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Questões de Concurso Sobre eletrônica de potência na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica

Foram encontradas 255 questões

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Q364659
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Modulação PWM ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364659 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

No controle de potência por PWM, a largura dos pulsos de chaveamento é modulada com o objetivo principal de reduzir o efeito de transitórios eletromagnéticos sobre a carga.
Alternativas
Q364649
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364649 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
Alternativas
Q364648
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Alternativas
Q174402
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Inversores ,
Ano: 2008 Banca: FGV Órgão: Senado Federal Prova: FGV - 2008 - Senado Federal - Engenheiro Elétrico |
Q174402 Engenharia Eletrônica
Os inversores são conversores eletrônicos utilizados para o acionamento de motores de indução em aplicações de velocidade variável, como a tração elétrica. Considere as seguintes afirmativas a respeito dos inversores:
I. Os inversores fonte de tensão (VSI) apresentam uma corrente constante em sua saída, independentemente da carga conectada.
II. A modulação por largura de pulso (PWM) é o método mais comum para controlar a tensão de saída AC do inversor.
III. Os dispositivos mais utilizados em inversores comerciais são os MOSFETS.
IV. Em aplicações de tração elétrica, o dispositivo mais utilizado em inversores é o GTO.
Estão corretas apenas as afirmativas:

Alternativas
Q153934
Engenharia Eletrônica Automação Industrial , PLC , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Modulação PWM
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: HEMOBRÁS Prova: CESPE - 2008 - HEMOBRÁS - Especialista em Produção de Hemoderivados - Engenheiro Eletrônico |
Q153934 Engenharia Eletrônica
Um dos equipamentos eletrônicos mais difundidos para
automação de processos é o controlador lógico programável
(CLP). Seu funcionamento baseia-se na monitoração de variáveis,
no processamento de informações e na geração de sinais de
excitação. Para interfaceamento do CLP com o processo, certos
dispositivos são utilizados. A respeito desses dispositivos, julgue
os itens subseqüentes.

Existem módulos de saída especiais que podem fornecer sinais do tipo PWM (sinal modulado em largura de pulso).
Alternativas
Q153907
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Modulação PWM , Sistemas Embarcados , Arquitetura na Engenharia Eletrônica
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: HEMOBRÁS Prova: CESPE - 2008 - HEMOBRÁS - Especialista em Produção de Hemoderivados - Engenheiro Eletrônico |
Q153907 Engenharia Eletrônica
Considere que um microcontrolador de 8 bits apresente como características: 8 kilobytes de memória Flash, 512 bytes de memória EEPROM, 1 kilobyte de memória SRAM, 23 linhas de I/O programáveis, dois contatores/temporizadores de 8 bits; um contador/temporizador de 16 bits, ADC (conversor analógico/digital) de 10 bits com 6 canais, interface USART, interface SPI, interface I2C e temporizador watchdog (cão de guarda). A respeito desse microcontrolador julgue os itens subseqüentes.

Contadores com temporizadores não permitem que se gerem sinais modulados em largura de pulso (PWM).
Alternativas
Q21550
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Inversores , Tiristor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INSS Prova: CESPE - 2008 - INSS - Analista do Seguro Social - Engenharia Elétrica |
Q21550 Engenharia Eletrônica
Imagem 030.jpg

Considerando a figura acima, que mostra um circuito retificador
trifásico controlado de seis pulsos em ponte (retificador trifásico
de onda completa), julgue os itens a seguir.
A tensão e a corrente elétrica médias na carga dependem do ângulo de disparo dos SCRs.
Alternativas
Q21549
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Inversores , Tiristor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INSS Prova: CESPE - 2008 - INSS - Analista do Seguro Social - Engenharia Elétrica |
Q21549 Engenharia Eletrônica
Imagem 030.jpg

Considerando a figura acima, que mostra um circuito retificador
trifásico controlado de seis pulsos em ponte (retificador trifásico
de onda completa), julgue os itens a seguir.
A cada período de tempo equivalente a um ângulo de 240º, quatro pulsos são aplicados a cada SCR no ciclo da tensão de fase.
Alternativas
Q21548
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Inversores , Tiristor ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INSS Prova: CESPE - 2008 - INSS - Analista do Seguro Social - Engenharia Elétrica |
Q21548 Engenharia Eletrônica
Imagem 030.jpg

Considerando a figura acima, que mostra um circuito retificador
trifásico controlado de seis pulsos em ponte (retificador trifásico
de onda completa), julgue os itens a seguir.
Os dispositivos Imagem 031.jpgsão disparados durante o semiciclo negativo das tensões de fase que os alimentam.
Alternativas
Q2252007
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252007 Engenharia Eletrônica
Relacione os parâmetros híbridos do transistor emissor comum com os seus respectivos significados. 
I. hoe          a.    ganho direto de corrente II. hie          b.    admitância de saída III. hre         c.    impedância de entrada IV. hfe         d.    ganho reverso de tensão
Alternativas
Q2252005
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252005 Engenharia Eletrônica


A função de R1 e R2 é
Alternativas
Q2252003
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252003 Engenharia Eletrônica
Considere um circuito RLC paralelo formado por L = 10mH, C = 220nF e R = 470kΩ. A freqüência de ressonância vale, aproximadamente,
Alternativas
Q2251998
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2251998 Engenharia Eletrônica


Considerando a impedância de entrada típica de 150 kΩ e sinal de entrada senoidal de 1 kHz e 50 mVpp, então a potência RMS de entrada vale, aproximadamente,
Alternativas
Q2251985
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Tiristor ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2251985 Engenharia Eletrônica

Considere a curva característica representada abaixo.



Imagem associada para resolução da questão


Esta curva refere-se ao dispositivo

Alternativas
Q57304
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Diodo de potência (NOVO) ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: MPU Prova: FCC - 2007 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica |
Q57304 Engenharia Eletrônica
As afirmações seguintes referem-se ao SCR ? retificador controlado de silício.

I. O SCR pode disparar sem corrente de gate Imagem 063.jpg se a tensão entre anodo e catodo for maior do que a tensão de breakover Imagem 064.jpg.

II. Após o disparo do SCR, a corrente de anodo deve permanecer abaixo da corrente de manutenção Imagem 065.jpg, caso contrário ele corta.

III. A corrente de gate tem a função de reduzir a tensão entre anodo e catodo necessária para disparar o SCR.

Está correto o que se afirma SOMENTE em
Alternativas
Respostas
181: E
182: C
183: E
184: D
185: C
186: E
187: C
188: E
189: E
190: D
191: B
192: A
193: C
194: B
195: D
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