O texto abaixo descreve o procedimento da soma de dois números com relação às unidades lógicas e aritméticas (ULAS).

"A unidade de ________ recebe as instruções da unidade de ___________ especificando que o número armazenado em um determinado endereço da memória será somado ao número armazenado no ___________. O número a ser somado é transferido _________ para um __________. Os números do ___________ e do ___________ são somados no circuito lógico e o resultado é enviado para o acumulador. O número no acumulador pode ser mantido para uma nova operação de soma com outro número ou armazenado na memória."

Assinale a alternativa que contenha o conteúdo e a ordem CORRETA que preencha as lacunas do texto acima.

Com relação às estruturas de memória, avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.

( ) As células das memórias RAMS estáticas são essencialmente flip-flops que permanecem em um dado estado indefinidamente, desde que a alimentação de seus circuitos sejam interrompidas periodicamente.

( ) As memórias RAMS dinâmicas são fabricadas utilizando capacitadores MOS, se destacam pe as altas capacidades de armazenamento e requerem uma operação denominada de refresh que pode ser implementada por circuitos externos ou incorporados ao chip da memória.

( ) As células de uma memória PROM são fabricadas utilizando transistores MOS e podem ser apagadas, ao mesmo tempo, quando expostas à luz ultravioleta. Uma vez apagadas, as células podem ser reprogramadas.

Marque a opção que a sequência CORRETA, de cima para baixo:

Na linguagem VHDL existem alguns tipos de dados que são pré-definidos no pacote padrão Sobre este assunto (VHDL), avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.

( ) Os objetos devem ser declarados segundo uma especificação de tipo, sendo permitida a transferência de valores diferentes entre objetos de tipos diferentes.

( ) bit_vectore_string são exemplos de declarações de tipos compostos.

( ) Como os tipos escalares são ordenados, não podem ser aplicados os operadores: maior, menor.

( ) O tipo INTEGER representa um número inteiro de 32 bits e é recomendado limitar a faixa de valores na declaração.

Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:

Conforme o estabelecido no Decreto nº 5840/06, que institui, no âmbito federal, o Programa Nacional de Integração da Educação Profissional com a Educação Básica na Modalidade de Educação de Jovens e Adultos - PROEJA, marque (V) para as afirmativas verdadeiras e (F), para as falsas.

( ) As instituições federais de educação profissional devem ofertar o PROEJA desde 2006.

( ) A oferta do PROEJA poderá ser articulada com as instituições públicas dos sistemas de ensino estaduais e municipais e entidades privadas nacionais de serviço social, aprendizagem e formação profissional vinculadas ao sistema sindical (“Sistema S”).

( ) O PROEJA abrangerá formação inicial e continuada de trabalhadores; e educação profissional técnica de nível médio.

( ) Os cursos e programas do PROEJA deverão considerar as características dos jovens e adultos atendidos, e deverão ser articulados ao ensino fundamental, no caso da formação inicial e continuada de trabalhadores e ao ensino médio no caso de cursos técnicos.

Assinale a alternativa que contém a sequência CORRETA de cima para baixo.

Os procedimentos pedagógicos para a Educação de Jovens e Adultos  ̶ EJA singularizam-se em função da natureza específica do público a que se destinam. Em respeito às especificidades dessa modalidade de ensino, faz-se necessário traçar diretrizes e indicadores metodológicos a fim de auxiliar os estudantes jovens e adultos em suas construções cognitivas.

Nessa direção, o processo ensino-aprendizagem para os estudantes de cursos vinculados à modalidade EJA no IFRN pressupõe, dentre outras, a seguinte orientação: 

Essa teoria postula que a aprendizagem ocorre quando novas ideias ou informações se relacionam com conceitos relevantes e disponíveis na estrutura cognitiva do estudante predisposto a aprender. Orienta que o conteúdo a ser trabalhado em sala de aula deve ser flexível em relação à experiência de vida do estudante. Trata-se, ainda, de uma teoria que defende a valorização dos conhecimentos prévios necessários à construção das estruturas mentais, permitindo ao estudante (re)construir conhecimentos de natureza diversa.

Trata-se da teoria da aprendizagem

De acordo com a Lei 11.741/2008, a educação profissional técnica de nível médio deve ser desenvolvida em duas formas: articulada com o ensino médio e subsequente. Essa última forma objetiva ofertar cursos destinados aos estudantes que tenham concluído

No Brasil, a Educação Profissional e a Educação de Jovens e Adultos ̶EJA, duas das modalidades de ensino previstas na Lei de Diretrizes e Bases da Educação Nacional  ̶  LDB (Lei n. 9.394/1996), passaram a ocupar maior espaço nas agendas da política educacional a partir dos anos de 1990.
Nesse contexto, há um Programa considerado pioneiro, instituído por decreto do Governo Federal em 2005 e redimensionado em 2006. Apresenta como uma das finalidades a elevação da escolaridade dos brasileiros e concebe a escola como locus integrante e atuante nas dinâmicas sociais. Trata-se do Programa

De acordo com o Projeto Político-Pedagógico ̶PPP do IFRN, uma proposta educativa que vise articular educação profissional e tecnológica, educação básica e educação de jovens e adultos na perspectiva do currículo integrado deve fundamentar-se, teórico-metodologicamente, nos princípios da politecnia, da formação omnilateral, da interdisciplinaridade e da contextualização.

Uma ação educativa pautada por princípios dessa natureza pressupõe um perfil esperado de discentes que abarque, dentre outros, o seguinte aspecto:

A organização curricular dos cursos técnicos de nível médio no IFRN tanto se ancora em bases filosóficas, epistemológicas, metodológicas, socioculturais e legais como se orienta em concepções de sociedade, trabalho, cultura, educação, ciência e tecnologia e ser humano. Essa orientação expressa-se nos fundamentos e nos princípios do currículo integrado assumido pelo Projeto Político-Pedagógico Institucional.

Guiando-se por esse referencial, uma organização curricular situada sob tais bases deve reger-se, dentre outros, pelos seguintes princípios:

Com a publicação da Lei n. 11.892/2008, a Rede Federal de Educação Profissional, Científica e Tecnológica adquiriu uma nova institucionalidade, passando a articular educação básica, superior e profissional, de forma pluricurricular e multicampi. Como Instituição integrante dessa Rede, o Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte-IFRN vem ampliando as suas ofertas pelos diversos campi, contemplando modalidades e ofertas distintas.

Considerando essa abrangência e as normatizações estabelecidas no Projeto Político-Pedagógico da Instituição, todas as ofertas do IFRN devem organizar-se por meio de 

O IFRN, de natureza jurídica de autarquia e detentora de autonomia administrativa, patrimonial, financeira, didático-pedagógica e disciplinar, declara e assume oficialmente a função social de

Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.

Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,

Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 10¹⁶ cm^-3 e concentração de dopantes doadores ND= 10¹⁵ cm^-3 .

Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 10¹⁰ cm^-3 e constante dielétrica do semicondutor ε_s = 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,

Para responder a questão, considere o texto abaixo.

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 10⁴ é o seu ganho de malha aberta.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de

Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de

Analise a figura abaixo que representa um circuito de polarização DC do amplificador fonte comum (FC), com tensão entre a porta e a fonte (V_GS) igual a 2,39 V e transistor de efeito de campo (FET) com as seguintes características: tensão de limiar de condução Vth= 1,2 V, parâmetros de processo e λ = 0,004V^-1 .

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para a condição de polarização estabelecida, os respectivos valores da transcondutância (gm) e do resistor de saída para pequenos sinais do FET são