O __________ é um dispositivo semicondutor de
potência que combina características de __________ e
transistores bipolares, oferecendo alta impedância de
entrada, comutação rápida e baixa resistência, mesmo
em altas tensões e correntes. O ___________ é
amplamente utilizado em inversores de frequência,
fontes de alimentação chaveadas, acionamentos de
motores, sistemas de energia renovável e outras
aplicações de alta potência.
Assinale a alternativa que completa correta e
respectivamente as lacunas do texto:

Question

O __________ é um dispositivo semicondutor de
potência que combina características de __________ e
transistores bipolares, oferecendo alta impedância de
entrada, comutação rápida e baixa resistência, mesmo
em altas tensões e correntes. O ___________ é
amplamente utilizado em inversores de frequência,
fontes de alimentação chaveadas, acionamentos de
motores, sistemas de energia renovável e outras
aplicações de alta potência.
Assinale a alternativa que completa correta e
respectivamente as lacunas do texto:  Alternativa A: IGBT − MOSFETs − IGBT. Ou Alternativa B: MOSFET − DIACs − MOSFET. Ou Alternativa C: DIAC − MOSFETs − DIAC. Ou Alternativa D: IGBT − ZENERs − IGBT. Ou Alternativa E: MOSFET − ZENERs − MOSFET.

Qconcursos · Accepted Answer

Alternativa [A] IGBT − MOSFETs − IGBT. Gabarito: AFundamento decisivo: O ponto decisivo é reconhecer a descrição técnica do IGBT: a lacuna central pede MOSFETs, porque o dispositivo combina características de MOSFET com transistor bipolar; assim, o conjunto correto das três lacunas é IGBT, MOSFETs e IGBT.Tema central: Identificação do IGBTAnálise das alternativasACertaA alternativa A é a correta porque corresponde integralmente à definição funcional do IGBT. O IGBT é um transistor bipolar de porta isolada, isto é, reúne a alta impedância de entrada associada ao MOSFET com características de condução do transistor bipolar, e é consagrado em aplicações de potência como inversores de frequência, fontes chaveadas, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.BErradaErrada porque DIAC não integra a definição técnica do dispositivo e não substitui MOSFET na lacuna central.CErradaErrada porque DIAC não corresponde ao dispositivo descrito no enunciado nem às características pedidas.DErradaErrada porque a segunda lacuna exige MOSFETs, e não Zener.EErradaErrada porque a combinação correta é com MOSFETs, não com Zener.Pegadinha da questãoA confusão explorada foi trocar o componente que entra na combinação com transistor bipolar: no IGBT, esse componente é o MOSFET, não DIAC nem Zener; por isso, alternativas com IGBT nas extremidades ainda podem estar erradas pela lacuna central.Dica para questões semelhantesQuando o enunciado trouxer alta impedância de entrada, combinação com transistor bipolar e uso em aplicações de potência, verifique se a descrição coincide com a definição consagrada do IGBT.Em questões de completar lacunas, teste se a alternativa mantém coerência técnica nas três posições, não apenas na primeira.Exclua componentes pela função: DIAC é dispositivo de disparo bidirecional e Zener é diodo regulador/referência, portanto não substituem o MOSFET na definição do IGBT.

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O __________ é um dispositivo semicondutor de potência que ...

Gabarito comentado

Gabarito: A

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