Questões de Concurso Sobre engenharia elétrica

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Q876137 Engenharia Elétrica

Há diversos sistemas de medição e controle elétricos e eletrônicos. A respeito desses sistemas e dos conceitos teóricos a eles relacionados, julgue o item subsequente.


Um transdutor converte sinais elétricos de baixa potência em sinais que possam ser enviados à distância para um instrumento receptor, normalmente afastado do ponto de medição.

Alternativas
Q876136 Engenharia Elétrica

Há diversos sistemas de medição e controle elétricos e eletrônicos. A respeito desses sistemas e dos conceitos teóricos a eles relacionados, julgue o item subsequente.


A precisão está relacionada ao menor intervalo que um instrumento consegue medir, ou seja, no caso de uma precisão de 8 bites seria de 1 parte em 28.

Alternativas
Q876135 Engenharia Elétrica

Há diversos sistemas de medição e controle elétricos e eletrônicos. A respeito desses sistemas e dos conceitos teóricos a eles relacionados, julgue o item subsequente.


Considerando-se um valor padrão de resistência de 1,000 Ω, se um instrumento A obtém como medida 1,010 Ω e um instrumento B, 1,100 Ω, então A é mais exato que B.

Alternativas
Q876134 Engenharia Elétrica
Há diversos sistemas de medição e controle elétricos e eletrônicos. A respeito desses sistemas e dos conceitos teóricos a eles relacionados, julgue o item subsequente.
Aferição é um procedimento de caráter ativo, pois determina o erro do valor lido por um instrumento em relação ao valor padrão, corrigindo-o.
Alternativas
Q876122 Engenharia Elétrica

Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que RL=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.


A tensão média sobre o resistor de carga RL é menor do que 12 volts.

Alternativas
Q876121 Engenharia Elétrica

Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que RL=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.


Caso a resistência de carga seja reduzida de 100 ohms para 50 ohms, a tensão de ondulação na tensão de saída irá se reduzir à metade.

Alternativas
Q876118 Engenharia Elétrica
Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R3 = R4 = 2 kΩ.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.


Nesse circuito, a lei de Kirchoff aplicada na malha mais à esquerda, na qual passa a corrente I1, e que contêm a fonte E1 e os resistores R1 e R2, é a seguinte: E1 + R1I1 + R2(I1+I2) = 0.

Alternativas
Q876117 Engenharia Elétrica
Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R3 = R4 = 2 kΩ.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.


A corrente I2 é igual a 0,5 mA.

Alternativas
Q876116 Engenharia Elétrica
Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R3 = R4 = 2 kΩ.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.


O modelo de Norton equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R4 e da fonte E2, é formado por uma fonte de corrente equivalente de Norton com corrente de 1,2 mA em paralelo com uma resistência equivalente de Norton de 4 kΩ.

Alternativas
Q876115 Engenharia Elétrica
Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R3 = R4 = 2 kΩ.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.


O modelo de Thévenin equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R4 e da fonte E2, é formado por uma fonte equivalente de Thévenin com tensão de 5 V em série com uma resistência equivalente de Thévenin de 4 kΩ.

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Q876108 Engenharia Elétrica

Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.


Considerando-se uma barra metálica de comprimento L, área A, resistividade ρ e resistência R, se tanto o comprimento L quanto a área A dessa barra aumentarem em 10%, sem que haja mudança na resistividade, a resistência R dessa barra aumentará em 21%.

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Q876106 Engenharia Elétrica
Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.
Os dissipadores de calor para componentes eletrônicos devem ser fabricados com materiais de baixa condutividade térmica, para que haja maior dissipação do calor gerado durante a operação dos componentes a serem refrigerados.
Alternativas
Q2802818 Engenharia Elétrica

Os contatores são dispositivos de manobra mecânica acionados eletromagneticamente, construídos para funcionar com elevadas frequências de operação e cujo arco elétrico é extinto no ar, sem afetar o seu funcionamento. Uma característica a ser observada no uso dos contatores são as faíscas produzidas pelo impacto, durante a comutação dos contatos. Isso promove seu desgaste natural. A intensidade das faíscas pode se agravar em ambientes úmidos e também com a intensidade de corrente elétrica. Dessa forma, foram aplicadas diferentes formas de proteção, resultando em uma classificação destes elementos. Os contatores são classificados em quatro categorias de emprego, designadas por letras-códigos, em função de suas aplicações, que são

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Q2800964 Engenharia Elétrica

Um amperímetro analógico tem erro de fundo de escala de 1% e está sendo utilizado na escala de 100 mA, para medir uma corrente de 25 mA. Nesta condição, o erro da medida é

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Q2785204 Engenharia Elétrica

Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.


Imagem associada para resolução da questão


Fonte: FUNCERN, 2017.


Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,

Alternativas
Q2785203 Engenharia Elétrica

Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.


Imagem associada para resolução da questão

Fonte: FUNCERN, 2017.



Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3= 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de

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Q2785202 Engenharia Elétrica

Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.



Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,

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Q2785201 Engenharia Elétrica

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

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Q2785200 Engenharia Elétrica

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

Alternativas
Q2785199 Engenharia Elétrica

Para responder às questões, quando necessário, considere:


Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.


Imagem associada para resolução da questão



Fonte: FUNCERN, 2017.


Para R1= 8,2 k e R2= 82 k, o ganho de malha fechada do circuito é de

Alternativas
Respostas
10881: E
10882: E
10883: C
10884: E
10885: E
10886: E
10887: E
10888: C
10889: E
10890: C
10891: E
10892: E
10893: A
10894: B
10895: D
10896: C
10897: A
10898: D
10899: B
10900: A