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I - A memória SRAM apresenta menor densidade (armazena menos bits por área de silício) quando comparada à DRAM, pois utiliza múltiplos transistores para formar um circuito biestável, enquanto a DRAM exige apenas um transistor e um capacitor por bit.
II - As memórias cache (como L1 e L2), localizadas internamente na imensa maioria dos microprocessadores modernos, são construídas utilizando tecnologia DRAM para garantir um altíssimo volume de armazenamento próximo à CPU (Central Processing Unit).
III - A memória DRAM precisa passar por um processo contínuo de controle chamado refresh (atualização), no qual os dados são periodicamente lidos e reescritos para evitar a perda da informação devido ao processo natural de descarga dos capacitores.
Quais estão corretas?
I - Amplificadores classe A têm excelente linearidade e alta eficiência energética com valores superiores a 70%.
II - Amplificadores classe B com transistores na topologia push-pull podem ter alta eficiência energética com valores superiores a 70%, porém sofrem o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
III - Amplificadores classe AB possuem alta eficiência energética, com valores superiores a 50%, e quase eliminam o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
Quais estão corretas?
Quais portas lógicas estão representadas nas figuras?
Qual é o valor do resistor R1 para que a corrente de dreno do transistor M1 seja de 4 mA?
Considere o ganho de corrente (beta) dos transistores Q1 e Q2 igual a 100, a tensão emissor-base (VEB) igual a 0,7V e a tensão emissor-coletor de saturação (VECSAT) igual a 0,2V.
Qual é o valor da tensão de coletor do transistor Q1?
Considere VCC = 12V, o ganho de corrente (beta) do transistor Q1 igual a 100 e a tensão base-emissor (VBE) igual a 0,7V.
Qual é o valor da corrente de polarização no coletor do transistor Q1?
A corrente no resistor R1 ( I ) é igual a
I - Um cristal de silício puro é um semicondutor intrínseco.
II - Um semicondutor em temperaturas muito baixas, próximo do zero absoluto, comporta-se como um supercondutor.
III - Um cristal de silício dopado com átomos de Boro (B), com a concentração de 1016 átomos por cm3 , tem as lacunas como portadores de carga majoritários.
IV - Em um cristal de silício em temperatura de 25ºC, a mobilidade eletrônica das lacunas - µp é menor que a mobilidade eletrônica dos elétrons - µn.
Quais estão corretas?
( ) O circuito registrador de deslocamento que possui 1 (uma) entrada e 4 (quatro) saídas é conhecido como conversor série-paralelo.
( ) O circuito registrador de deslocamento que possui 1 (uma) entrada e 4 (quatro) saídas é conhecido como conversor paralelo-série.
( ) A transferência paralela é muito mais rápida que a transferência serial.
( ) O flip-flop D não é utilizado nos circuitos de registradores de deslocamento.
( ) A saída Q do flip-flop D terá seu valor igual à entrada após o comando de clock.
A sequência correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é
Assinale a alternativa que apresenta, correta e respectivamente, os valores do módulo do contador, da frequência de saída do último flip-flop quando a frequência do clock for 10 kHz e da quantidade de estados do contador.
( ) O flip-flop J-K comuta o seu valor de saída quando as condições de entrada J e K forem iguais ao nível lógico “1” e ocorrer o disparo pelo clock.
( ) O flip-flop D é implementado a partir do flip-flop J-K, unindo-se as entradas J e K.
( ) A saída Q do flip-flop J-K terá seu valor igual a “1” sob as seguintes condições: a entrada J for igual a 1 (um) e receber o comando de clock.
( ) As funções
e
no flip-flop J-K são entradas síncronas. ( ) A função
no flip-flop J-K, ao receber o valor “0” (zero) em sua entrada, coloca a saída Q em nível “1”.
A sequência correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é
Assinale a alternativa que apresenta a equação mais simplificada obtida com as regras de agrupamento, a partir dos dados acima.
utilizando álgebra booleana e assinale a alternativa
que apresenta corretamente a equação simplificada.
Assinale a alternativa que apresenta a expressão característica do circuito acima.
( ) Sensores termoelétricos são dispositivos para detectar e medir variações de temperatura e transformá-las em sinais elétricos.
( ) Sensores fotovoltaicos são também utilizados para detectar a presença, a ausência ou a distância de um objeto.
( ) Sensores ressonantes são aqueles considerados como sensores ativos, pois comportam-se como um gerador.
( ) Sensores piezoelétricos são sensores passivos, pois necessitam de energia externa para gerar os sinais.
( ) A diferença entre sensores e transdutores é que os sensores podem detectar um sinal físico ou químico e transformá-lo em um sinal elétrico, mas não o contrário. Já o transdutor pode converter um tipo de energia em outra, nos dois sentidos.
A sequência correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é