Questões de Concurso
Sobre eletrônica de potência na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 255 questões
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 5ª Região (BA)
Prova:
FCC - 2013 - TRT - 5ª Região (BA) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q782408
Engenharia Eletrônica
Analise a composição do circuito de controle de potência, representado abaixo.
Sobre a funcionalidade dos elementos que compõem o circuito, é correto afirmar:
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 5ª Região (BA)
Prova:
FCC - 2013 - TRT - 5ª Região (BA) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q782403
Engenharia Eletrônica
Observe a composição do circuito abaixo.
O tiristor DB3 entra em condução quando em seus terminais a tensão atinge, aproximadamente,
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 5ª Região (BA)
Prova:
FCC - 2013 - TRT - 5ª Região (BA) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q782402
Engenharia Eletrônica
No circuito abaixo, considere as duas situações de teste e seus respectivos resultados.
− Teste 1: circuito com os terminais A e B conectados aos pontos 1 e 2 do componente (x), respectivamente.
− Teste 2: circuito com os terminais A e B conectados aos pontos 2 e 1 do componente (x), respectivamente.
Analisando os resultados obtidos, o componente (x) é
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 5ª Região (BA)
Prova:
FCC - 2013 - TRT - 5ª Região (BA) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q782401
Engenharia Eletrônica
Sobre os SCRs, quando em condução, é correto afirmar:
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q781937
Engenharia Eletrônica
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O comportamento do diodo de Schottky baseia-se na barreira
de potencial na junção de semicondutores dopados dos tipos
N e P.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRT - 17ª Região (ES)
Prova:
CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q781935
Engenharia Eletrônica
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de
duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três
terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao
SCR pode ser representado pela associação de um transistor
PNP com um NPN.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Telebras
Prova:
CESPE - 2013 - Telebras - Técnico em Gestão de Telecomunicações – Assistente Técnico |
Q561916
Engenharia Eletrônica
Acerca da modulação digital, julgue os itens a seguir.
A constelação apresentada na figura abaixo representa uma modulação 8-PSK (phase shift keying) com mapeamento de Gray.
A constelação apresentada na figura abaixo representa uma modulação 8-PSK (phase shift keying) com mapeamento de Gray.
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2013 - DPE-SP - Agente de Defensoria - Engenheiro Elétrico |
Q529842
Engenharia Eletrônica
Considere o driver com SCR abaixo e as especificações: Relé − tensão nominal da bobina 5 V, corrente nominal da bobina
20 mA.
SCR − IF = 4A; VGT = 1V; VTM = 2V; IH = 4 mA.
Para o relé operar próximo das suas especificações nominais, o valor comercial de Rx deve ser
SCR − IF = 4A; VGT = 1V; VTM = 2V; IH = 4 mA.
Para o relé operar próximo das suas especificações nominais, o valor comercial de Rx deve ser
Ano: 2013
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-SP
Prova:
FCC - 2013 - DPE-SP - Agente de Defensoria - Engenheiro Elétrico |
Q529840
Engenharia Eletrônica
Analise o circuito e as afirmativas abaixo.
I. A chave é usada para, na posição 1, acender a lâmpada e na posição 2, para apagá-la.
II. Depois de acesa a lâmpada, a chave pode retornar para a posição zero que a lâmpada continuará acesa.
III. Com a chave na posição 1, a lâmpada acende com potência reduzida.
IV. Depois de ligada, o produto R2×C determina o tempo em que a lâmpada permanecerá acesa.
V. Com a chave na posição 2 haverá corrente de gatilho em ambos os semiciclos da tensão da rede.
Está correto o que consta APENAS em
I. A chave é usada para, na posição 1, acender a lâmpada e na posição 2, para apagá-la.
II. Depois de acesa a lâmpada, a chave pode retornar para a posição zero que a lâmpada continuará acesa.
III. Com a chave na posição 1, a lâmpada acende com potência reduzida.
IV. Depois de ligada, o produto R2×C determina o tempo em que a lâmpada permanecerá acesa.
V. Com a chave na posição 2 haverá corrente de gatilho em ambos os semiciclos da tensão da rede.
Está correto o que consta APENAS em
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEGESP-AL
Prova:
CESPE - 2013 - SEGESP-AL - Perito Criminal - Engenharia |
Q458480
Engenharia Eletrônica
No que se refere às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens de subsequentes.
Entre os parâmetros típicos que caracterizam um tiristor e que caracterizam condições limites de operação constam a tensão direta de ruptura e a máxima tensão reversa.
Entre os parâmetros típicos que caracterizam um tiristor e que caracterizam condições limites de operação constam a tensão direta de ruptura e a máxima tensão reversa.
Ano: 2013
Banca:
FGV
Órgão:
TJ-AM
Prova:
FGV - 2013 - TJ-AM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q445233
Engenharia Eletrônica
O esquema a seguir apresenta um dispositivo de disparo utilizando o SCR.
A tensão máxima de gatilho para esse esquema é de 1,5 V. Para que a corrente de gatilho seja igual a 150 mA, o resistor R deve ser, em ohms, igual a
A tensão máxima de gatilho para esse esquema é de 1,5 V. Para que a corrente de gatilho seja igual a 150 mA, o resistor R deve ser, em ohms, igual a
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Innova
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Innova - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica |
Q500687
Engenharia Eletrônica
A tensão de saída de um inversor de frequência é sintetizada baseada em modulação por largura de pulso seno-triângulo, cujos índices de modulação em frequência e em amplitude são, respectivamente, 21 e 0,6.
A ordem do harmônico de tensão de mais baixa frequência, depois da fundamental, é
A ordem do harmônico de tensão de mais baixa frequência, depois da fundamental, é
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Innova
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Innova - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica |
Q500682
Engenharia Eletrônica
Um retificador monofásico em ponte completa a tiristor alimenta apenas uma carga puramente resistiva na saída. A indutância de comutação é desprezível e a tensão ca na entrada é descrita pela função no tempo v(t) = 100πsen(ωt) volts.
Para um ângulo de disparo dos tiristores de 30o , o valor médio, em volts, da tensão de saída é
Para um ângulo de disparo dos tiristores de 30o , o valor médio, em volts, da tensão de saída é
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431454
Engenharia Eletrônica
Na figura abaixo, é apresentado um retificador controlado a tiristor (SCR), alimentando uma carga resistiva RL= 20 Ω. Na mesma figura, são apresentadas as formas de onda da tensão senoidal VR no primário do transformador e do sinal VG aplicado ao gate do tiristor.
Sabendo-se que a razão de transformação do transformador é
, a potência média, em watts, dissipada na carga RL será de
Sabendo-se que a razão de transformação do transformador é
, a potência média, em watts, dissipada na carga RL será de
Q289080
Engenharia Eletrônica
Nos conversores de freqüência que utilizam tecnologia do tipo PWM, o chaveamento de tensão em alta freqüência faz surgir uma corrente de fuga devido ao efeito capacitivo nos cabos entre o motor e o drive.
I. Quanto menor a distância de cabos, maior o efeito capacitivo e maior também a corrente de fuga. Nos cabos blindados (recomendado) esse efeito aumenta de 2 a 3 vezes.
II. Usando o reator de saída, a corrente de fuga é diminuída, possibilitando o uso de menores comprimentos de cabos mas com pequena redução de potência do drive.
III. Usando um reator de saída monolítico, a corrente de fuga é aumentada, possibilitando o uso de maiores comprimentos de cabos mas com pequena redução de potência do drive.
Das informações acima,
I. Quanto menor a distância de cabos, maior o efeito capacitivo e maior também a corrente de fuga. Nos cabos blindados (recomendado) esse efeito aumenta de 2 a 3 vezes.
II. Usando o reator de saída, a corrente de fuga é diminuída, possibilitando o uso de menores comprimentos de cabos mas com pequena redução de potência do drive.
III. Usando um reator de saída monolítico, a corrente de fuga é aumentada, possibilitando o uso de maiores comprimentos de cabos mas com pequena redução de potência do drive.
Das informações acima,
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TJ-RO
Prova:
CESPE - 2012 - TJ-RO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q275748
Engenharia Eletrônica
Em transmissão de potência CC, a ondulação na saída do conversor poderá ser consideravelmente reduzida utilizando-se um conversor de doze pulsos. Um conversor com esse número de pulsos poderá ser obtido pela
Q263777
Engenharia Eletrônica
Analise a curva característica abaixo:
Ela corresponde ao dispositivo denominado
Ela corresponde ao dispositivo denominado
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia - Eletrônica |
Q243394
Engenharia Eletrônica
No inversor de frequência, o recurso que permite ao usuário alterar a velocidade do motor de forma controlada, especificando o valor de tempo e a velocidade final, é:
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q243350
Engenharia Eletrônica
Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Provas:
FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
|
FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia - Eletrônica |
Q243343
Engenharia Eletrônica
Um diodo de silício com especificação 
= 1A @ VFmax = 1,2 V, quando está operando na região de condução, possui resistência de condução aproximadamente
= 1A @ VFmax = 1,2 V, quando está operando na região de condução, possui resistência de condução aproximadamente 
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