Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 961 questões
Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.
Antes do processo de recombinação, a diferença entre as
energias do elétron e do buraco em um LED azul é maior do
que a diferença entre as energias do elétron e do buraco em
um LED vermelho.
Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.
A cor da luz emitida por um LED depende
fundamentalmente da frequência de luz incidente, razão pela
qual o encapsulamento desses dispositivos tende a ser
transparente ou translúcido.
Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.
Em geral, ao se conectar o anodo de um LED ao terminal
negativo e o catodo ao terminal positivo de uma fonte de
corrente contínua, o dispositivo tende a não emitir luz.
Julgue o item a seguir, relativo a fundamentos de montagem de circuitos integrados.
O processo de montagem de circuitos integrados permite
conectar eletricamente os pads de ligação do circuito
integrado e os pads de ligação do receptáculo.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a
dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à
largura do canal do MOSFET.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre
os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os
portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma
semelhante aos de um transistor bipolar.

Nesse circuito, ao considerar que VCC = 12V, VCE = 2,5V, e IB = 20µA, o valor de RE será, aproximadamente,

Quando a corrente medida no amperímetro considerado ideal for de 1,45 A, a tensão nominal (VZ), no diodo Zener, é, aproximadamente, igual a
Considere os seguintes ajustes para o canal 1:
• V/div = 4 V
• sec/div = 10 µs
Qual é a amplitude do pulso e a frequência do sinal, respectivamente?
Considere que v1 = 2,002 V, v2 = 2,011 e R = 12 kΩ. Se RG for ajustado para 320 Ω, qual será o valor da tensão de saída (v0)?
Polarizar a base produz um valor fixo na corrente da base, enquanto polarizar o emissor produz uma corrente fixa no emissor (1ª parte). A polarização da base é mais aplicada em circuitos amplificadores, enquanto a polarização do emissor é predominante em circuitos de chaveamento (2ª parte). Quando um transistor está saturado, um aumento na corrente da base produz uma corrente menor no coletor (3ª parte).
Quais partes estão corretas?
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
1. O efeito termoelétrico é utilizado para a medição da temperatura.
2. O efeito Josephson é utilizado para a medição da diferença de potencial elétrico.
3. O efeito Doppler é utilizado para a medição da velocidade.
4. O efeito Raman é utilizado para a medição do número de ondas de vibrações moleculares.
5. O efeito fotoelétrico é utilizado para a medição da quantidade de elétrons incidentes em uma superfície.
O resultado da somatória dos números correspondentes às afirmações corretas é:
