Questões de Concurso
Sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 120 questões
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245957
Eletrônica
Considere o arranjo amplificador apresentado na figura a seguir ajustado através dos seguintes parâmetros.
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245956
Eletrônica
Considere o seguinte circuito de polarização pela base composto por um transistor NPN com VBB = VCC = 15V, um resistor de
base RB
= 500kΩ, resistor de coletor RC
= 3kΩ e adotando o modelo ideal do transistor (queda de tensão nula entre base e emissor).
Sabendo que o arranjo exibe a reta de carga da imagem, é correto afirmar que os valores de ganho βCC associados respectivamente aos pontos de operação A, B e C valem, respectivamente:
Sabendo que o arranjo exibe a reta de carga da imagem, é correto afirmar que os valores de ganho βCC associados respectivamente aos pontos de operação A, B e C valem, respectivamente:
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245955
Eletrônica
Considere o seguinte circuito de polarização por divisor de tensão baseado no transistor bipolar de junção do tipo PNP e
alimentado por uma fonte de tensão VCC = −10 V. Os demais parâmetros do circuito são: R₁ = 10 kΩ, R₂ = 2,2 kΩ, RC = 5 kΩ e
RE
= 1,1 kΩ.
Adotando VBE = 0,7 V e desprezando a corrente de base (βCC >> 1), o valor da tensão emissor-coletor VEC do transistor é definida aproximadamente por:
Adotando VBE = 0,7 V e desprezando a corrente de base (βCC >> 1), o valor da tensão emissor-coletor VEC do transistor é definida aproximadamente por:
Ano: 2026
Banca:
UEPB
Órgão:
UEPB
Prova:
UEPB - 2026 - UEPB - Técnico em Laboratório (Eletrotécnica) |
Q4209564
Eletrônica
Em uma placa de interface digital, a saída de um estágio em coletor aberto deveria assumir nível alto quando o transistor estivesse
desligado. No entanto, o técnico observa que a tensão permanece próxima de zero, impedindo o reconhecimento lógico correto pelo
circuito seguinte. Para descobrir a causa, ele analisa a rede de pull-up e a existência de uma carga indevida conectada ao terra.
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Q4186562
Eletrônica
O circuito abaixo representa um modelo para transistores bipolares na configuração base-comum.
Assumindo condições ideais, o fator de amplificação do circuito é:
Q4185506
Eletrônica
Uma equipe da Engenharia Elétrica está desenvolvendo
um conversor CC-CC e discute qual dispositivo
semicondutor utilizar entre BJT, MOSFET e IGBT. Um
dos engenheiros explica que esses dispositivos possuem
características distintas. Nesse contexto, é CORRETO
afirmar que:
Ano: 2026
Banca:
Marinha
Órgão:
MARINHA
Prova:
Marinha - 2026 - MARINHA - Professor EBTT - Engenharia de Telecomunicações |
Q4154064
Eletrônica
Examine a figura abaixo.
O circuito amplificador acima tem, como entrada, a tensão vi e, como saída, a tensão vo. Assim, assinale a opção que apresenta o valor aproximado da componente DC de vi de modo a obter máxima excursão do sinal de saída.
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090266
Eletrônica
Em aplicações de eletrônica de potência, o
MOSFET é amplamente utilizado como chave
estática de alta eficiência. Considerando seu
comportamento estático, o MOSFET de potência
opera como uma chave de baixa resistência
quando está na região
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090257
Eletrônica
O IGBT é amplamente utilizado em aplicações de
média e alta potência devido à sua baixa perda em
condução e facilidade de acionamento. Entretanto,
comparado ao MOSFET, o IGBT apresenta
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090255
Eletrônica
Considere um transistor NPN operando na região
ativa direta. Sabe-se que o modelo simplificado em
regime DC estabelece:
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090251
Eletrônica
O modelo quadrático do MOSFET de canal n no
regime de saturação, desprezando-se efeito de
modulação do comprimento de canal, é:
Considere um MOSFET com kn =0,4A/V2, VT =2V, operando com VGS = 6V.
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será
Considere um MOSFET com kn =0,4A/V2, VT =2V, operando com VGS = 6V.
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANSA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ANSA - Ênfase 24: Projetos, Construção e Montagem – Elétrica |
Q4084227
Eletrônica
Julgue o item a seguir, relativo a conceitos e características de dispositivos em eletrônica analógica.
A resistência de saída de um transistor bipolar de junção real é finita devido ao efeito Early.
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ANSA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ANSA - Ênfase 19: Manutenção – Instrumentação |
Q4083442
Eletrônica
Texto associado
No circuito eletrônico a seguir, construído com transistor
TBJ do tipo npn, a tensão no emissor (VE) é −0,7 V e o ganho de
corrente (β) é 50.
A partir dessas informações, julgue o item a seguir.
iE = 1 mA.
Q3981911
Eletrônica
Um transistor de junção bipolar consegue amplificar um sinal
sem distorção, caso ele opere:
Q3981896
Eletrônica
Em uma configuração Darlington com 2 transistores, na qual
o segundo transistor tem um ganho de corrente 3 vezes maior que
o ganho “X” do primeiro transistor, o ganho total sobre a corrente
de entrada “I” será de:
Q4213772
Eletrônica
Em um amplificador de sinal pequeno utilizando um
transistor bipolar, qual configuração oferece o maior ganho
de tensão?
Ano: 2025
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
UFABC
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2025 - UFABC - Técnico de Laboratório - Área: Mecatrônica |
Q4093954
Eletrônica
Em um circuito com transistores bipolares de
junção (BJT), o funcionamento na chamada região
ativa ocorre quando o dispositivo atua como
amplificador, controlando a corrente de coletor a
partir da corrente de base. Assim, para que um
transistor NPN opere corretamente nessa região,
as junções base-emissor e coletor-base devem
estar
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272497
Eletrônica
Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum,
para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas:
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272494
Eletrônica
Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são,
respectivamente, de
Ano: 2025
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-RS
Prova:
FUNDATEC - 2025 - IF-RS - Professor EBTT - Eletrônica Analógica |
Q3265889
Eletrônica
Analise o circuito apresentado na Figura 2 abaixo:
Sobre o funcionamento do circuito apresentado na Figura 2, assinale a alternativa correta.
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