Questões de Concurso Sobre eletrônica
Foram encontradas 2.093 questões
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449172
Eletrônica
No que se refere à utilização de atuadores, julgue os seguintes
itens.
I Motores elétricos são utilizados como atuadores em sistemas de controle de posição e velocidade em robôs, máquinas industriais e em equipamentos como impressoras e unidades de disco de computadores.
II O uso de eletroímãs como atuadores apresenta como uma das principais vantagens o baixo consumo de energia, o que o torna ideal para aplicações em que esse fator é crítico.
III Válvulas solenoides utilizam pistões acoplados a eletroímãs para controlar o fluxo de líquidos ou de ar comprimido em aplicações industriais.
Assinale a opção correta.
I Motores elétricos são utilizados como atuadores em sistemas de controle de posição e velocidade em robôs, máquinas industriais e em equipamentos como impressoras e unidades de disco de computadores.
II O uso de eletroímãs como atuadores apresenta como uma das principais vantagens o baixo consumo de energia, o que o torna ideal para aplicações em que esse fator é crítico.
III Válvulas solenoides utilizam pistões acoplados a eletroímãs para controlar o fluxo de líquidos ou de ar comprimido em aplicações industriais.
Assinale a opção correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449171
Eletrônica
Acerca da linguagem Ladder e de suas características para
programação de controladores lógicos programáveis, assinale a
opção correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449170
Eletrônica
No que se refere aos sensores de proximidade, assinale a opção
correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449169
Eletrônica
Com relação à evolução e às características dos controladores
lógicos programáveis (CLP), assinale a opção correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449168
Eletrônica
Com base no circuito precedente e considerando os conceitos e componentes de eletrônica de potência, julgue os itens a seguir.
I O controle e o disparo dos SCRs acontecem aos pares, a partir de determinado ângulo, e na saída do circuito há uma onda completa.
II Os valores médios da corrente e da tensão são quatro vezes maiores do que os valores do retificador de meia-onda.
III O valor máximo da tensão na carga é igual a VRMS/√2 , em que VRMS é o valor eficaz da tensão de entrada VE.
Assinale a opção correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449166
Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra o mostrador de um amperímetro, é correto afirmar que
I trata-se de um amperímetro analógico de ferro móvel.
II esse amperímetro pode medir corrente contínua ou alternada com classe de exatidão 1.
III esse amperímetro deverá ser utilizado na posição horizontal.
Assinale a opção correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449164
Eletrônica
Considerando um circuito em que a potência aparente fornecida
à carga é 1 kVA e a potência ativa é 0,8 kW, julgue os itens a
seguir, assumindo que (1 – cos2θ)1/2 = 0,6.
I A potência reativa do circuito é 200 VAr.
II Se o módulo da corrente for 10 A, o módulo da impedância será igual a 10 Ω.
III O fator de potência do circuito está atrasado, portanto, o circuito é indutivo.
Assinale a opção correta.
I A potência reativa do circuito é 200 VAr.
II Se o módulo da corrente for 10 A, o módulo da impedância será igual a 10 Ω.
III O fator de potência do circuito está atrasado, portanto, o circuito é indutivo.
Assinale a opção correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletricista |
Q3448808
Eletrônica
Nos diodos que compõem os dispositivos eletrônicos, a corrente
de fuga
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletricista |
Q3448806
Eletrônica
A figura precedente ilustra um circuito
Ano: 2025
Banca:
COMVEST - UNICAMP
Órgão:
UNICAMP
Prova:
COMVEST - UNICAMP - 2025 - UNICAMP - Engenheiro Eletricista |
Q3404449
Eletrônica
Em um projeto de amplificador de áudio de alta potência,
é necessário decidir entre utilizar um transistor BJT ou
um transistor MOSFET na etapa de amplificação.
Considerando o comportamento desses dispositivos em
alta frequência, eficiência energética e características de
controle, analise as afirmativas abaixo e escolha a
alternativa correta sobre a principal diferença entre os
dois tipos de transistores.
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
UNIVESP
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - UNIVESP - Supervisor Pedagógico - Área de Atuação 2: Computação e Áreas Afins |
Q3345072
Eletrônica
Um transistor Darlington é formado por
Ano: 2025
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-AM
Prova:
FUNDATEC - 2025 - IF-AM - Engenheiro - Área Elétrica |
Q3273797
Eletrônica
Os controladores lógicos programáveis (CLPs) são, essencialmente, computadores
digitais que servem para controlar processos ____________. Ao contrário dos computadores para uso
geral, esses são desenvolvidos com várias ____________, faixas estendidas de temperatura,
imunidades para ____________ e resistência a vibrações e impactos.
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272502
Eletrônica
O diagrama de contatos (ladder) usado por um CLP para ligar um motor elétrico utilizando a função
“NAND” é mostrado na alternativa:
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272501
Eletrônica
Um Controlador Lógico Programável (CLP)
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272499
Eletrônica
O circuito com três Amplificadores Operacionais na figura abaixo representa um amplificador
Fonte: Eletrônica, Vol. 2. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272497
Eletrônica
Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum,
para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas:
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272494
Eletrônica
Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são,
respectivamente, de
Ano: 2025
Banca:
FADESP
Órgão:
UNIFESSPA
Prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial |
Q3272491
Eletrônica
Na teoria de semicondutores, em um material do tipo n, o elétron e a lacuna são chamados,
respectivamente, de
Ano: 2025
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-RS
Prova:
FUNDATEC - 2025 - IF-RS - Professor EBTT - Eletrônica Analógica |
Q3265895
Eletrônica
Analise o circuito apresentado na Figura 8 abaixo:
Considerando as informações apresentadas, determine a faixa de valores para o resistor R1 do circuito que garanta um ciclo liga-desliga do UJT. Realize arredondamentos a partir da segunda casa decimal.
Ano: 2025
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-RS
Prova:
FUNDATEC - 2025 - IF-RS - Professor EBTT - Eletrônica Analógica |
Q3265889
Eletrônica
Analise o circuito apresentado na Figura 2 abaixo:
Sobre o funcionamento do circuito apresentado na Figura 2, assinale a alternativa correta.
Conheça nossos planos