Questões de Concurso
Comentadas sobre eletrônica de potência em eletrônica
Foram encontradas 130 questões
Q4222135
Eletrônica
Em relação às topologias dos Sistemas de Alimentação
Ininterrupta (UPS/No-Break), assinale a afirmativa correta.
Ano: 2026
Banca:
FGV
Órgão:
NAV Brasil
Prova:
FGV - 2026 - NAV Brasil - Técnico em Infraestrutura e Manutenção - Eletrônica |
Q4218529
Eletrônica
Um técnico analisa um circuito utilizado para controlar a potência
entregue a uma lâmpada alimentada por corrente alternada em
um sistema de automação predial.
O circuito emprega um TRIAC, cujo disparo é comandado por um sinal aplicado ao terminal de gate em diferentes instantes de cada semiciclo da rede.
Nesse tipo de aplicação, o TRIAC é adequado porque
O circuito emprega um TRIAC, cujo disparo é comandado por um sinal aplicado ao terminal de gate em diferentes instantes de cada semiciclo da rede.
Nesse tipo de aplicação, o TRIAC é adequado porque
Q4185506
Eletrônica
Uma equipe da Engenharia Elétrica está desenvolvendo
um conversor CC-CC e discute qual dispositivo
semicondutor utilizar entre BJT, MOSFET e IGBT. Um
dos engenheiros explica que esses dispositivos possuem
características distintas. Nesse contexto, é CORRETO
afirmar que:
Q4185505
Eletrônica
Durante o projeto de um inversor de frequência para
acionamento de motores elétricos no laboratório de
eletrônica de potência, um aluno analisou o uso de
dispositivos semicondutores de chaveamento.
Inicialmente, considerou a utilização de um MOSFET
para aplicações em alta frequência, mas também
avaliou o uso de um IGBT para operação em níveis mais
elevados de tensão e potência.
Com base nas características dos dispositivos MOSFET e IGBT, é CORRETO afirmar que:
Com base nas características dos dispositivos MOSFET e IGBT, é CORRETO afirmar que:
Ano: 2026
Banca:
Instituto IACP
Órgão:
Prefeitura de Colônia Leopoldina - AL
Prova:
Instituto IACP - 2026 - Prefeitura de Colônia Leopoldina - AL - Engenheiro Eletricista |
Q4179839
Eletrônica
No retificador com modulação por largura de pulso
(PWM), conectado à rede por filtro indutor-capacitor-indutor (LCL), o controle em eixos síncronos altera potência, distorção de corrente e estabilidade do barramento
de corrente contínua (CC). A lógica de controle é definida pelo(a):
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090268
Eletrônica
Em conversores chaveados de alta frequência, o
diodo utilizado deve apresentar
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090267
Eletrônica
O IGBT combina características estruturais de dois
dispositivos
semicondutores.
Ele é estruturalmente equivalente à combinação de
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090266
Eletrônica
Em aplicações de eletrônica de potência, o
MOSFET é amplamente utilizado como chave
estática de alta eficiência. Considerando seu
comportamento estático, o MOSFET de potência
opera como uma chave de baixa resistência
quando está na região
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090260
Eletrônica
Após disparo de um SCR, ele permanece
conduzindo até que
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090257
Eletrônica
O IGBT é amplamente utilizado em aplicações de
média e alta potência devido à sua baixa perda em
condução e facilidade de acionamento. Entretanto,
comparado ao MOSFET, o IGBT apresenta
Ano: 2026
Banca:
IDCAP
Órgão:
UEFS
Prova:
IDCAP - 2026 - UEFS - Analista Universitário - Engenharia de Controle e Automação |
Q4058713
Eletrônica
A eletrônica de potência desempenha um papel crucial
no controle de energia para motores e processos
industriais, utilizando semicondutores para chaveamento
em altas frequências. Acerca do assunto, registre V, para
as afirmativas verdadeiras, e F, para as falsas:
(__)Conversores Analógico-Digitais de aproximações sucessivas possuem tempo de conversão constante, independentemente do valor da tensão analógica presente na entrada.
(__)Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor são dispositivos controlados por corrente, exigindo grandes correntes de base para manter a saturação durante o chaveamento.
(__)Inversores de frequência utilizam a técnica de Modulação por Largura de Pulso para variar a tensão e a frequência aplicadas a um motor de indução trifásico.
(__)Um retificador de onda completa com filtro capacitivo apresenta um fator de potência unitário quando alimenta cargas puramente indutivas em sistemas de alta potência.
Após análise, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta dos itens acima, de cima para baixo:
(__)Conversores Analógico-Digitais de aproximações sucessivas possuem tempo de conversão constante, independentemente do valor da tensão analógica presente na entrada.
(__)Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor são dispositivos controlados por corrente, exigindo grandes correntes de base para manter a saturação durante o chaveamento.
(__)Inversores de frequência utilizam a técnica de Modulação por Largura de Pulso para variar a tensão e a frequência aplicadas a um motor de indução trifásico.
(__)Um retificador de onda completa com filtro capacitivo apresenta um fator de potência unitário quando alimenta cargas puramente indutivas em sistemas de alta potência.
Após análise, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta dos itens acima, de cima para baixo:
Ano: 2026
Banca:
IGEDUC
Órgão:
Prefeitura de Pão de Açúcar - AL
Prova:
IGEDUC - 2026 - Prefeitura de Pão de Açúcar - AL - Técnico em Informática |
Q4051384
Eletrônica
Considere a instalação de um sistema de proteção
elétrica para um laboratório de informática pública. Marque a alternativa CORRETA que identifica a principal
diferença entre um Nobreak (UPS) do tipo "Offline" e um
do tipo "Online" de dupla conversão.
Ano: 2026
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IFC-SC
Prova:
FUNDATEC - 2026 - IFC-SC - Técnico de Laboratório: Automação |
Q4027614
Eletrônica
Em módulos de saída de CLP, digitais controlam estados on/off (ex.: contatores,
solenoides) via transistor/relé/triac; analógicas geram sinais contínuos (0-10 V, 4-20 mA) para
inversores/válvulas. Qual alternativa abaixo descreve corretamente sua aplicação?
Ano: 2026
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IFC-SC
Prova:
FUNDATEC - 2026 - IFC-SC - Técnico de Laboratório: Automação |
Q4027592
Eletrônica
Em uma rotina de ajuste de acionamento eletrônico, um técnico identifica que o
motor de indução comandado por inversor apresenta baixo torque de partida em baixas velocidades,
especialmente sob carga mais pesada. Sabendo que esse problema pode ser compensado por um
ajuste associado à queda de tensão na resistência do estator, assinale a alternativa que indica o
parâmetro responsável por essa compensação.
Q3981890
Eletrônica
A retificação de corrente alternada é, usualmente, feita com o
uso de:
Ano: 2026
Banca:
Unesc
Órgão:
Prefeitura de Nova Veneza - SC
Prova:
Unesc - 2026 - Prefeitura de Nova Veneza - SC - Técnico Eletricista |
Q3838776
Eletrônica
Em um sistema de controle de acesso que utiliza sensores para detectar a presença de pessoas, um técnico eletricista está desenvolvendo um circuito de interface. Para isso, ele precisa de um componente que atue como uma chave controlada por um pequeno sinal de tensão, capaz de chavear uma corrente maior para ativar uma fechadura eletrônica.
ASSERTIVA: Um transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N é uma escolha eficiente para atuar como chave controlada por tensão em aplicações de potência, como acionamento de cargas indutivas, devido à sua alta impedância de entrada e baixa resistência de condução.
RAZÃO: O MOSFET de canal N, quando um potencial positivo suficiente é aplicado entre seu gate e source (tensão VGS), cria um canal de condução entre o dreno e o source, permitindo que uma corrente significativa flua com mínima queda de tensão e dissipação de potência, característica que o torna superior ao Transistor Bipolar de Junção (TBJ) em muitas aplicações de chaveamento de potência.
Analisando as afirmações, assinale a opção CORRETA:
Ano: 2025
Banca:
FURB
Órgão:
Prefeitura de Biguaçu - SC
Prova:
FURB - 2025 - Prefeitura de Biguaçu - SC - Engenheiro Eletricista |
Q3577783
Eletrônica
O __________ é um dispositivo semicondutor de
potência que combina características de __________ e
transistores bipolares, oferecendo alta impedância de
entrada, comutação rápida e baixa resistência, mesmo
em altas tensões e correntes. O ___________ é
amplamente utilizado em inversores de frequência,
fontes de alimentação chaveadas, acionamentos de
motores, sistemas de energia renovável e outras
aplicações de alta potência.
Assinale a alternativa que completa correta e respectivamente as lacunas do texto:
Assinale a alternativa que completa correta e respectivamente as lacunas do texto:
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449187
Eletrônica
O emprego de bancos de capacitores em uma instalação elétrica
tem como consequência
I o aumento da vida útil dos disjuntores termomagnéticos.
II a liberação de capacidade de potência ativa do transformador que supre a instalação.
III a redução da queda de tensão nos circuitos alimentadores.
Assinale a opção correta.
I o aumento da vida útil dos disjuntores termomagnéticos.
II a liberação de capacidade de potência ativa do transformador que supre a instalação.
III a redução da queda de tensão nos circuitos alimentadores.
Assinale a opção correta.
Ano: 2025
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CAESB-DF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |
Q3449174
Eletrônica
Assinale a opção correta, no que diz respeito aos motores de
indução trifásicos.
Ano: 2025
Banca:
COMVEST - UNICAMP
Órgão:
UNICAMP
Prova:
COMVEST - UNICAMP - 2025 - UNICAMP - Engenheiro Eletricista |
Q3404449
Eletrônica
Em um projeto de amplificador de áudio de alta potência,
é necessário decidir entre utilizar um transistor BJT ou
um transistor MOSFET na etapa de amplificação.
Considerando o comportamento desses dispositivos em
alta frequência, eficiência energética e características de
controle, analise as afirmativas abaixo e escolha a
alternativa correta sobre a principal diferença entre os
dois tipos de transistores.
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?
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