Utilizando o transistor bjt como chave e em função do nível lógico (alto ou baixo) de Va e Vb determine a saída Vo.



A sequência correta que apresenta a saída Vo do quadro anterior é

Determine no transistor BJT a corrente de base (I_b), corrente do coletor (I_c) e a diferença de potencial entre o coletor e o emissor (V_ce) para o circuito a seguir, onde a diferença de potencial entre a base e o emissor (V_be) = 1V e o ganho da corrente (β) = 100.  



Os valores de I_b, I_c e V_ce são, respectivamente,

Observe a figura a seguir.

Qual o ganho de corrente total (β) dos transistores Q1 e Q2 (conectados em configuração Darlington)? (Os ganhos de corrente de Q1 e Q2 valem, respectivamente, β1 e β2.)

Preencha corretamente as lacunas do texto a seguir quanto às características do dispositivo semicondutor descrito.

Transistor ____________ é um dispositivo semicondutor controlado por ____________ que apresenta ____________ impedância de entrada. Além disso, esse dispositivo apresenta alta capacidade de corrente e baixa corrente de saturação.

A sequência que preenche corretamente as lacunas é

Uma função de transferência foi extraída de um amplificador fonte comum, a qual, apresentada a seguir, indica a relação entre a tensão de saída V_o e a tensão de entrada V_i .

A frequência de corte inferior do amplificador é igual a, aproximadamente,

O transistor bipolar de junção é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado na construção de dispositivos eletrônicos. Avalie as afirmações sobre o funcionamento de um Transistor Bipolar de Junção (TBJ).

I - Na região ativa de um amplificador emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.

II - O parâmetro β de um transistor TBJ aumenta com a diminuição da temperatura.

III - O teorema da superposição é aplicável à análise e ao projeto das componentes CC e CA de um circuito TBJ, permitindo a separação da análise das respostas CC e CA do sistema.

IV - O ganho de tensão com carga de um amplificador emissor-comum é menor do que o ganho de tensão sem carga.

Está correto apenas o que se afirmar em  

Considerando os semicondutores, destaca-se o transístor de efeito de campo – FET, cujas propriedades se diferem de um transistor bipolar. Portanto, quando comparado a um transistor bipolar, é INCORRETO afirmar que: 

Em uma planta industrial há um CCM (Centro de Controle de Motores). Cada motor elétrico tem sua lógica de controle e proteção. A lógica de controle e proteção de certo motor é feita por sensores eletrônicos e a sinalização de defeitos realizada pelo diodo emissor de luz – Led do circuito apresentado. A lógica de controle e proteção comanda os contatos reversores – acb exibidos no circuito abaixo: quando tudo está normal – o ponto c se fecha com b e o Led estará apagado; quando existir defeito no motor – o ponto c se fecha com a e o defeito será sinalizado com Led aceso. A configuração transistorizada do circuito foi realizada a partir de um transistor bipolar NPN, de uso geral, com Vbe = 0,7 V e ganho de corrente Ic/Ib = 100; Vce de saturação igual a 0V (zero); fonte de alimentação com 5Vcc; Led que funciona com 2V e absorve uma corrente de 10 mA. (Desconsidere as perdas nos condutores do circuito.)






Assinale os valores corretos de resistências para os resistores Rc e Rb.

O dispositivo a seguir foi utilizado para amplificar um sinal elétrico em um processo de condicionamento de sinais. O dispositivo MOS tem uma admitância de transferência de 4,5 mA/V.





Se a resistência de carga é igual a 5k Ohms, o ganho de estágio será de, aproximadamente:

 O diodo emissor de luz (LED, em inglês Light-Emitting Diode) é um tipo de componente eletrônico semicondutor que emite luz e tem ampla utilização na eletrônica. As luminárias de letra utilizando LEDs são frequentemente objeto de projetos para sinalização luminosa e devido ao baixo custo dos componentes possuem larga aplicação.
      Um exemplo de circuito projetado para iluminar a letra E é mostrado a seguir. Foram utilizados 8 LEDs acionados por um transistor operando como chave. A alimentação do circuito é de 12 V. Como dados do projeto, considere a tensão coletor-emissor de saturação do transistor VCE_SAT = 1,0V, corrente do LED I_LED = 20mA e tensão do LED V_LED = 2,0V.





Para o projeto desse circuito, pergunta-se quais serão, respectivamente, o valor de R4 e a corrente que passará pelo coletor do transistor Q1?

Considere as afirmativas:

I. Após ser desconectado de uma fonte de tensão, o capacitor continua carregado.

II. Uma das operações para o transistor bipolar é operar como uma chave controlada.

III. Um transistor pode operar como uma fonte de corrente e como amplificador.

Assinale a alternativa correta:

A figura a seguir mostra um circuito amplificador com transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração coletor comum.

Na configuração mostrada, a tensão de saída tem

A figura a seguir mostra a curva característica de um transistor bipolar de junção do tipo NPN, destacando quatro regiões: 1, 2, 3 e 4.

Na figura mostrada, o transistor comporta-se como chave fechada na região

Observe o circuito ilustrado a seguir:

O circuito acima apresenta um transistor de ganho elevado, polarizado em emissor comum. Considerando que esse transistor está conduzindo corrente e que a queda de tensão entre a base e o emissor é de 0,7 V, é CORRETO afirmar:

Analise o circuito a seguir, utilizando o teorema de Thevenin.

No ponto J1, a tensão e a resistência de Thevenin são, respectivamente, iguais a:

Um transistor de junção bipolar (TJB) pode ser polarizado para operar em três regiões. Em aplicações de chaveamento, um estado da chave corresponde à operação do TJB em uma região e no outro estado o TJB opera em outra região. As regiões em que deve operar o TJB para ser usado nesse tipo de aplicação são

No circuito abaixo, determine a tensão nos terminais do resistor RC. Considere a tensão coletor-emissor igual a 0,7 V.