Sobre as tecnologias físicas de memória SRAM (Static Random ...
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Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346525
Engenharia Eletrônica
Sobre as tecnologias físicas de memória SRAM (Static Random Access Memory) e DRAM (Dynamic Random Access Memory)
e suas aplicações típicas na arquitetura de computadores e sistemas digitais, analise as afirmações abaixo.
I - A memória SRAM apresenta menor densidade (armazena menos bits por área de silício) quando comparada à DRAM, pois utiliza múltiplos transistores para formar um circuito biestável, enquanto a DRAM exige apenas um transistor e um capacitor por bit.
II - As memórias cache (como L1 e L2), localizadas internamente na imensa maioria dos microprocessadores modernos, são construídas utilizando tecnologia DRAM para garantir um altíssimo volume de armazenamento próximo à CPU (Central Processing Unit).
III - A memória DRAM precisa passar por um processo contínuo de controle chamado refresh (atualização), no qual os dados são periodicamente lidos e reescritos para evitar a perda da informação devido ao processo natural de descarga dos capacitores.
Quais estão corretas?
I - A memória SRAM apresenta menor densidade (armazena menos bits por área de silício) quando comparada à DRAM, pois utiliza múltiplos transistores para formar um circuito biestável, enquanto a DRAM exige apenas um transistor e um capacitor por bit.
II - As memórias cache (como L1 e L2), localizadas internamente na imensa maioria dos microprocessadores modernos, são construídas utilizando tecnologia DRAM para garantir um altíssimo volume de armazenamento próximo à CPU (Central Processing Unit).
III - A memória DRAM precisa passar por um processo contínuo de controle chamado refresh (atualização), no qual os dados são periodicamente lidos e reescritos para evitar a perda da informação devido ao processo natural de descarga dos capacitores.
Quais estão corretas?