Questões de Concurso
Para if-rn
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Analise a imagem a seguir, que representa o circuito de entrada de uma fonte do padrão ATX.
Os componentes do circuito
Normalmente, em sua entrada, as fontes de alimentação de equipamentos eletrônicos possuem um circuito de proteção contra falhas da rede ou do equipamento.
Entre os dispositivos que fazem parte desse circuito, está o
Há programas que realizam a duplicação ou a clonagem de discos, permitindo que se crie uma imagem ou um “espelho” da instalação corrente para replicação em vários computadores.
Possuem essa funcionalidade os softwares
Ao se deparar com um computador com defeito, um técnico percebeu que o equipamento não estava ligando. Após alguns testes, ele desconfiou de falhas na fonte de alimentação. Sabendo que a fonte é do padrão ATX, há uma forma de simular o sinal de Power On (ligar), para que a fonte ative as principais tensões de saída.
Essa simulação é feita por meio de uma ligação (jumper) entre os fios
A utilização de softwares que retornem informações do sistema, incluindo o hardware da máquina, permite descobrir características de um computador.
São exemplos desse tipo de software:
Um pente de memória defeituoso pode causar diferentes falhas na utilização de um computador. É recomendado que se faça um diagnóstico das memórias principais (RAM) em caso de falhas intermitentes ou de não inicialização do sistema operacional.
Para esse fim, são adequados os programas
Em sua dimensão pedagógica, o Projeto Político-Pedagógico ̶ PPP do IFRN prevê princípios e diretrizes norteadores de ações pedagógicas a serem desenvolvidas em sintonia com a pedagogia crítica.
Ancorando-se nesse documento institucional, são princípios orientadores da prática pedagógica do IFRN
Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3= 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter (hFE) na faixa de 15 a 75.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de
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Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.
Fonte: FUNCERN, 2017.
O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de
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Analise a figura abaixo que representa um circuito de polarização DC do amplificador fonte comum (FC), com tensão entre a porta e a fonte (VGS) igual a 2,39 V e transistor de efeito de campo (FET) com as seguintes características: tensão de limiar de condução Vth= 1,2 V, parâmetros de processo K𝑛` =0,7 𝑚𝐴 /𝑉2 e = 0,004 V-1.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para a condição de polarização estabelecida, os respectivos valores da transcondutância (gm) e do resistor de saída para pequenos sinais do FET são
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A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP= - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP= 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC= - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC= 1,31 x 10-9 A.
A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de
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Analise a figura abaixo que representa um circuito em que a diferença de potencial medida entre os pontos A e B é igual a zero Volt.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para atender à condição imposta, os respectivos valores de Cx e Rx são
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Analise a figura abaixo, que projeta um circuito RC-AmpOp representativo de um filtro ativo.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os amplificadores operacionais ideais e a tensão de entrada (Vi) uma senóide, com 50 mV de pico, as frequências de corte inferior e superior e o valor médio quadrático da tensão de saída (Vo), para frequências no interior da banda de passagem, respectivamente, são
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