Questões de Concurso Para engenharia elétrica

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Q2891613 Engenharia Elétrica
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Caso o indutor seja substituído por um capacitor de valor 5 μF, o valor da reatância capacitiva do circuito XC/π, em Ω, está na faixa:

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Q2891612 Engenharia Elétrica
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Supondo que V=10 V e 1 000 Hz, L=0,5 mH e R=10 Ω, a reatância indutiva XL do circuito, em Ω, está na faixa:

Alternativas
Q2891611 Engenharia Elétrica
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Em relação aos diodos D1 e Dz, é correto afirmar que

Alternativas
Q2891610 Engenharia Elétrica
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Sobre o dispositivo T, é correto afirmar que ele

Alternativas
Q2891609 Engenharia Elétrica
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Sabendo-se que o valor eficaz da tensão Vi é Vef, o valor da tensão Vo é:

Alternativas
Q2891608 Engenharia Elétrica
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Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:

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Q2891607 Engenharia Elétrica
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Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o

Alternativas
Q2891605 Engenharia Elétrica
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Sobre o circuito, é correto afirmar que, em condições normais de polarização,

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Q2891604 Engenharia Elétrica
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A tensão no ponto 1, em V, encontra-se na faixa:

Alternativas
Q2891601 Engenharia Elétrica
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O valor de RB, em Ù, encontra-se na faixa:

Alternativas
Q2891600 Engenharia Elétrica

Em um diodo Zener, um dos mecanismos que ocorrem para que se obtenha a tensão reversa é por meio de colisões de um portador minoritário, gerando energia para quebrar ligações covalentes. Esse mecanismo recebe a denominação de

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Q2891599 Engenharia Elétrica

A curva característica de um diodo túnel é:

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Q2891595 Engenharia Elétrica

Os símbolos do transistor MOSFET do tipo intensificação(enhancement) canal n e canal p são, respectivamente,

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Q2891594 Engenharia Elétrica

Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:

Alternativas
Q2891593 Engenharia Elétrica

A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que

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Q2891588 Engenharia Elétrica

Considerando a estrutura de bandas de energia, assinale a característica básica de um material isolante.

Alternativas
Q2891586 Engenharia Elétrica

Um material semicondutor intrínseco é transformado em extrínseco por meio

Alternativas
Ano: 2013 Banca: IBFC Órgão: EBSERH Prova: IBFC - 2013 - EBSERH - Engenheiro Clínico |
Q2888997 Engenharia Elétrica
O sistema de alimentação de energia do monitor está apresentado na figura abaixo. Sabe-se que o monitor possui uma resistência de 38 Ω e a corrente que circula pelas baterias (I1 ) é de 900 mA. Com base nestes dados a resistência interna de cada bateria vale aproximadamente: Imagem associada para resolução da questão

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Ano: 2013 Banca: IBFC Órgão: EBSERH Prova: IBFC - 2013 - EBSERH - Engenheiro Clínico |
Q2888993 Engenharia Elétrica

Utilize o texto a seguir para responder as questões 34 e 35.

Um determinado equipamento necessita ser reparado. O equipamento é conhecido por Forno de Bier é utilizado para termoterapia, onde a variação de temperatura é utilizada para fins terapêuticos. Verificando as especificações do mesmo descobriu-se que ele tem seu banco de resistência dissipando 3,025 kW quando ligado a uma tensão AC de 220 V.

O banco de resistência a ser reparado neste caso deve ter o valor de

Alternativas
Q2884420 Engenharia Elétrica

Sobre o cobre, NÃO é correto afirmar que possui

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Respostas
13961: E
13962: D
13963: B
13964: A
13965: D
13966: D
13967: C
13968: D
13969: D
13970: E
13971: A
13972: E
13973: A
13974: E
13975: C
13976: A
13977: B
13978: A
13979: D
13980: D