Foram encontradas 11.988 questões
Resolva questões gratuitamente!
Junte-se a mais de 4 milhões de concurseiros!
Um pente de memória defeituoso pode causar diferentes falhas na utilização de um computador. É recomendado que se faça um diagnóstico das memórias principais (RAM) em caso de falhas intermitentes ou de não inicialização do sistema operacional.
Para esse fim, são adequados os programas
Em sua dimensão pedagógica, o Projeto Político-Pedagógico ̶ PPP do IFRN prevê princípios e diretrizes norteadores de ações pedagógicas a serem desenvolvidas em sintonia com a pedagogia crítica.
Ancorando-se nesse documento institucional, são princípios orientadores da prática pedagógica do IFRN
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3= 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Para responder às questões, quando necessário, considere:
A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP= - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP= 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC= - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC= 1,31 x 10-9 A.
A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Analise a descrição abaixo de estados de um sistema sequencial.
𝑠(𝑡 + 1) =
z(t) =
Assinale a opção que representa o diagrama de estados obtido, diretamente, dessas expressões.
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.
As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Analise a figura abaixo, que representa uma estrutura de portas complexas.
Fonte: FUNCERN, 2017.
A função lógica que representa a saída Z do circuito é
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Em relação ao controle e acionamento de máquinas elétricas, é correto afirmar que
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Analise a figura abaixo, que representa um circuito elétrico.
Fonte: FUNCERN, 2017.
O valor da impedância ZL, para que a potência na carga seja máxima, é de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Um chopper step-up opera com uma frequência de chaveamento de 2 kHz a partir de uma fonte de alimentação DC no valor de 100 V.
Considerando a resistência da carga no valor de 2 Ω e a tensão de saída no valor de 250 V, o valor do tempo em que a chave fica ligada durante cada ciclo é, aproximadamente, de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Em relação aos dispositivos lógicos programáveis, o FPGA
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Analise a figura abaixo, que representa um circuito elétrico.
Fonte: FUNCERN, 2017.
A impedância total entre os pontos B e C é
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Observe o diagrama de estados abaixo, que representa uma máquina de estados finitos:
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando que a sequência de sinais de entrada é 𝐴,, 𝐵,𝐴 e o estado inicial é S0, o diagrama acima representa, na classificação de máquinas de Mealy e de Moore, uma máquina do tipo
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Considere os dados de placa nominal do motor elétrico representados na figura abaixo.
Adaptado de: <http://old.weg.net/br/Media-Center/Central-de-Downloads/Resultado-daBusca?keyword=guia+pr%C3%A1tico+de+treinamento&x=32&y=12 >. Acesso em: 16 jul. 2017.
Considerando os dados da placa apresentados na figura, em condições nominais de operação, o motor
Para responder às questões, quando necessário, considere:
No momento em que ocorre uma transição ativa na entrada de clock de um flip-flop, o tempo de preparação e o tempo de manutenção são importantes para a confiabilidade da resposta às entradas de controle.
De acordo com esses parâmetros, o tempo de
Para responder às questões, quando necessário, considere:
Considerando a Linguagem de Descrição de Hardware, VHDL, é correto afirmar que a