Em um projeto de amplificador de áudio de alta potência, é...
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?