Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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I válvulas elétricas consumiam bem menos energia do que transistores eletrônicos.
II o surgimento do transistor possibilitou a integração e a miniaturização dos componentes eletrônicos.
III as mudanças advindas da criação do transistor foram mais perceptíveis na indústria da iluminação pública, impactando pouco na indústria de computadores.
Assinale a opção correta.
Observe a figura a seguir:
(https://www.hitexxmusic.com.br/. Adaptado)
No dispositivo periférico de áudio mostrado na imagem, o acionamento da chave PAD, indicada pela seta amarela, produz
É correto afirmar que o circuito da figura precedente
Julgue o item a seguir, a respeito da interação da radiação com a matéria.
Quando, geralmente na forma de luz visível ou ultravioleta, incide sobre a junção p-n de um dispositivo semicondutor, a radiação pode excitar os elétrons da faixa de valência desse dispositivo e os liberar para a faixa de condução, criando pares elétron-lacuna.
O circuito da figura a seguir representa uma fonte de corrente
Qual a corrente mais próxima da observada no resistor de carga (Rc) que vale 1,2 kΩ? Considere que o amplificador operacional seja ideal.
Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas.
( ) Baixa impedância de entrada.
( ) Maior imunidade a ruído.
( ) Menor estabilidade térmica.
( ) Fabricação relativamente simples.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.
São verdadeiras as afirmativas
O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a
Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 11ª edição, Boylestad, R.L; Nashelsky, L.
I. Para uma corrente ID de 9 mA, a tensão VD através do diodo é 0,8 V.
II. O nível de resistência cc do diodo quando VD = - 20 V é igual a 400 GΩ.
III. O diodo começa a conduzir a partir de VD = 0 V.
É(São) verdadeira(s) a(s) afirmativa(s)
Observe o diagrama a seguir.
Em relação ao diagrama de circuito mostrado acima, em que u é a tensão de entrada e y a de saída, assinale V (verdadeiro) ou F (falso) nas afirmativas seguintes.
(__) Se a relação entre os resistores for R2 > R1, o sinal de entrada é atenuado na saída.
(__) A configuração é de circuito tipo não inversor.
(__) O ganho desse sistema é 1 + R1 / R2.
A sequência correta é
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