Questões de Concurso Sobre eletrônica
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Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é
necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor
da tensão de limiar do dispositivo.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A mobilidade de portadores em materiais semicondutores
depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do
dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo
elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Os semicondutores do tipo silício puro são classificados
como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes
condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da
indústria de circuitos microeletrônicos.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A energia da banda proibida é o valor mínimo de energia
necessário para liberar um elétron de sua ligação covalente.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se
movem da região de maior concentração para a região de
menor concentração; esse movimento define uma corrente
elétrica denominada corrente de difusão.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Uma junção p-n entra em equilíbrio quando o campo elétrico
da região de depleção atinge um valor nulo e interrompe as
correntes de deriva, ou seja, no equilíbrio, as correntes de
deriva criadas pelo campo elétrico são canceladas, resultando
na junção somente as correntes de difusão, criadas pelos
gradientes de concentração.
A expressão booleana simplificada é igual a
Os circuitos das figuras 1 e 2 apresentam, em suas saídas E e F, resultados equivalentes aos produzidos, respectivamente, pelas portas lógicas
Se os valores de R1, R2, R3 e Vcc forem, respectivamente, 220Ω, 100Ω, 1kΩ e 5,0V, o valor da corrente elétrica Is, quando o LED acender, será igual a
Considerando que, nesse circuito, o amplificador operacional é ideal, o resistor tem uma resistência de 5 MΩ e o capacitor, uma capacitância de 10 μF, a função de transferência que relaciona o sinal de saída (V0) e o sinal de entrada (Vi), no domínio da frequência [V0(s)/Vi(s)] para esse circuito, é igual a
Considerando que a saída Q é iniciada em 0 e o tempo de hold do flip-flop é igual a zero, a saída Q irá comutar para 1 no instante t igual a
O circuito apresentado na sequência representa um LATCH com portas NAND.
Para que a saída do circuito seja Q=1, deve-se ter na entrada
Considere o circuito combinacional apresentado na sequência.
A saída z simplificada do circuito lógico acima é dada por
o ganho de corrente do transistor BDC é
Analise o circuito apresentado a seguir:
Considerando que a tensão entre a base e o emissor é 0,7 V e o ganho BDC = 200, o valor da corrente de base é
O circuito apresentado a seguir é conhecido como detector de pico.
Considerando o sinal de entrada com valor de pico Vp, a tensão
média na resistência de carga RL é
Considere o circuito retificador de meia onda com filtro
capacitivo apresentado a seguir para responder à questão.
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