Questões de Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica para Concurso

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Q2361796
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |
Q2361796 Engenharia Eletrônica
O circuito da figura apresenta um transformador ideal em que a impedância R2 + jX2 = 5 + j20 Ω está conectada em série com o secundário. A relação de espiras é N1 / N2 = 5:1. Considere uma tensão eficaz de primário de 220 V. Partindo de um circuito equivalente cuja impedância em série esteja referida ao primário, assinale a alternativa que informa a corrente do primário na ordem apresentada.
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Alternativas
Q2361795
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |
Q2361795 Engenharia Eletrônica
Em unidades do SI, a permeabilidade do vácuo é µ0 = 4π x 10−7 henrys por metro. A permeabilidade dos materiais magnéticos lineares pode ser expressa em termos de sua permeabilidade relativa µr, ou seja, seu valor relativo ao do vácuo, ou µ = µrµ0 (Umans, 2014). Qual é a variação aproximada dos valores típicos de μr para os materiais usados em transformadores e máquinas rotativas?
Alternativas
Q2254472
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Tiristor ,
Ano: 2023 Banca: IF-MG Órgão: IF-MG Prova: IF-MG - 2023 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Área Eletroeletrônica |
Q2254472 Engenharia Eletrônica

Observe os tiristores mostrados abaixo. É correto se afirmar que:


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Alternativas
Q2252817
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Tiristor ,
Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRE-GO Prova: CESPE / CEBRASPE - 2009 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Serviços Gerais - Eletricidade e Telecomunicações |
Q2252817 Engenharia Eletrônica
Em um retificador controlado de silício (silicon controlled rectfier – SCR), o disparo é controlado por meio do(a) 
Alternativas
Q2252007
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252007 Engenharia Eletrônica
Relacione os parâmetros híbridos do transistor emissor comum com os seus respectivos significados. 
I. hoe          a.    ganho direto de corrente II. hie          b.    admitância de saída III. hre         c.    impedância de entrada IV. hfe         d.    ganho reverso de tensão
Alternativas
Respostas
11: A
12: C
13: E
14: C
15: D
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