Questões de Concurso Sobre eletrônica

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 

Um circuito combinacional caracteriza-se por dependência do valor atual: nele, o valor da saída no instante t depende exclusivamente da combinação dos valores das entradas nesse instante, e os estados anteriores não têm relevância. Já o circuito sequencial caracteriza-se pela influência de entradas anteriores: nele, o valor da saída no instante t não depende apenas dos valores das entradas nesse instante, mas também da sequência das entradas anteriores. 

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 

A família TTL (transistor-transistor-logic) é a família de lógica digital que apresenta a menor dissipação de energia, enquanto a ECL (emitter-coupled logic) se destaca pela sua velocidade, considerada a mais rápida entre todas as famílias lógicas. 

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 

A expressão  é a simplificação da expressão  . 

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 

Em comparação com outras tecnologias de circuitos integrados digitais, uma das vantagens dos dispositivos lógicos programáveis é gerar um ciclo de projeto com menor tempo de execução e custos reduzidos. 

No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue. 

Conforme o primeiro teorema de De Morgan, o complemento do produto de duas variáveis é igual à soma dos complementos das variáveis individuais; em termos de portas, ele pode ser expresso por 

Julgue o item seguinte, relacionados à álgebra booleana.

Considere que, para ser patenteada, uma invenção deve satisfazer as seguintes características representadas pelas varáveis booleanas A, B e C: se a invenção é uma novidade, A é verdadeiro; se a invenção apresenta atividade inventiva, B é verdadeiro; se a invenção possui aplicação industrial, C é verdadeiro. Nessa situação, a expressão booleana F que representa a condição em que uma patente será aprovada, com base nessas características, é F = AB + AC + BC. 

Julgue o item seguinte, relacionados à álgebra booleana.

Se L1 e L2 forem variáveis booleanas que representem duas lâmpadas em uma sala, então a situação em que a sala estará iluminada apenas quando ambas as lâmpadas estiverem acesas será representada pela expressão booleana F = L1 L2. 

Considerando o diagrama de blocos simplificado de um transmissor digital anteriormente apresentado, julgue o item que se segue. 

O ruído interno presente nos equipamentos de transmissão e recepção é gerado pelas colisões de elétrons da corrente elétrica nos dispositivos semicondutores e resistivos desses equipamentos.

Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.

A tecnologia de interconexões wire-bonding é apropriada para uso em alta densidade de conexões, com mais de 200 I/Os por chip. 

Julgue o item que se segue, em relação a projeto de sistemas e circuitos integrados com dispositivos de baixo consumo e alta eficiência energética e a aplicações em sistemas puramente digitais ou com sinais mistos.

Para otimizar a eficiência dos circuitos analógicos e de modo misto, uma prática comum é utilizar trilhas estreitas de polissilício para rotas de sinais que carregam corrente, visando reduzir a capacitância parasita, mesmo que isso possa resultar em um aumento da resistência do circuito; essa abordagem é frequentemente empregada na indústria para melhorar o desempenho geral do circuito. 

Julgue o próximo item, relativos às técnicas de corrosão úmida e a seco nos processos de fabricação de circuitos microeletrônicos. 


A técnica de corrosão úmida possui uma vantagem com relação à corrosão a seco, pois é um processo isotrópico, que atua uniformemente em todas as direções.

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.

As técnicas de deposição para filmes finos podem ser classificadas em deposição física de vapor (PVD) e deposição química de vapor (CVD).

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.

A pulverização catódica (sputtering) é um processo de deposição química de vapor (CVD) através de evaporação térmica. 

Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.

A deposição de camada atômica (ALD) é um processo que permite gerar filmes finos uniformes, no entanto, apresenta uma desvantagem com relação à precisão de espessura do material, difícil de replicar.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Quando um fotorresiste negativo é aplicado no processo de fabricação, as regiões expostas são removidas e as regiões não expostas permanecem; no caso do fotorresistente positivo, as regiões expostas permanecem e as regiões não expostas são removidas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Fotolitografia é o processo que, para escrever em um material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de fotorresistes. 

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter limitações de difração óptica.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.