nas regiões de corte ou saturação, o menor valor de R que permite que o LED D1 acenda é:
Considerando um hFE elevado para o transistor, de modo que ele opere somente nas regiões de corte ou saturação, o menor valor de R que permite que o LED D1 acenda é:
Ano: 2025
Banca:
CEFET-MG
Órgão:
CEFET-MG
Prova:
CEFET-MG - 2025 - CEFET-MG - Técnico de Laboratório/Área: Eletrônica - Edital nº 6 |
Q3255805
Eletrônica
Um técnico precisou avaliar o funcionamento de um transistor bipolar como o da figura abaixo.
Para isso, ele utilizou um multímetro digital na escala de medição de resistência.
Para realizar o teste, o técnico utilizou as pontas de prova positiva (+) e negativa (-) do multímetro, ligando-as alternadamente aos terminais do transistor para a obtenção das medidas. Foi verificado que os valores de resistência medidos eram baixos ou muito altos. O técnico então anotou os estados das medidas na tabela a seguir.
Em relação ao teste, é correto afirmar que o transistor
Para realizar o teste, o técnico utilizou as pontas de prova positiva (+) e negativa (-) do multímetro, ligando-as alternadamente aos terminais do transistor para a obtenção das medidas. Foi verificado que os valores de resistência medidos eram baixos ou muito altos. O técnico então anotou os estados das medidas na tabela a seguir.
Em relação ao teste, é correto afirmar que o transistor
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043613
Eletrônica
Considere, na figura a seguir, os sinais A e B como entradas e S como o sinal de saída, sabendo que os resistores R e R2
foram dimensionados para que os transistores T1 e T2 operem como chave. Marque a alternativa que corresponde à
operação lógica executada por esse circuito.
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043612
Eletrônica
Para polarização do transistor foi aplicado o circuito com o divisor de tensão com pode ser visto na figura a seguir. Para
esse circuito, a corrente I1, IB e Ic são, respectivamente:
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043611
Eletrônica
Sabendo que os transistores no circuito a seguir operam na região ativa, a corrente que passa em RB e R1 são,
respectivamente:
Ano: 2024
Banca:
COTEC
Órgão:
Prefeitura de Montes Claros - MG
Prova:
COTEC - 2024 - Prefeitura de Montes Claros - MG - Técnico em Eletrônica |
Q3043608
Eletrônica
Para o circuito regulador de tensão linear a seguir, desconsiderando a queda de tensão (Vbe) no transistor, marque a
alternativa que mostra, respectivamente, a sua tensão de saída (V0) e a corrente do diodo Zener (IZ):
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012496
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a alternativa incorreta.
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012491
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a afirmativa correta entre as alternativas a seguir.
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
Prefeitura de Passo Fundo - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - Prefeitura de Passo Fundo - RS - Eletrotécnico |
Q2538201
Eletrônica
É correto afirmar que, na região ativa, o transistor:
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514384
Eletrônica
Considere o circuito abaixo, que utiliza um transistor NMOS do tipo
enriquecimento.
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VT = 1 V;
•k′n (W/L)= 1 mA/V2; e
• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).
A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VT = 1 V;
•k′n (W/L)= 1 mA/V2; e
• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).
A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514383
Eletrônica
Considere o circuito abaixo:
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VBE = 0,7 V;
• β = 100; e
• VCEsat = 0,3 V.
A corrente que flui pelo emissor do TBJ em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VBE = 0,7 V;
• β = 100; e
• VCEsat = 0,3 V.
A corrente que flui pelo emissor do TBJ em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514381
Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis
que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações. Sobre
as configurações de amplificadores de estágio simples utilizando TBJ,
analise as afirmativas a seguir.
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364387
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a
tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento
das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção
no substrato, consequentemente, nessa região haverá um
fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons
negativos da fonte para o dreno do dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364386
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é
necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor
da tensão de limiar do dispositivo.
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