Questões de Concurso
Para if-sc
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Analise as afirmativas a seguir acerca das contribuições do Modernismo, da Escola Nova e das concepções de experiência para o ensino de Arte no Brasil.
I - A influência das ideias de John Dewey sobre a Escola Nova contribuiu para valorizar a experiência, a observação, a reflexão e a atividade criadora do estudante como elementos constitutivos do processo educativo.
II - A Semana de Arte Moderna de 1922 marcou a crítica ao academicismo e impulsionou a valorização de uma produção artística comprometida com a construção de uma identidade cultural brasileira, em diálogo com as vanguardas internacionais.
III - Para Jorge Larrosa, a experiência não se confunde com a simples realização de atividades ou com o acúmulo de acontecimentos, mas refere-se àquilo que acontece ao sujeito e produz efeitos em sua formação.
IV - A pedagogia escolanovista compreendia a aprendizagem artística como resultado da reprodução sistemática de modelos previamente estabelecidos, considerando a criatividade uma consequência do domínio técnico alcançado por meio da cópia.
Quais estão corretas?
Considere o texto abaixo, conforme as orientações das Diretrizes Curriculares Nacionais para a modalidade Educação de Jovens e Adultos (EJA) integrada à Educação Profissional e Tecnológica (EPT).
“Os cursos de EJA, preferencialmente tendo a _______ articulada com a ____________, devem pautar-se pela ______________, tanto de _____________ quanto de tempo e espaço.”
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
I - O mapeamento da interface do componente, compreendendo a definição de portas e modos de sinal, é restrito ao escopo da unidade de design entity, enquanto a especificação funcional ou a descrição da estrutura interna de interconexões lógicas é delegada exclusivamente à architecture.
II - Em um modelo de arquitetura, a declaração de múltiplas atribuições de sinal de forma direta – desprovidas de blocos procedurais – implica o sintetizador tratar as instruções conforme a ordem de escrita no arquivo-fonte, respeitando a precedência de execução sequencial intrínseca ao fluxo de controle do código-fonte.
III - O bloco process estabelece um domínio de execução sequencial dentro de uma arquitetura, cujo disparo (ativação) é condicionado pela ocorrência de eventos nos sinais contidos na sua lista de sensibilidade (sensitivity list), disparando a avaliação sucessiva das sentenças internas.
Quais estão corretas?
Considere: R = 1 kΩ, RF = 2 kΩ, A0 = 0V, A1 = 5V, A2 = 0V, A3 = 5V e o amplificador operacional IDEAL com alimentação suficiente para operar na região linear.
Qual é o valor da tensão de saída “Vo”?
I - A memória SRAM apresenta menor densidade (armazena menos bits por área de silício) quando comparada à DRAM, pois utiliza múltiplos transistores para formar um circuito biestável, enquanto a DRAM exige apenas um transistor e um capacitor por bit.
II - As memórias cache (como L1 e L2), localizadas internamente na imensa maioria dos microprocessadores modernos, são construídas utilizando tecnologia DRAM para garantir um altíssimo volume de armazenamento próximo à CPU (Central Processing Unit).
III - A memória DRAM precisa passar por um processo contínuo de controle chamado refresh (atualização), no qual os dados são periodicamente lidos e reescritos para evitar a perda da informação devido ao processo natural de descarga dos capacitores.
Quais estão corretas?
I - Amplificadores classe A têm excelente linearidade e alta eficiência energética com valores superiores a 70%.
II - Amplificadores classe B com transistores na topologia push-pull podem ter alta eficiência energética com valores superiores a 70%, porém sofrem o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
III - Amplificadores classe AB possuem alta eficiência energética, com valores superiores a 50%, e quase eliminam o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
Quais estão corretas?
Quais portas lógicas estão representadas nas figuras?
Qual é o valor do resistor R1 para que a corrente de dreno do transistor M1 seja de 4 mA?
Considere o ganho de corrente (beta) dos transistores Q1 e Q2 igual a 100, a tensão emissor-base (VEB) igual a 0,7V e a tensão emissor-coletor de saturação (VECSAT) igual a 0,2V.
Qual é o valor da tensão de coletor do transistor Q1?
Considere VCC = 12V, o ganho de corrente (beta) do transistor Q1 igual a 100 e a tensão base-emissor (VBE) igual a 0,7V.
Qual é o valor da corrente de polarização no coletor do transistor Q1?