Questões de Concurso
Sobre eletrônica de potência na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 255 questões
Ano: 2024
Banca:
IF-SP
Órgão:
IF-SP
Prova:
IF-SP - 2024 - IF-SP - Professor EBTT - Controle e Automação |
Q3048306
Engenharia Eletrônica
O funcionamento de inversor de frequência consiste na variação da frequência que alimenta o motor
de indução trifásico, por meio de um circuito de controle e dispositivos de estado sólido, inicialmente tiristores e, nos dias atuais, IGBT’s. Porém, operar um motor com frequências abaixo ou acima da sua frequência nominal pode trazer dificuldades à operação. A figura a seguir mostra uma curva operacional típica que
os fabricantes divulgam para evitar danos ao motor, em que um fator é aplicado ao conjugado nominal para
determinar sua capacidade de trabalho.
Fonte: FRANCHI, C. M. Acionamentos Elétricos.São Paulo: Érica, 4ª edição, 2014.
Assim, sobre operações com inversores de frequência, assinale a alternativa correta.
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
SEMAE de São Leopoldo - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - SEMAE de São Leopoldo - RS - Eletrotécnico |
Q3021003
Engenharia Eletrônica
Considerando a Figura 6 abaixo, assinale a alternativa que apresenta o tipo de
equipamento e função que está realizando, respectivamente.
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
SEMAE de São Leopoldo - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - SEMAE de São Leopoldo - RS - Eletrotécnico |
Q3020997
Engenharia Eletrônica
Determine o FP (fator de potência) de uma instalação cujos valores de potência ativa
(P) e reativa (Q) são:
Considere arredondamentos a partir da segunda casa decimal.
Considere arredondamentos a partir da segunda casa decimal.
Ano: 2024
Banca:
IV - UFG
Órgão:
IFN-MG
Prova:
IV - UFG - 2024 - IFN-MG - Professor EBTT - Engenharia Elétrica |
Q2562426
Engenharia Eletrônica
Os transistores de efeito de campo (JFET e MOSFET)
representam um grande avanço na eletrônica por
propiciarem uma redução considerável nos níveis de
potência nos dispositivos eletrônicos bem como o aumento
da densidade em circuitos integrados quando comparados
aos transistores bipolares de junção (TBJ). Por outro lado,
ao serem empregados como amplificadores de sinais, os
transistores de efeito de campo
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523621
Engenharia Eletrônica
Considere um projeto que emprega uma fonte de alimentação e um IGBT para alimentar uma carga puramente resistiva de 20Ω, onde a corrente média na carga é controlada pelo chaveamento do IGBT
Sabe-se que, nesse projeto, a tensão da fonte de alimentação é 120 V, a tensão queda de tensão entre coletor e emissor do IGBT é 4 V e a corrente média da carga é 2,32 A.
Diante do exposto, o ciclo de trabalho do circuito de chaveamento, em valores percentuais, é
Sabe-se que, nesse projeto, a tensão da fonte de alimentação é 120 V, a tensão queda de tensão entre coletor e emissor do IGBT é 4 V e a corrente média da carga é 2,32 A.
Diante do exposto, o ciclo de trabalho do circuito de chaveamento, em valores percentuais, é
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523619
Engenharia Eletrônica
Considere um projeto de um conversor CC-CC abaixador, que opera com tensão de entrada de 30 V, potência de saída de 15 W e frequência de chaveamento é 100 kHz.
Considerando que o conversor opere em modo de condução contínuo e que a razão de trabalho de chaveamento (ou ciclo de trabalho) é 0,4, a corrente média de saída, em A, é
Considerando que o conversor opere em modo de condução contínuo e que a razão de trabalho de chaveamento (ou ciclo de trabalho) é 0,4, a corrente média de saída, em A, é
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523618
Engenharia Eletrônica
Um fabricante de baterias hipotético define a propriedade denominada Status da bateria, como indicador de tempo de vida útil da sua bateria experimental.
Considere que essa propriedade seja dependente exclusivamente do número de cargas (NC) e possa ser aproximada pela equação
Em que:
• NC é o número de cargas; e
• Status da bateria.
De acordo com as especificações, a bateria deverá ser substituída quando seu Status for menor que 50.
Dados:
Diante do exposto, o número máximo de cargas a que a bateria poderá ser submetida antes da substituição é
Considere que essa propriedade seja dependente exclusivamente do número de cargas (NC) e possa ser aproximada pela equação
Em que:
• NC é o número de cargas; e
• Status da bateria.
De acordo com as especificações, a bateria deverá ser substituída quando seu Status for menor que 50.
Dados:
Diante do exposto, o número máximo de cargas a que a bateria poderá ser submetida antes da substituição é
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523592
Engenharia Eletrônica
O projeto de fontes de alimentação de corrente contínua pode ser dividido em etapas, tais como a retificação e a regulação. É possível inserir um estágio adicional de filtragem composto por um resistor e um capacitor, após o capacitor de filtragem original.
Tal inserção tem como objetivo principal
Tal inserção tem como objetivo principal
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - Petrobras - Técnico Júnior - Ênfase: Manutenção - Elétrica |
Q2443199
Engenharia Eletrônica
Julgue o item a seguir, relativos a potência ativa, reativa e aparente e a fator de potência.
Se um gerador for conectado a uma carga puramente
resistiva, a potência ativa será igual à potência reativa.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381486
Engenharia Eletrônica
Considere que um gerador trifásico balanceado produza uma tensão de fase igual a 220 V e esteja ligado a uma carga trifásica equilibrada, com impedâncias iguais a 22 Ω, ligadas em triângulo. Nesse caso, admitindo-se √3 = 1,73, a tensão de linha e corrente de linha serão, respectivamente, iguais a
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364441
Engenharia Eletrônica
Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10−6 Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2 /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364434
Engenharia Eletrônica
Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.
Um MCM é um empacotamento eletrônico que consiste em
vários circuitos integrados montados em um único
dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364430
Engenharia Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).
O objetivo do processo de soldagem por refusão empregado em componentes SMD é fundir as partículas de solda, “molhar” as superfícies a serem unidas e solidificar a solda em uma junta, metalurgicamente, forte.
O objetivo do processo de soldagem por refusão empregado em componentes SMD é fundir as partículas de solda, “molhar” as superfícies a serem unidas e solidificar a solda em uma junta, metalurgicamente, forte.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364429
Engenharia Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme
espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com
componentes SMD (surface mounting devices).
A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.
A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364428
Engenharia Eletrônica
A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.
Wire bonding envolve uma pressão localizada precisamente
entre o fio e uma região metalizada do circuito ou do
terminal do empacotamento a ser soldado, sem aquecer
excessivamente toda a estrutura.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364426
Engenharia Eletrônica
A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.
Ball bonding é uma forma de ligação conhecida como
termosônica, em que se combina compressão ultrassônica e
termocompressão.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364423
Engenharia Eletrônica
Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.
No que se refere ao atendimento do aumento de requisitos de
frequência de operação e de demanda por maior número de
interconexões internas, a capacidade de empacotamento de
(CI) é ilimitada, devido à tecnologia de wire-bonding na
periferia do componente.
Q4230371
Engenharia Eletrônica
Texto associado
ERICKSON.; R; MAKSIMOVIC, D. Fundamentals of power electronics. 2ª. ed. Kluwer Academic Publishers, 2004.
O campo da eletrônica de potência se refere ao processamento de potência elétrica utilizando dispositivos eletrônicos, cujo elemento fundamental é o conversor chaveado. A figura mostra um diagrama esquemático simplificado de um conversor de tensão dc-dc.
Acerca das informações apresentadas e considerando aspectos gerais de eletrônica de potência, acionamentos e controles elétricos, julgue (C ou E) o item a seguir.
O transistor mostrado no circuito opera como um
amplificador linear, efetivamente controlando,
aumentando ou diminuindo a corrente demandada pela
carga.
Q2361801
Engenharia Eletrônica
A área útil ocupável pelos condutores pode ser determinada a partir dos seguintes
dados:
• De – diâmetro externo do eletroduto, em mm.
• ∆De – variação do diâmetro externo, em mm.
• Ep – espessura da parede do eletroduto, em mm.
Considerando:
• De = 62,5 mm
• ∆De = 0,7 mm
• Ep = 2,5 mm
Qual é a área útil compatível de um eletroduto de PVC rígido, tamanho 60, classe B?
• De – diâmetro externo do eletroduto, em mm.
• ∆De – variação do diâmetro externo, em mm.
• Ep – espessura da parede do eletroduto, em mm.
Considerando:
• De = 62,5 mm
• ∆De = 0,7 mm
• Ep = 2,5 mm
Qual é a área útil compatível de um eletroduto de PVC rígido, tamanho 60, classe B?
Q2361797
Engenharia Eletrônica
Um motor de indução trifásico, conectado em Y, com quatro polos, 30 HP, 127 V,
50 Hz, solicita uma corrente de 65 A da rede de alimentação, com um fator de potência de 0,85.
Nessas condições de operação, as perdas do motor são as seguintes:
• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.
• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.
• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.
• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.
• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.
• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.
• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.
• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.
Assinale a alternativa que apresenta a potência transferida através do entreferro.
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