Um diodo de silício com especificação = 1A @ VFmax = 1,2 V,...

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Q243343

Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Provas: FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica | FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia - Eletrônica |

Q243343 Engenharia Eletrônica

Um diodo de silício com especificação Imagem 007.jpg

= 1A @ VFmax = 1,2 V, quando está operando na região de condução, possui resistência de condução aproximadamente

maior que 1,2 Ω.

menor que 0,3 Ω.

entre 0,5 e 0,6 Ω.

entre 0,8 e 1,4 Ω.

entre 0,2 e 0,5 Ω.

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