Em um sistema de controle de acesso que utiliza
sensores para detectar a presença de pessoas, um
técnico eletricista está desenvolvendo um circuito de
interface. Para isso, ele precisa de um componente que
atue como uma chave controlada por um pequeno sinal
de tensão, capaz de chavear uma corrente maior para
ativar uma fechadura eletrônica.
ASSERTIVA: Um transistor MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de
canal N é uma escolha eficiente para atuar como chave
controlada por tensão em aplicações de potência, como
acionamento de cargas indutivas, devido à sua alta
impedância de entrada e baixa resistência de condução.
RAZÃO: O MOSFET de canal N, quando um potencial
positivo suficiente é aplicado entre seu gate e source
(tensão VGS), cria um canal de condução entre o dreno
e o source, permitindo que uma corrente significativa flua
com mínima queda de tensão e dissipação de potência,
característica que o torna superior ao Transistor Bipolar
de Junção (TBJ) em muitas aplicações de chaveamento
de potência.
Analisando as afirmações, assinale a opção CORRETA:

Question

Em um sistema de controle de acesso que utiliza
sensores para detectar a presença de pessoas, um
técnico eletricista está desenvolvendo um circuito de
interface. Para isso, ele precisa de um componente que
atue como uma chave controlada por um pequeno sinal
de tensão, capaz de chavear uma corrente maior para
ativar uma fechadura eletrônica.
ASSERTIVA: Um transistor MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de
canal N é uma escolha eficiente para atuar como chave
controlada por tensão em aplicações de potência, como
acionamento de cargas indutivas, devido à sua alta
impedância de entrada e baixa resistência de condução.
RAZÃO: O MOSFET de canal N, quando um potencial
positivo suficiente é aplicado entre seu gate e source
(tensão VGS), cria um canal de condução entre o dreno
 e o source, permitindo que uma corrente significativa flua
com mínima queda de tensão e dissipação de potência,
característica que o torna superior ao Transistor Bipolar
de Junção (TBJ) em muitas aplicações de chaveamento
de potência.
Analisando as afirmações, assinale a opção CORRETA: Alternativa A: As duas afirmações são verdadeiras, mas a segunda
não justifica a primeira.  Ou Alternativa B: A primeira afirmação é verdadeira, e a segunda é falsa.  Ou Alternativa C: As duas afirmações são verdadeiras, e a segunda justifica a primeira. Ou Alternativa D: A primeira afirmação é falsa, e a segunda é verdadeira. Ou Alternativa E: Ambas as afirmações são falsas.

Qconcursos · Accepted Answer

Alternativa [C] As duas afirmações são verdadeiras, e a segunda justifica a primeira. Gabarito: CFundamento decisivo: O ponto decisivo era verificar a relação entre comando por tensão e chaveamento: no MOSFET de canal N, uma VGS positiva suficiente permite a condução entre dreno e source, o que corresponde ao uso descrito no enunciado para acionar uma carga com pequeno sinal.Tema central: MOSFET em chaveamentoAnálise das alternativasAErradaErrada porque, embora as duas afirmações sejam verdadeiras, a segunda explica precisamente por que o MOSFET de canal N funciona bem como chave controlada por tensão em aplicações de potência.BErradaErrada porque a razão não é falsa. Ela descreve corretamente o funcionamento básico do MOSFET de canal N: VGS positiva suficiente leva à formação do canal de condução, o que fundamenta seu uso em chaveamento.CCertaA alternativa C está correta porque a assertiva descreve adequadamente o MOSFET de canal N como dispositivo comandado por tensão, com alta impedância de entrada e baixa resistência de condução quando corretamente acionado, características que o tornam eficiente no chaveamento de potência. A razão também é verdadeira, pois expõe o mecanismo físico que fundamenta essa eficiência: com VGS suficiente, forma-se o canal de condução entre dreno e source, permitindo corrente significativa com pequena queda de tensão e menor dissipação. Assim, a segunda afirmação explica tecnicamente por que a primeira é válida.DErradaErrada porque a assertiva não é falsa. Dizer que o MOSFET de canal N é uma escolha eficiente como chave controlada por tensão está de acordo com suas características reais de alta impedância de entrada e baixa resistência no estado ligado.EErradaErrada porque ambas as afirmações estão corretas. A primeira condiz com a aplicação típica do MOSFET em chaveamento, e a segunda traz a explicação técnica desse comportamento.Pegadinha da questãoA confusão real era tratar a razão como mera repetição da assertiva ou confundir MOSFET com dispositivo controlado por corrente; aqui a razão efetivamente explica o mecanismo de condução por tensão no gate.Dica para questões semelhantesEm questões de assertiva e razão, verifique se a razão descreve o mecanismo técnico que sustenta o que foi afirmado na assertiva.Para MOSFET, associe chaveamento eficiente a controle por tensão, alta impedância de entrada e baixa resistência de condução quando corretamente acionado.Na comparação com TBJ, considere correta a vantagem do MOSFET em muitas aplicações de chaveamento de potência, sem torná-la absoluta.

🚀 Quer mais performance?

🚀 Quer mais performance?

Em um sistema de controle de acesso que utiliza sensores pa...

Gabarito comentado

Gabarito: C

Clique para visualizar este gabarito

Questões de assuntos semelhantes

Provas relacionadas