O __________ é um dispositivo semicondutor de
potência que combina características de __________ e
transistores bipolares, oferecendo alta impedância de
entrada, comutação rápida e baixa resistência, mesmo
em altas tensões e correntes. O ___________ é
amplamente utilizado em inversores de frequência,
fontes de alimentação chaveadas, acionamentos de
motores, sistemas de energia renovável e outras
aplicações de alta potência.
Assinale a alternativa que completa correta e
respectivamente as lacunas do texto:

Question

O __________ é um dispositivo semicondutor de
potência que combina características de __________ e
transistores bipolares, oferecendo alta impedância de
entrada, comutação rápida e baixa resistência, mesmo
em altas tensões e correntes. O ___________ é
amplamente utilizado em inversores de frequência,
fontes de alimentação chaveadas, acionamentos de
motores, sistemas de energia renovável e outras
aplicações de alta potência.
Assinale a alternativa que completa correta e
respectivamente as lacunas do texto:  Alternativa A: IGBT − MOSFETs − IGBT. Ou Alternativa B: MOSFET − DIACs − MOSFET. Ou Alternativa C: DIAC − MOSFETs − DIAC. Ou Alternativa D: IGBT − ZENERs − IGBT. Ou Alternativa E: MOSFET − ZENERs − MOSFET.

Fundação Universidade Regional de Blumenau · Accepted Answer

Alternativa [A] IGBT − MOSFETs − IGBT.

O __________ é um dispositivo semicondutor de potência que ...

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