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Observe os desenhos a seguir.
As imagens dos itens representam, respectivamente, conectores de áudio e vídeo dos tipos
Em sua dimensão pedagógica, o Projeto Político-Pedagógico ̶ PPP do IFRN prevê princípios e diretrizes norteadores de ações pedagógicas a serem desenvolvidas em sintonia com a pedagogia crítica.
Ancorando-se nesse documento institucional, são princípios orientadores da prática pedagógica do IFRN
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3= 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
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A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP= - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP= 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC= - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC= 1,31 x 10-9 A.
A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de
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Analise a descrição abaixo de estados de um sistema sequencial.
𝑠(𝑡 + 1) =
z(t) =
Assinale a opção que representa o diagrama de estados obtido, diretamente, dessas expressões.
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Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.
As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são
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Analise a figura abaixo, que representa uma estrutura de portas complexas.
Fonte: FUNCERN, 2017.
A função lógica que representa a saída Z do circuito é
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Em relação ao controle e acionamento de máquinas elétricas, é correto afirmar que
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Analise a figura abaixo, que representa um circuito elétrico.
Fonte: FUNCERN, 2017.
O valor da impedância ZL, para que a potência na carga seja máxima, é de
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Um chopper step-up opera com uma frequência de chaveamento de 2 kHz a partir de uma fonte de alimentação DC no valor de 100 V.
Considerando a resistência da carga no valor de 2 Ω e a tensão de saída no valor de 250 V, o valor do tempo em que a chave fica ligada durante cada ciclo é, aproximadamente, de
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Em relação aos dispositivos lógicos programáveis, o FPGA
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Analise a figura abaixo, que representa um circuito elétrico.
Fonte: FUNCERN, 2017.
A impedância total entre os pontos B e C é
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Observe o diagrama de estados abaixo, que representa uma máquina de estados finitos:
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando que a sequência de sinais de entrada é 𝐴,, 𝐵,𝐴 e o estado inicial é S0, o diagrama acima representa, na classificação de máquinas de Mealy e de Moore, uma máquina do tipo
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Considere os dados de placa nominal do motor elétrico representados na figura abaixo.
Adaptado de: <http://old.weg.net/br/Media-Center/Central-de-Downloads/Resultado-daBusca?keyword=guia+pr%C3%A1tico+de+treinamento&x=32&y=12 >. Acesso em: 16 jul. 2017.
Considerando os dados da placa apresentados na figura, em condições nominais de operação, o motor
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