Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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Observe a Figura 9 abaixo e determine o valor de Rf2 para que o ganho do circuito seja de 30dB.
Sabendo que a tensão de entrada no circuito da Figura 8 é Vin = 1V (Vp) ou 2V (Vpp), a saída Vout será:
Uma montagem feita em protoboard possui dois resistores ligados em paralelo:
• R1: Azul-Azul-Marrom – tolerância: dourado.
• R2: Laranja-Laranja-marrom - tolerância: dourado.
Por questões de espaço, tais resistores deverão ser substituídos pelo valor equivalente do paralelo,
que então será:
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
Considerando a imagem, marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as falsas.
( ) Quando a chave está conduzindo, tem‐se o carregamento do indutor e o capacitor mantendo a tensão na carga.
( ) Quando a chave está operando no corte, tem‐se a tensão da fonte em série com a tensão do indutor, produzindo, assim, uma redução da tensão na carga.
( ) A chave utilizada neste circuito é um MOSFET; porém, pode‐se utilizar IGBT ou BJT.
( ) O diodo Dm conduz quando o indutor está em processo de descarga.
( ) A forma de onda da tensão sobre o capacitor é aproximadamente triangular.
A sequência está correta em
Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.
Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.
O equipamento B deve ser construído com transistores de
efeito de campo do tipo MOSFET.
Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.
Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.
Pelas características de impedância de entrada mais elevada
e economia de potência para sinais digitais, o equipamento A
deve ser construído com transistores de efeito de campo,
em lógica complementar.
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